DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2025.18.1.60.69

Представлены результаты исследования макетов преобразователей магнитного поля (ПМП) на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур (СТМР) с синтетическим антиферромагнетиком (САФ). Абсолютная чувствительность к магнитному полю у исследованных макетов ПМП-САФ составила 217 мВ/Э в диапазоне магнитного поля ±5 Э (±0,5 мТл) при напряжении питания 5 В.

sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Выпуск #1/2025
Д.В.Васильев, А.Н.Сауров, В.В.Амеличев
ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСНОВЕ СПИН-ТУННЕЛЬНЫХ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ НАНОСТРУКТУР С СИНТЕТИЧЕСКИМ АНТИФЕРРОМАГНЕТИКОМ
Просмотры: 123
DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2025.18.1.60.69

Представлены результаты исследования макетов преобразователей магнитного поля (ПМП) на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур (СТМР) с синтетическим антиферромагнетиком (САФ). Абсолютная чувствительность к магнитному полю у исследованных макетов ПМП-САФ составила 217 мВ/Э в диапазоне магнитного поля ±5 Э (±0,5 мТл) при напряжении питания 5 В.

Теги:   magnetic field transducer   magnetic flux concentrators   spin-tunnel magnetoresistive nanostructures   synthetic antiferromagnet   wheatstone bridge scheme   концентраторы магнитного поля   мостовая схема   преобразователь магнитного поля   синтетический антиферромагнетик   спин-туннельные магниторезистивные наноструктуры

Подпишитесь на журнал, чтобы прочитать полную версию статьи.
 
 Отзывы читателей
Разработка: студия Green Art