eng
Выпуск #1/2010
В.Лучинин, Ю.Таиров.
Карбид кремния – алмазоподобный материал с управляемыми наноструктурно-зависимыми свойствами
Карбид кремния – алмазоподобный материал с управляемыми наноструктурно-зависимыми свойствами
Просмотры: 10395
Для обеспечения технологической независимости и конкурентоспособности государства в области материалов для компонентной базы электроники нового поколения с ранее недостижимыми режимами и условиями эксплуатации разработана основанная на приоритетных отечественных исследованиях технология выращивания объемных слитков широкозонного алмазоподобного полупроводникового карбида кремния с управляемой нанослоевой структурой и зависящими от нее физическими и химическими свойствами.
Рынок карбида кремния
В 2008 году объем продаж изделий из монокристаллического карбида кремния (SiC) составил ~2 млрд. долл. и за последний год вырос на 38%. В мире существует не более 10 компаний, которые занимаются разработкой технологии производства этого материала, причем около 90% от общего объема его производства приходится на США. Признанным лидером, а фактически монополистом (90% рынка США) в области производства монокристаллического SiC является Сrее Inc. Только эта фирма, фактически используя в качестве технологического базиса «метод ЛЭТИ», занимается коммерческой продажей монокристаллического SiC и изделий из него.
На поставки карбидокремниевых подложек, эпитаксиальных структур и электронной компонентной базы на основе SiC существуют определенные и достаточно жесткие ограничения со стороны производителя, что вызывает значительный интерес к выходу на независимых поставщиков данного вида продукции со стороны крупнейших зарубежных производителей электроники.
Актуальность для России промышленной реализации отечественной разработки в этой сфере определяется отсутствием в стране устойчивого производства подложек и эпитаксиальных структур карбида кремния и ЭКБ на их основе, что значительно снижает экспортный потенциал страны в наукоемких областях.
Карбид кремния – наноструктурно-зависимое семейство материалов
Карбид кремния по терминологии, принятой в первом разделе рубрикатора (Н) госкорпорации «Роснано», может быть отнесен к наноматериалам, «макроскопические свойства которых определяются размерами и/или взаимным расположением элементов» [1]. Это слоистый материал, свойства которого зависят от порядка чередования наноразмерых элементов (слоев). Фактически SiC имеет кристаллическую слоистую сверхструктуру, построенную из элементарных слоев трех типов: A, B и С (рис.1), отличающихся друг от друга кристаллической упаковкой в пределах одного слоя. Период повторения их последовательности может варьироваться от десятков ангстрем до десятка нанометров, что обеспечивает формирование слоистых сверхрешеток, макроскопические свойства которых зависят от взаимного расположения таких слоев.
В результате при синтезе формируется ряд индивидуальных слоистых структурных модификаций, называемых политипами (3С, 2Н, 4Н, 6Н, 21R) и отличающихся электрофизическими (ширина запрещенной зоны, подвижность носителей заряда), оптическими (коэффициенты поглощения, преломления) и химическими (скорость окисления, диффузии примесей) свойствами (рис.2).
Фактически, в рамках общей химической формулы – SiC – карбид кремния объединяет в себе семейство широкозонных материалов и является наноструктурированным слоистым полупроводником, макроскопические свойства которого зависят от взаимного расположения слоев, т. е. от последовательности их чередования и периода трансляции [2].
Разработанные в России процессы целенаправленного синтеза ряда слоистых композиций на основе кремния и углерода позволяют получать наноупорядоченный карбид кремния с заданными последовательностью чередования и периодом повторения слоев, что обеспечивает создание материала с заранее определенными функциональными свойствами (например, высокой подвижностью носителей заряда у политипа 4Н), пригодного для решения конкретных задач при изготовлении электронной компонентной базы (ЭКБ).
В основе разработанных процессов лежит критерий управления протяженностью слоевой структуры SiC как функции условий синтеза [3], базисом которого является кинетическая зависимость неравновесных процессов упорядочения от скорости поступления вещества на поверхность роста, температуры и методов подготовки поверхности подложки-затравки, основного и примесного состава ростовой среды. Этот критерий позволил определить условия управляемого получения промышленно значимых структурных модификаций SiC и целенаправленно формировать их композиции как слоевые, так и латеральные – в плоскости подложки затравки (рис.3).
