eng
Competent opinion
Компетентное мнение
О.Вывенко
Исследование нанообъектов как объединяющее направление DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.6.13
Исследование нанообъектов как объединяющее направление DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.6.13
Nanotechnology
Нанотехнологии
L.Kolesnik, S.Marinich, A.Seleznev
Inert gas assisted cluster deposition of copper With use of jet vapor deposition with the specially developed source of material, the copper coatings having a cluster structure are obtained.
Inert gas assisted cluster deposition of copper With use of jet vapor deposition with the specially developed source of material, the copper coatings having a cluster structure are obtained.
Л.Колесник, С.Маринич, А.Селезнев
Технология кластерного осаждения меди с ассистированием струей инертного газа Методом пароструйного осаждения с использованием специально разработанного источника материала получены медные покрытия, имеющие кластерную структуру.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.86.93
Технология кластерного осаждения меди с ассистированием струей инертного газа Методом пароструйного осаждения с использованием специально разработанного источника материала получены медные покрытия, имеющие кластерную структуру.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.86.93
D.Andreev, O.Kovaleva, D.Koptsev
Microwave characteristics of transistors made of silicon-on-insulator with a channel length of 180 nm Characteristics obtained using a BSIMSOI4 SPICE model are comparing with results of experimental measurements of transistors manufactured by Mikron using CMOS silicon on insulator (SOI) 0.18 μm process.
Microwave characteristics of transistors made of silicon-on-insulator with a channel length of 180 nm Characteristics obtained using a BSIMSOI4 SPICE model are comparing with results of experimental measurements of transistors manufactured by Mikron using CMOS silicon on insulator (SOI) 0.18 μm process.
Д.Андреев, О.Ковалева, Д.Копцев
Сверхвысокочастотные характеристики транзисторов, изготовленных по технологии кремний на изоляторе с длиной канала 180 нм Характеристики, полученные с помощью SPICE-модели BSIMSOI4, сравниваются с результатами экспериментальных измерений транзисторов, изготовленных в ПАО "Микрон" по технологии КМОП кремний на изоляторе (КНИ) 0,18 мкм.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.94.100
Сверхвысокочастотные характеристики транзисторов, изготовленных по технологии кремний на изоляторе с длиной канала 180 нм Характеристики, полученные с помощью SPICE-модели BSIMSOI4, сравниваются с результатами экспериментальных измерений транзисторов, изготовленных в ПАО "Микрон" по технологии КМОП кремний на изоляторе (КНИ) 0,18 мкм.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.94.100
A.Benediktov, P.Ignatov
Modeling of full and partial depletion for high-temperature transistors on silicon-on-insulator structures The features of motion of major charge carriers in the space between the drain and source of SOI MOS transistors at different ambient temperatures are considered. The full and partial depletion of transistors is simulated.
Modeling of full and partial depletion for high-temperature transistors on silicon-on-insulator structures The features of motion of major charge carriers in the space between the drain and source of SOI MOS transistors at different ambient temperatures are considered. The full and partial depletion of transistors is simulated.
А.Бенедиктов, П.Игнатов
Моделирование состояний полного и частичного обеднения высокотемпературных транзисторов на структурах кремний на изоляторе Рассмотрены особенности движения основных носителей зарядов в пространстве между стоком и истоком КНИ МОП-транзисторов при различных температурах окружающей среды. Смоделированы состояния полного и частичного обеднения транзисторов.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.102.109
Моделирование состояний полного и частичного обеднения высокотемпературных транзисторов на структурах кремний на изоляторе Рассмотрены особенности движения основных носителей зарядов в пространстве между стоком и истоком КНИ МОП-транзисторов при различных температурах окружающей среды. Смоделированы состояния полного и частичного обеднения транзисторов.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.102.109
Теги: mos transistor soi кни моп-транзистор
Test & Measurement
Контроль и измерения
K.Mochalov, A.Chistyakov, D.Solovyeva, A.Mezin, V.Oleinikov, I.Nabiev, I.Agapov, A.Efimov
Hardware combination of confocal microspectroscopy and 3D scanning probe nano-tomography Instrumental approach to combination of confocal microspectroscopy and the 3D scanning probe nano-tomography in a single device is developed.
Hardware combination of confocal microspectroscopy and 3D scanning probe nano-tomography Instrumental approach to combination of confocal microspectroscopy and the 3D scanning probe nano-tomography in a single device is developed.
