eng
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
Competent opinion
Компетентное мнение
V.Bespalov
MIET: integration of education, science and production Interview with rector of National Research University of Electronic Technology (MIET).
MIET: integration of education, science and production Interview with rector of National Research University of Electronic Technology (MIET).
В.Беспалов
МИЭТ: интеграция образования, науки и производства Интервью с ректором Национального исследовательского университета "Московский институт электронной техники" (МИЭТ).
DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.08.13
МИЭТ: интеграция образования, науки и производства Интервью с ректором Национального исследовательского университета "Московский институт электронной техники" (МИЭТ).
DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.08.13
Nanotechnology
Нанотехнологии
S.Udovichenko, A.Pisarev, A.Busygin, O.Maevsky
3D CMOS, memristor nanotechnology for creating logical and memory matrices of neuroprocessor The super-large multi-layered logical and storage matrices are main components of the neuroprocessor, which is an electronic device that processes information like the brain. The topology of the logical and storage cells is presented. Matrices based on these cells can be manufactured using vacuum nanotechnology, which combines classical transistor CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) technology with a memristor crossbar technology.
3D CMOS, memristor nanotechnology for creating logical and memory matrices of neuroprocessor The super-large multi-layered logical and storage matrices are main components of the neuroprocessor, which is an electronic device that processes information like the brain. The topology of the logical and storage cells is presented. Matrices based on these cells can be manufactured using vacuum nanotechnology, which combines classical transistor CMOS (complementary metal-oxide-semiconductor) technology with a memristor crossbar technology.
С.Удовиченко, А.Писарев, А.Бусыгин, О.Маевский
3D КМОП – мемристорная нанотехнология создания логической и запоминающей матриц нейропроцессора Сверхбольшие многослойные логическая и запоминающая матрицы являются основными составными частями нейропроцессора – электронного устройства, которое обрабатывает информацию подобно головному мозгу. Представлена топология логической и запоминающей ячеек. Матрицы на основе этих ячеек можно изготавливать с помощью вакуумной нанотехнологии, в которой совмещены классические транзисторная КМОП (комплементарная металл – оксид – полупроводник) технология с технологией мемристорного кроссбара.
УДК 621.382, ВАК 05.27.01, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.26.34
3D КМОП – мемристорная нанотехнология создания логической и запоминающей матриц нейропроцессора Сверхбольшие многослойные логическая и запоминающая матрицы являются основными составными частями нейропроцессора – электронного устройства, которое обрабатывает информацию подобно головному мозгу. Представлена топология логической и запоминающей ячеек. Матрицы на основе этих ячеек можно изготавливать с помощью вакуумной нанотехнологии, в которой совмещены классические транзисторная КМОП (комплементарная металл – оксид – полупроводник) технология с технологией мемристорного кроссбара.
УДК 621.382, ВАК 05.27.01, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.26.34
Теги: cmos technology logical and storage matrices memristor vacuum nanotechnology вакуумная нанотехнология кмоп-технология логическая и запоминающая матрицы мемристор
N.Gerasimenko, A.Volokhovsky, O.Zaporozhan
Features of control of silicon nanostructures technology Considering the process for the production of silicon nanostructures, it is important to take into account their transition to the state of dimensional quantization accompanied by a change in their mechanical and structural properties. These effects also need to be taken into account when developing a process control system for the production of devices and systems containing nanoscale structures. In this paper, we consider new requirements for the process control, including those for the equipment with use of which this control is carried out.
Features of control of silicon nanostructures technology Considering the process for the production of silicon nanostructures, it is important to take into account their transition to the state of dimensional quantization accompanied by a change in their mechanical and structural properties. These effects also need to be taken into account when developing a process control system for the production of devices and systems containing nanoscale structures. In this paper, we consider new requirements for the process control, including those for the equipment with use of which this control is carried out.
Н.Герасименко, А.Волоховский, О.Запорожан
Особенности контроля технологии кремниевых наноструктур Рассматривая технологический процесс производства кремниевых наноструктур, важно учитывать их переход в состояние размерного квантования, сопровождаемый изменением их механических и структурных свойств. Эти эффекты также необходимо учитывать при разработке системы контроля технологического процесса производства приборов и систем, содержащих наноразмерные структуры. В данной работе рассматриваются новые требования к контролю технологических процессов, в том числе, предъявляемые к оборудованию, с помощью которого осуществляется этот контроль.
УДК 54-1, ВАК 05.27.01, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.36.51
Особенности контроля технологии кремниевых наноструктур Рассматривая технологический процесс производства кремниевых наноструктур, важно учитывать их переход в состояние размерного квантования, сопровождаемый изменением их механических и структурных свойств. Эти эффекты также необходимо учитывать при разработке системы контроля технологического процесса производства приборов и систем, содержащих наноразмерные структуры. В данной работе рассматриваются новые требования к контролю технологических процессов, в том числе, предъявляемые к оборудованию, с помощью которого осуществляется этот контроль.