На основе карбида кремния возможно также формирование объектов, представляющих собой гетероструктуры в виде сочетания различных модификаций SiC: кубической и гексагональных 3С-2Н, 3С-6Н, а также гетероструктурных нанокомпозиций этого соединения с другими материалами, идеально сочетающимися с ним кристаллохимически и термомеханически: нитридами алюминия и галлия [4].
Следует также отметить, что последние исследования указывают на возможность стимулированного подложкой матричного устойчивого псевдоморфного (наследующего при эпитаксии структуру подложки другого материала) синтеза других структурных модификаций нитридов алюминия и галлия, для которых обычно характерна структура вюрцита (политип 2Н), что значительно расширяет функциональные возможности материалов и их композиций.
Карбид кремния – алмазоподобный широкозонный полупроводник
Среди вышеуказанного семейства широкозонных материалов (рис.4) карбид кремния выделяет высокая температура Дебая, характеризующая его устойчивость к внешним воздействиям. Чрезвычайно ценным качеством является также достаточно высокая теплопроводность SiC, уступающая лишь алмазу, но в несколько раз превосходящая аналогичный параметр для меди.
Такие особенности материалов на основе карбида кремния не могли остаться не замеченными исследователями и разработчиками ЭКБ. В области силовой, в том числе быстродействующей электроники наибольший интерес представляют эпитаксиальные структуры на его основе; в СВЧ-электронике повышенной мощности доминируют композиции GaN/AlN/SiC; в оптоэлектронике особый интерес представляют структуры GaAlN/SiC, обеспечивающие излучение, в том числе в УФ-области спектра. Для микросистемной техники важны твердость и теплопроводность SiC, наличие пъезоэффекта у кристаллохимически совместимого с ним нитрида алюминия.
Во многом конечный успех в создании современной ЭКБ определяется решением проблемы подложки, т.е. SiC-субстрата, к которому могут предъявляться различные требования. Главным среди них остается стоимость.
Целесообразно выделить ряд технических требований, предъявляемых к подложкам SiC и определяющих эффективность создания на их основе широкой номенклатуры ЭКБ:
диаметр - 50,8 … 101,6 мм;
толщина - 350 ± 50 мкм;
структурная политипная однородность - 4Н или 6Н;
удельное сопротивление -10-3 -1012 Ом•см;
тип проводимости - n-(азот) p-(алюминий);
плотность дислокаций - <103 см-2;
плотность микропор - <5 см-2.
Дополнительные требования могут выдвигаться в отношении качества подготовки подложки с учетом реализации последующих процессов эпитаксии SiC или соединений MeIIINV, осуществляемых, как правило, методом CVD, т.е. осаждением из газовой фазы или MBE – молекулярной эпитаксией в глубоком вакууме. Следует отметить, что в настоящее время при выполнении определенной совокупности вышеуказанных требований стоимость одного квадратного дюйма подложки SiC в среднем составляет не менее 100 долл.
Российская технология выращивания монокристаллического SiC – «метод ЛЭТИ»
Выращивание монокристаллов карбида кремния представляет собой достаточно сложную техническую задачу. Главной проблемой при получении кристаллов SiC является отсутствие у него при реально технически достижимых давлениях жидкой фазы, а также высокие температуры синтеза этого алмазоподобного материала.
При выращивании полупроводниковых монокристаллов карбида кремния наиболее распространенным является метод сублимации, т.е. испарение и конденсация синтезируемого материала.
Впервые для получения кристаллического материала метод сублимации был предложен в конце ХIХ века Ачесоном и до сих пор используется лишь с небольшими изменениями. Вместе с тем, кристаллический карбид кремния для производства абразивов, получаемый этим методом, имеет два основных недостатка, препятствующих его использованию в электронике – неконтролируемое структуро- и формообразование кристаллов и их сильное загрязнение.
Новой точкой отсчета в развитии технологии получения монокристаллов полупроводникового SiC методом сублимации явилась работа голландского физика Лели [5]. Кристаллы, выращиваемые по его методу, позволили провести исследования основных фундаментальных свойств карбида кремния и изготовить первые полупроводниковые приборы на этом материале. Вместе с тем, оба представленных метода принципиально не позволяли выращивать кристаллы SiC большого размера, пригодные для серийного производства электронных приборов.
Комплексные исследования массопереноса, термодинамики процессов в газовой фазе, кинетики кристаллизации и структурообразования политипов при выращивании карбида кремния [3, 4, 6], обеспечили более глубокое понимание особенностей сублимационного роста SiC и позволили сформировать основу для нового подхода к синтезу монокристаллических слитков данного бинарного соединения.