К.Мочалов, А.Чистяков, Д.Соловьева, А.Мезин, В.Олейников, И.Набиев, И. Агапов, А.Ефимов
Инструментальное объединение конфокальной микроспектроскопии и 3D сканирующей зондовой нанотомографии Разработан инструментальный подход к объединению конфокальной микроспектроскопии и 3D сканирующей зондовой нанотомографии в одном устройстве.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.60.70
Инструментальное объединение конфокальной микроспектроскопии и 3D сканирующей зондовой нанотомографии Разработан инструментальный подход к объединению конфокальной микроспектроскопии и 3D сканирующей зондовой нанотомографии в одном устройстве.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.60.70
Теги: optical microspectroscopy scanning probe microscopy; ultramicrotomy scanning probe nanotomography оптическая микроскопия сканирующая зондовая микроскопия сканирующая зондовая нанотомография ультрамикротомия
A.Useinov, K.Kravchuk, A.Rusakov, I.Maslenikov, I.Krasnogorov
Methods of automation of mechanical properties measurements in NanoScan nanohardness testers Tools for automation of mechanical properties measurements using NanoScan nanohardness tester are considered, including measurement generators, templates and specialized macro language.
Methods of automation of mechanical properties measurements in NanoScan nanohardness testers Tools for automation of mechanical properties measurements using NanoScan nanohardness tester are considered, including measurement generators, templates and specialized macro language.
А.Усеинов, К.Кравчук, А.Русаков, И.Маслеников, И.Красногоров
Методы автоматизации измерений механических свойств в нанотвердомерах семейства "НаноСкан" Рассмотрены инструменты автоматизации измерений механических свойств с помощью нанотвердомеров "НаноСкан": генераторы измерений, шаблоны и специализированный язык макрокоманд.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.72.78
Методы автоматизации измерений механических свойств в нанотвердомерах семейства "НаноСкан" Рассмотрены инструменты автоматизации измерений механических свойств с помощью нанотвердомеров "НаноСкан": генераторы измерений, шаблоны и специализированный язык макрокоманд.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.72.78
Теги: automation instrumental indentation macro автоматизация инструментальное индентирование макрос
A.Ahmetova, G.Meshkov, I.Nazarov, O.Sinitsyna, I.Yaminsky
Detection of viruses and bacteria in scanning probe microscopy The prospects of use of flow-through liquid cell and a specialized biochip for fixation of biological objects are considered.
Detection of viruses and bacteria in scanning probe microscopy The prospects of use of flow-through liquid cell and a specialized biochip for fixation of biological objects are considered.
А.Ахметова, Г.Мешков, И.Назаров, О.Синицына, И.Яминский
Обнаружение вирусов и бактерий в сканирующей зондовой микроскопии Рассмотрены перспективы применения проточной жидкостной ячейки и специализированного биочипа для фиксации биообъектов.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.80.85
Обнаружение вирусов и бактерий в сканирующей зондовой микроскопии Рассмотрены перспективы применения проточной жидкостной ячейки и специализированного биочипа для фиксации биообъектов.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.80.85
Теги: biochip flow-through liquid cell scanning probe microscope биочип проточная жидкостная ячейка сканирующий зондовый микроскоп
Military and space technology
Военные и космические технологии
E.Kuznetsov, A.Saurov
Hardware Trojans. Part 1: new th reats to cyber security Potential threats to cyber security caused by hardware Trojans are considered. The possible ways of their unauthorized insertion are examined. The comprehensive classification of hardware Trojans is presented.
Hardware Trojans. Part 1: new th reats to cyber security Potential threats to cyber security caused by hardware Trojans are considered. The possible ways of their unauthorized insertion are examined. The comprehensive classification of hardware Trojans is presented.
Е.Кузнецов, А.Сауров
Аппаратные трояны. Часть 1: новые угрозы кибербезопасности Рассмотрены потенциальные угрозы кибербезопасности, которые несут аппартные трояны. Анализируются возможные пути их несанкционированного внедрения. Приведена всесторонняя классификация аппаратных троянов.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.16.25
Аппаратные трояны. Часть 1: новые угрозы кибербезопасности Рассмотрены потенциальные угрозы кибербезопасности, которые несут аппартные трояны. Анализируются возможные пути их несанкционированного внедрения. Приведена всесторонняя классификация аппаратных троянов.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.16.25
Теги: hardware backdoor hardware trojan integrated circuit malicious modification аппаратная закладка аппаратный троян интегральная схема несанкционированная модификация
N.Malashevich
RAM cell that is resistant to external factors The article shows the feasibility of single-port and dual-port blocks of random access memory (RAM) on gate arrays (GA) of 5521 and 5529 families, which has an increased resistance to external factors. RAM memory cell is considered.
RAM cell that is resistant to external factors The article shows the feasibility of single-port and dual-port blocks of random access memory (RAM) on gate arrays (GA) of 5521 and 5529 families, which has an increased resistance to external factors. RAM memory cell is considered.