УДК 54-1, ВАК 05.27.01, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.36.51
Теги: optical scatterometry small-angle x-ray scattering spectral ellipsometry x-ray reflectometry малоугловое рентгеновское рассеяние оптическая скаттерометрия рентгеновская рефлектометрия спектральная эллипсометрия
Test & Measurement
Контроль и измерения
I.Pylev, I.Yaminsky
Nanometer standard One of the problems of nanometrology is to create simple and affordable standard of length in the nanometer range. At the moment there is no small-sized standard with a length of exactly 1 nm, with which it would be possible to carry out the calibration of the scanning probe microscope directly in the scanning process. Its creation greatly simplifies the calibration of the microscope, and the standard itself is a solid metrological basis for the development of promising nanotechnologies.
Nanometer standard One of the problems of nanometrology is to create simple and affordable standard of length in the nanometer range. At the moment there is no small-sized standard with a length of exactly 1 nm, with which it would be possible to carry out the calibration of the scanning probe microscope directly in the scanning process. Its creation greatly simplifies the calibration of the microscope, and the standard itself is a solid metrological basis for the development of promising nanotechnologies.
И.Пылев, И.Яминский
Эталон нанометра Одна из проблем нанометрологии заключается
в создании простого и доступного эталона длины в нанометровом диапазоне. На данный момент не существует малогабаритного эталона длиной ровно
в 1 нм, с помощью которого можно было бы проводить калибровку сканирующего зондового микроскопа непосредственно в процессе сканирования. Его создание значительно упрощает процесс калибровки микроскопа, а сам эталон служит прочным метрологическим фундаментом для развития перспективных нанотехнологий.
УДК 531.711
ВАК 05.02.23
DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.52.57
Эталон нанометра Одна из проблем нанометрологии заключается
в создании простого и доступного эталона длины в нанометровом диапазоне. На данный момент не существует малогабаритного эталона длиной ровно
в 1 нм, с помощью которого можно было бы проводить калибровку сканирующего зондового микроскопа непосредственно в процессе сканирования. Его создание значительно упрощает процесс калибровки микроскопа, а сам эталон служит прочным метрологическим фундаментом для развития перспективных нанотехнологий.
УДК 531.711
ВАК 05.02.23
DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.52.57
Теги: inverse piezoelectric effect nanometer nanometrology nanoscopy nanotechnology scanning probe microscopy standard нанометр нанометрология наноскопия нанотехнологии обратный пьезоэффект сканирующая зондовая микроскопия эталон
S.Stepanov, S.Tarasov, A.Petrov, S.Stepanov
Investigation of comparison error when testing gauge blocks using UКМ-100 tool The accuracy of the Russian UKM-100 comparator for testing the gauge blocks according
to the international method of calibration of gauge block comparators has been studied. It is shown that the calibration is more flexible and definite method of estimating the accuracy capabilities of the reference instruments than the use of the verification scheme.
Investigation of comparison error when testing gauge blocks using UКМ-100 tool The accuracy of the Russian UKM-100 comparator for testing the gauge blocks according
to the international method of calibration of gauge block comparators has been studied. It is shown that the calibration is more flexible and definite method of estimating the accuracy capabilities of the reference instruments than the use of the verification scheme.
С.Степанов, С.Тарасов, А.Петров, С.Степанов
Исследование погрешности компарации при поверке концевых мер длины на приборе УКМ-100 Проведено исследование точности российского компаратора для поверки концевых мер длины
УКМ-100 по международной методике Calibration of gauge block comparators. Показано, что калибровка является более гибким и определенным методом оценки точностных возможностей эталонных приборов, чем применение поверочной схемы.
УДК 621.923, ВАК 05.11.01, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.58.61
Исследование погрешности компарации при поверке концевых мер длины на приборе УКМ-100 Проведено исследование точности российского компаратора для поверки концевых мер длины
УКМ-100 по международной методике Calibration of gauge block comparators. Показано, что калибровка является более гибким и определенным методом оценки точностных возможностей эталонных приборов, чем применение поверочной схемы.
УДК 621.923, ВАК 05.11.01, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.58.61
Equipment for nanoindustry
Оборудование для наноиндустрии
A.Ahmetova, Yu.Belov, I.Yaminsky
ATCNano, three-axis CNC milling and engraving center Every day the Nanotechnology youth innovation creativity centre is working on development of interesting, practically feasible and perspective projects. One of the most popular areas in the market today is the creation of CNC machines.
ATCNano, three-axis CNC milling and engraving center Every day the Nanotechnology youth innovation creativity centre is working on development of interesting, practically feasible and perspective projects. One of the most popular areas in the market today is the creation of CNC machines.
А.Ахметова, Ю.Белов, И.Яминский
Трехкоординатный фрезерно-гравировальный центр с ЧПУ ATCNano В центре молодежного инновационного творчества "Нанотехнологии" каждый день ведется работа по разработке интересных технологичных и перспективных проектов. Одним из наиболее востребованных на сегодняшнем рынке направлений стало создание станков с ЧПУ.