Впервые результаты по выращиванию объемных монокристаллов-слитков SiС были представлены сотрудниками Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) Ю.М. Таировым и В.Ф. Цветковым на Первой европейской конференции по выращиванию кристаллов из газовой фазы (Цюрих, Швейцария, 1976 г.), а первая полномасштабная публикация по выращиванию кристаллов SiC, получившему название «метод ЛЭТИ», появилась в 1978 году [7].
В основу метода были положены: классическая схема конденсации пересыщенного пара на монокристалл-затравку (управление процессом зародышеобразования), ограничение на начальном этапе скорости кристаллизации за счет реализации данной стадии в атмосфере инертного газа (подавление спонтанного зарождения и образования поликристалла) и откачка инертного газа из камеры вплоть до достаточно высокого вакуума (обеспечение постепенного увеличения скорости роста до нескольких миллиметров в час). В качестве затравок использовались монокристаллы гексоганальной формы, размером не более 20х20 мм2, полученные методом Лели, а в качестве источника материала – поликристаллический карбид кремния, синтезируемый из кремния и углерода полупроводниковой чистоты.
Понимание основных закономерностей сублимационного роста кристаллов позволило разработать конструкцию и методику выращивания объемных монокристаллов SiC больших размеров.
Эволюция методов получения кристаллов карбида кремния проиллюстрирована на рис.5.
В настоящее время в СПбГЭТУ «ЛЭТИ» коммерчески доступны монокристаллы SiC диаметром 75 мм (рис.6). Такие размеры позволяют применять базовые процессы планарной технологии и создавать на основе кристаллов-подложек SiC различные типы приборов силовой и высокочастотной электроники, оптоэлектроники и микросистемной техники.
В разработке находится метод изготовления слитков карбида кремния диаметром 100 мм (рис.7).
В целом следует отметить, что освоение промышленного производства широкозонного алмазоподобного материала с наноразмерно-зависимыми функциональными свойствами и как следствие карбидокремниевых подложек и эпитаксиальных структур, а также разработка конструктивно-технологических решений для реализации ЭКБ силовой и СВЧ-электроники, оптоэлектроники и микросистемной техники на основе композиций GaN, AIN, SiC позволит перейти к серийному отечественному производству технически востребованных и коммерчески эффективных электронных изделий нового поколения, в том числе:
приборов силовой электроники для эксплуатации в системах с повышенными значениями напряжений (более 6 кВ) и плотностей тока (до 5х103А/см2);
приборов высокочастотной электроники для эксплуатации в системах с повышенными значениями показателя «мощность-частота» (до 104Вт за 10-11 с);
датчиков основных функциональных величин (температуры, давления, потока) для эксплуатации в условиях высоких температур (более 400°С) , радиации (до 1016 нейтронов/см2), агрессивных сред;
cветоизлучающих низковольтных (2–3 В) ресурсосберегающих светотехнических систем.
Достижение указанных целей позволит обеспечить технологическую независимость и конкурентоспособность России в стратегически и экономически эффективных наукоемких областях при создании техники нового поколения с ранее недостижимыми энергетическими, частотными, массогабаритными параметрами, режимами и условиями эксплуатации.
Литература
1. 7 шагов к созданию бизнеса: Руководство заявителя. Государственная корпорация «Роснано». – М., 2008, с. 15.
2. Верма А.А. и Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. – М.: Мир, 1969, с. 273.
3. Кальнин А.А., Лучинин В.В., Нойберт Ф., Таиров Ю.М. Закономерность эволюции кристаллической структуры при синтезе веществ, обладающих множеством структурно-устойчивых состояний. – Журнал технической физики, 1984, т. 54, вып.7, с. 1388–1390.
4. Лучинин В.В., Таиров Ю.М. Гетероэпитаксиальная композиция: редкий политип карбида кремния 2Н на изолирующей подложке: нитрид алюминия-сапфир. – Письма в ЖТФ, 1984, т.10, вып. 14, с. 873.
5. Lely J.A. Darstellung von Einkristallen von Siliciumcarbid und Beherrschung von Art und menge der Eingebauten Verunreinigungen. – Ber. Dt. Keram. Ges. (1955), vol. 32, р. 229.