Н.Малашевич
Ячейка ОЗУ, устойчивая к воздействию внешних факторов Показана возможность реализации блоков однопортовых и двухпортовых оперативных запоминающих устройств (ОЗУ) повышенной стойкости к внешним факторам для базовых кристаллов (БК) серий 5521 и 5529. Рассмотрена ячейка памяти ОЗУ.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.26.31
Ячейка ОЗУ, устойчивая к воздействию внешних факторов Показана возможность реализации блоков однопортовых и двухпортовых оперативных запоминающих устройств (ОЗУ) повышенной стойкости к внешним факторам для базовых кристаллов (БК) серий 5521 и 5529. Рассмотрена ячейка памяти ОЗУ.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.26.31
Теги: gate array memory cell radiation hardness базовый кристалл радиационная стойкость ячейка памяти
V.Konyahin, R.Fedorov
Microchip for thyristor effect protection The paper describes the operation principles, structure and connection layout of the latch-up protection circuit designed for space-related equipment.
Microchip for thyristor effect protection The paper describes the operation principles, structure and connection layout of the latch-up protection circuit designed for space-related equipment.
В.Коняхин, Р.Фёдоров
Микросхема защиты от тиристорного эффекта Описаны принцип действия, структура и схема включения микросхемы защиты от тиристорного эффекта, предназначенной для аппаратуры космического назначения.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.32.41
Микросхема защиты от тиристорного эффекта Описаны принцип действия, структура и схема включения микросхемы защиты от тиристорного эффекта, предназначенной для аппаратуры космического назначения.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.32.41
Теги: protection microchip radiation resistance thyristor effect микросхема защиты радиационная стойкость тиристорный эффект
A.Lykyanov, R.Fedorov
Digital galvanic isolation circuit The paper describes the development of a dual-channel transformer galvanic isolation circuit on the basis of the unified cell library of 5521 gate array family, the main functional units and the principles of their operation.
Digital galvanic isolation circuit The paper describes the development of a dual-channel transformer galvanic isolation circuit on the basis of the unified cell library of 5521 gate array family, the main functional units and the principles of their operation.
А.Лукьянов, Р.Фёдоров
Микросхема цифровой гальванической развязки На основе унифицированной библиотеки ячеек серии БК 5521 показана разработка микросхемы двухканальной трансформаторной гальванической развязки, приводится описание основных блоков и принципов работы.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.42.47
Микросхема цифровой гальванической развязки На основе унифицированной библиотеки ячеек серии БК 5521 показана разработка микросхемы двухканальной трансформаторной гальванической развязки, приводится описание основных блоков и принципов работы.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.42.47
А.Semenov, S.Belostotskaya
Creating one-time programmable elements for 5521 and 5529 gate array families The paper describes an example of fusible links (FL) design for 5521 and 5529 gate array families. The experimental data of the obtained samples of FL are presented.
Creating one-time programmable elements for 5521 and 5529 gate array families The paper describes an example of fusible links (FL) design for 5521 and 5529 gate array families. The experimental data of the obtained samples of FL are presented.
А.Семенов, С.Белостоцкая
Создание элементов однократного программирования для БК серий 5521 и 5529 Рассматривается пример разработки плавких перемычек (ПП) для БК серий 5521 и 5529. Представлены экспериментальные данные полученных образцов ПП.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.48.51
Создание элементов однократного программирования для БК серий 5521 и 5529 Рассматривается пример разработки плавких перемычек (ПП) для БК серий 5521 и 5529. Представлены экспериментальные данные полученных образцов ПП.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.48.51
D.Mamonov
Control circuit for matrix alphanumeric LED-displays (7 × 5) The paper describes the design features of radiation-resistant circuit 5521TR034-726 for control of eight matrix alphanumeric displays (7 × 5) based on 5521 gate array family.
Control circuit for matrix alphanumeric LED-displays (7 × 5) The paper describes the design features of radiation-resistant circuit 5521TR034-726 for control of eight matrix alphanumeric displays (7 × 5) based on 5521 gate array family.
Д.Мамонов
Микросхема управления матричными буквенно-цифровыми LED-дисплеями (7 × 5) Рассматриваются особенности проектирования радиационно-стойкой микросхемы 5521ТР034-726 управления восемью матричными буквенно-цифровыми дисплеями (7 × 5) на основе БК серии 5521.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.52.58
Микросхема управления матричными буквенно-цифровыми LED-дисплеями (7 × 5) Рассматриваются особенности проектирования радиационно-стойкой микросхемы 5521ТР034-726 управления восемью матричными буквенно-цифровыми дисплеями (7 × 5) на основе БК серии 5521.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.52.58
Education
Образование
А.Дудник
Проекты МГУ им. М.В.Ломоносова и Центра перспективных технологий на конференции IASP DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.110.112
Проекты МГУ им. М.В.Ломоносова и Центра перспективных технологий на конференции IASP DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.110.112
Issues of patenting
Вопросы патентования
D.Sokolov
Umbrella patent for invention The features of creation of umbrella patents is considered.
Umbrella patent for invention The features of creation of umbrella patents is considered.
Д.Соколов
Зонтичный патент на изобретение Рассмотрены особенности создания зонтичных патентов.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7114.120
Зонтичный патент на изобретение Рассмотрены особенности создания зонтичных патентов.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7114.120