УДК 621.9, ВАК 05.02.07, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.62.64
Трехкоординатный фрезерно-гравировальный центр с ЧПУ ATCNano В центре молодежного инновационного творчества "Нанотехнологии" каждый день ведется работа по разработке интересных технологичных и перспективных проектов. Одним из наиболее востребованных на сегодняшнем рынке направлений стало создание станков с ЧПУ.
УДК 621.9, ВАК 05.02.07, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.62.64
Теги: milling machine multi-axis machining center scanning probe microscopy многоосевой обрабатывающий центр сканирующая зондовая микроскопия фрезерный станок
Conferences, Exhibitions, Seminars
Конференции, выставки, семинары
D.Gudilin
minimal Fab, look into future of semiconductor industry A seminar on the new Japanese minimal Fab technology was held at the National Research University of Electronic Technology (MIET).
minimal Fab, look into future of semiconductor industry A seminar on the new Japanese minimal Fab technology was held at the National Research University of Electronic Technology (MIET).
Д.Гудилин
minimal Fab – взгляд в будущее полупроводниковой промышленности В Национальном исследовательском университете "МИЭТ" состоялся семинар, посвященный новой японской технологии minimal Fab.
DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.14.18
minimal Fab – взгляд в будущее полупроводниковой промышленности В Национальном исследовательском университете "МИЭТ" состоялся семинар, посвященный новой японской технологии minimal Fab.
DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.14.18
L.Ratkin
Nanotechnological developments for aerospace industry In the framework of the scientific program of the International Aviation and Space Salon MAKS 2017, a conference "Space corporations of the future in Industry 4.0" was held.
Nanotechnological developments for aerospace industry In the framework of the scientific program of the International Aviation and Space Salon MAKS 2017, a conference "Space corporations of the future in Industry 4.0" was held.
Л.Раткин
Нанотехнологические разработки для авиационно-космической промышленности В рамках научной программы международного авиационно-космического салона "МАКС-2017" была проведена конференция "Космические корпорации будущего в "Индустрии 4.0".
DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.20.23
Нанотехнологические разработки для авиационно-космической промышленности В рамках научной программы международного авиационно-космического салона "МАКС-2017" была проведена конференция "Космические корпорации будущего в "Индустрии 4.0".
DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.20.23
Issues of patenting
Вопросы патентования
D.Sokolov
Practical advice on patent research according to GOST R 15.011-96 Implementation of the main stages of patent research in compliance with GOST R 15.011-96 according to the practice of recent years is discussed.
Practical advice on patent research according to GOST R 15.011-96 Implementation of the main stages of patent research in compliance with GOST R 15.011-96 according to the practice of recent years is discussed.
Д.Соколов
Практические рекомендации по проведению патентных исследований по ГОСТу Р 15.011-96 Рассмотрено выполнение основных этапов патентных исследований в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96 согласно практике последних лет.
УДК 608.3, ВАК 12.00.03, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.82.87
Практические рекомендации по проведению патентных исследований по ГОСТу Р 15.011-96 Рассмотрено выполнение основных этапов патентных исследований в соответствии с ГОСТ Р 15.011-96 согласно практике последних лет.
УДК 608.3, ВАК 12.00.03, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.82.87
Infrastructure
Инфраструктура
K.Borisov, E.Gruzinova, O.Kokorev, A.Malakhov, A.Petrov, A.Semin, A.Skuratov
Implementation of program of nanotechnology industry development in Russian Federation until 2015 The main results of the state programs for the development of the nanotechnology industry in the Russian Federation are considered. Achievements in the field of creation and development of the infrastructure of the industry, training of personnel, standardization, protection of intellectual property, support of R&D and industrial production of nanotechnology products are noted.
Implementation of program of nanotechnology industry development in Russian Federation until 2015 The main results of the state programs for the development of the nanotechnology industry in the Russian Federation are considered. Achievements in the field of creation and development of the infrastructure of the industry, training of personnel, standardization, protection of intellectual property, support of R&D and industrial production of nanotechnology products are noted.
К.Борисов, Е.Грузинова, О.Кокорев, А.Малахов, А.Петров, А.Семин, А.Скуратов
Реализация программы развития наноиндустрии в Российской Федерации до 2015 года Рассмотрены основные результаты реализации государственных программ развития наноиндустрии в Российской Федерации. Отмечены достижения в области создания и развития инфраструктуры отрасли, подготовки кадров, стандартизации, защиты интеллектуальной собственности, организации поддержки НИОКР и промышленного производства нанотехнологической продукции.
УДК 338.2, ВАК 08.00.05, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.66.81
Реализация программы развития наноиндустрии в Российской Федерации до 2015 года Рассмотрены основные результаты реализации государственных программ развития наноиндустрии в Российской Федерации. Отмечены достижения в области создания и развития инфраструктуры отрасли, подготовки кадров, стандартизации, защиты интеллектуальной собственности, организации поддержки НИОКР и промышленного производства нанотехнологической продукции.
УДК 338.2, ВАК 08.00.05, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.76.5.66.81