6. Авров Д.Д., БулатовА.В., Дорожкин С.М., Лебедев А.О., Таиров Ю.М. Рост слитков карбида кремния политипа 4Н на затравках с плоскостью (10-10). – ФТП, 2008, т. 42, вып. 12, с. 1483–1487.
7. Tairov Yu.M. and Tsvetkov V.F. Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals. – J. Crystal Growth., 1978, vol. 43, р. 209.
В 2008 году объем продаж изделий из монокристаллического карбида кремния (SiC) составил ~2 млрд. долл. и за последний год вырос на 38%. В мире существует не более 10 компаний, которые занимаются разработкой технологии производства этого материала, причем около 90% от общего объема его производства приходится на США. Признанным лидером, а фактически монополистом (90% рынка США) в области производства монокристаллического SiC является Сrее Inc. Только эта фирма, фактически используя в качестве технологического базиса «метод ЛЭТИ», занимается коммерческой продажей монокристаллического SiC и изделий из него.
На поставки карбидокремниевых подложек, эпитаксиальных структур и электронной компонентной базы на основе SiC существуют определенные и достаточно жесткие ограничения со стороны производителя, что вызывает значительный интерес к выходу на независимых поставщиков данного вида продукции со стороны крупнейших зарубежных производителей электроники.
Актуальность для России промышленной реализации отечественной разработки в этой сфере определяется отсутствием в стране устойчивого производства подложек и эпитаксиальных структур карбида кремния и ЭКБ на их основе, что значительно снижает экспортный потенциал страны в наукоемких областях.
Карбид кремния – наноструктурно-зависимое семейство материалов
Карбид кремния по терминологии, принятой в первом разделе рубрикатора (Н) госкорпорации «Роснано», может быть отнесен к наноматериалам, «макроскопические свойства которых определяются размерами и/или взаимным расположением элементов» [1]. Это слоистый материал, свойства которого зависят от порядка чередования наноразмерых элементов (слоев). Фактически SiC имеет кристаллическую слоистую сверхструктуру, построенную из элементарных слоев трех типов: A, B и С (рис.1), отличающихся друг от друга кристаллической упаковкой в пределах одного слоя. Период повторения их последовательности может варьироваться от десятков ангстрем до десятка нанометров, что обеспечивает формирование слоистых сверхрешеток, макроскопические свойства которых зависят от взаимного расположения таких слоев.
В результате при синтезе формируется ряд индивидуальных слоистых структурных модификаций, называемых политипами (3С, 2Н, 4Н, 6Н, 21R) и отличающихся электрофизическими (ширина запрещенной зоны, подвижность носителей заряда), оптическими (коэффициенты поглощения, преломления) и химическими (скорость окисления, диффузии примесей) свойствами (рис.2).
Фактически, в рамках общей химической формулы – SiC – карбид кремния объединяет в себе семейство широкозонных материалов и является наноструктурированным слоистым полупроводником, макроскопические свойства которого зависят от взаимного расположения слоев, т. е. от последовательности их чередования и периода трансляции [2].
Разработанные в России процессы целенаправленного синтеза ряда слоистых композиций на основе кремния и углерода позволяют получать наноупорядоченный карбид кремния с заданными последовательностью чередования и периодом повторения слоев, что обеспечивает создание материала с заранее определенными функциональными свойствами (например, высокой подвижностью носителей заряда у политипа 4Н), пригодного для решения конкретных задач при изготовлении электронной компонентной базы (ЭКБ).
В основе разработанных процессов лежит критерий управления протяженностью слоевой структуры SiC как функции условий синтеза [3], базисом которого является кинетическая зависимость неравновесных процессов упорядочения от скорости поступления вещества на поверхность роста, температуры и методов подготовки поверхности подложки-затравки, основного и примесного состава ростовой среды. Этот критерий позволил определить условия управляемого получения промышленно значимых структурных модификаций SiC и целенаправленно формировать их композиции как слоевые, так и латеральные – в плоскости подложки затравки (рис.3).
На основе карбида кремния возможно также формирование объектов, представляющих собой гетероструктуры в виде сочетания различных модификаций SiC: кубической и гексагональных 3С-2Н, 3С-6Н, а также гетероструктурных нанокомпозиций этого соединения с другими материалами, идеально сочетающимися с ним кристаллохимически и термомеханически: нитридами алюминия и галлия [4].
Следует также отметить, что последние исследования указывают на возможность стимулированного подложкой матричного устойчивого псевдоморфного (наследующего при эпитаксии структуру подложки другого материала) синтеза других структурных модификаций нитридов алюминия и галлия, для которых обычно характерна структура вюрцита (политип 2Н), что значительно расширяет функциональные возможности материалов и их композиций.
Карбид кремния – алмазоподобный широкозонный полупроводник
Среди вышеуказанного семейства широкозонных материалов (рис.4) карбид кремния выделяет высокая температура Дебая, характеризующая его устойчивость к внешним воздействиям. Чрезвычайно ценным качеством является также достаточно высокая теплопроводность SiC, уступающая лишь алмазу, но в несколько раз превосходящая аналогичный параметр для меди.
Такие особенности материалов на основе карбида кремния не могли остаться не замеченными исследователями и разработчиками ЭКБ. В области силовой, в том числе быстродействующей электроники наибольший интерес представляют эпитаксиальные структуры на его основе; в СВЧ-электронике повышенной мощности доминируют композиции GaN/AlN/SiC; в оптоэлектронике особый интерес представляют структуры GaAlN/SiC, обеспечивающие излучение, в том числе в УФ-области спектра. Для микросистемной техники важны твердость и теплопроводность SiC, наличие пъезоэффекта у кристаллохимически совместимого с ним нитрида алюминия.
Во многом конечный успех в создании современной ЭКБ определяется решением проблемы подложки, т.е. SiC-субстрата, к которому могут предъявляться различные требования. Главным среди них остается стоимость.
Целесообразно выделить ряд технических требований, предъявляемых к подложкам SiC и определяющих эффективность создания на их основе широкой номенклатуры ЭКБ:
диаметр - 50,8 … 101,6 мм;
толщина - 350 ± 50 мкм;
структурная политипная однородность - 4Н или 6Н;
удельное сопротивление -10-3 -1012 Ом•см;
тип проводимости - n-(азот) p-(алюминий);
плотность дислокаций - <103 см-2;
плотность микропор - <5 см-2.
Дополнительные требования могут выдвигаться в отношении качества подготовки подложки с учетом реализации последующих процессов эпитаксии SiC или соединений MeIIINV, осуществляемых, как правило, методом CVD, т.е. осаждением из газовой фазы или MBE – молекулярной эпитаксией в глубоком вакууме. Следует отметить, что в настоящее время при выполнении определенной совокупности вышеуказанных требований стоимость одного квадратного дюйма подложки SiC в среднем составляет не менее 100 долл.
Российская технология выращивания монокристаллического SiC – «метод ЛЭТИ»
Выращивание монокристаллов карбида кремния представляет собой достаточно сложную техническую задачу. Главной проблемой при получении кристаллов SiC является отсутствие у него при реально технически достижимых давлениях жидкой фазы, а также высокие температуры синтеза этого алмазоподобного материала.
При выращивании полупроводниковых монокристаллов карбида кремния наиболее распространенным является метод сублимации, т.е. испарение и конденсация синтезируемого материала.
Впервые для получения кристаллического материала метод сублимации был предложен в конце ХIХ века Ачесоном и до сих пор используется лишь с небольшими изменениями. Вместе с тем, кристаллический карбид кремния для производства абразивов, получаемый этим методом, имеет два основных недостатка, препятствующих его использованию в электронике – неконтролируемое структуро- и формообразование кристаллов и их сильное загрязнение.
Новой точкой отсчета в развитии технологии получения монокристаллов полупроводникового SiC методом сублимации явилась работа голландского физика Лели [5]. Кристаллы, выращиваемые по его методу, позволили провести исследования основных фундаментальных свойств карбида кремния и изготовить первые полупроводниковые приборы на этом материале. Вместе с тем, оба представленных метода принципиально не позволяли выращивать кристаллы SiC большого размера, пригодные для серийного производства электронных приборов.
Комплексные исследования массопереноса, термодинамики процессов в газовой фазе, кинетики кристаллизации и структурообразования политипов при выращивании карбида кремния [3, 4, 6], обеспечили более глубокое понимание особенностей сублимационного роста SiC и позволили сформировать основу для нового подхода к синтезу монокристаллических слитков данного бинарного соединения.
Впервые результаты по выращиванию объемных монокристаллов-слитков SiС были представлены сотрудниками Ленинградского электротехнического института (ЛЭТИ) Ю.М. Таировым и В.Ф. Цветковым на Первой европейской конференции по выращиванию кристаллов из газовой фазы (Цюрих, Швейцария, 1976 г.), а первая полномасштабная публикация по выращиванию кристаллов SiC, получившему название «метод ЛЭТИ», появилась в 1978 году [7].
В основу метода были положены: классическая схема конденсации пересыщенного пара на монокристалл-затравку (управление процессом зародышеобразования), ограничение на начальном этапе скорости кристаллизации за счет реализации данной стадии в атмосфере инертного газа (подавление спонтанного зарождения и образования поликристалла) и откачка инертного газа из камеры вплоть до достаточно высокого вакуума (обеспечение постепенного увеличения скорости роста до нескольких миллиметров в час). В качестве затравок использовались монокристаллы гексоганальной формы, размером не более 20х20 мм2, полученные методом Лели, а в качестве источника материала – поликристаллический карбид кремния, синтезируемый из кремния и углерода полупроводниковой чистоты.
Понимание основных закономерностей сублимационного роста кристаллов позволило разработать конструкцию и методику выращивания объемных монокристаллов SiC больших размеров.
Эволюция методов получения кристаллов карбида кремния проиллюстрирована на рис.5.
В настоящее время в СПбГЭТУ «ЛЭТИ» коммерчески доступны монокристаллы SiC диаметром 75 мм (рис.6). Такие размеры позволяют применять базовые процессы планарной технологии и создавать на основе кристаллов-подложек SiC различные типы приборов силовой и высокочастотной электроники, оптоэлектроники и микросистемной техники.
В разработке находится метод изготовления слитков карбида кремния диаметром 100 мм (рис.7).
В целом следует отметить, что освоение промышленного производства широкозонного алмазоподобного материала с наноразмерно-зависимыми функциональными свойствами и как следствие карбидокремниевых подложек и эпитаксиальных структур, а также разработка конструктивно-технологических решений для реализации ЭКБ силовой и СВЧ-электроники, оптоэлектроники и микросистемной техники на основе композиций GaN, AIN, SiC позволит перейти к серийному отечественному производству технически востребованных и коммерчески эффективных электронных изделий нового поколения, в том числе:
приборов силовой электроники для эксплуатации в системах с повышенными значениями напряжений (более 6 кВ) и плотностей тока (до 5х103А/см2);
приборов высокочастотной электроники для эксплуатации в системах с повышенными значениями показателя «мощность-частота» (до 104Вт за 10-11 с);
датчиков основных функциональных величин (температуры, давления, потока) для эксплуатации в условиях высоких температур (более 400°С) , радиации (до 1016 нейтронов/см2), агрессивных сред;
cветоизлучающих низковольтных (2–3 В) ресурсосберегающих светотехнических систем.
Достижение указанных целей позволит обеспечить технологическую независимость и конкурентоспособность России в стратегически и экономически эффективных наукоемких областях при создании техники нового поколения с ранее недостижимыми энергетическими, частотными, массогабаритными параметрами, режимами и условиями эксплуатации.
Литература
1. 7 шагов к созданию бизнеса: Руководство заявителя. Государственная корпорация «Роснано». – М., 2008, с. 15.
2. Верма А.А. и Кришна П. Полиморфизм и политипизм в кристаллах. – М.: Мир, 1969, с. 273.
3. Кальнин А.А., Лучинин В.В., Нойберт Ф., Таиров Ю.М. Закономерность эволюции кристаллической структуры при синтезе веществ, обладающих множеством структурно-устойчивых состояний. – Журнал технической физики, 1984, т. 54, вып.7, с. 1388–1390.
4. Лучинин В.В., Таиров Ю.М. Гетероэпитаксиальная композиция: редкий политип карбида кремния 2Н на изолирующей подложке: нитрид алюминия-сапфир. – Письма в ЖТФ, 1984, т.10, вып. 14, с. 873.
5. Lely J.A. Darstellung von Einkristallen von Siliciumcarbid und Beherrschung von Art und menge der Eingebauten Verunreinigungen. – Ber. Dt. Keram. Ges. (1955), vol. 32, р. 229.
6. Авров Д.Д., БулатовА.В., Дорожкин С.М., Лебедев А.О., Таиров Ю.М. Рост слитков карбида кремния политипа 4Н на затравках с плоскостью (10-10). – ФТП, 2008, т. 42, вып. 12, с. 1483–1487.
7. Tairov Yu.M. and Tsvetkov V.F. Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystals. – J. Crystal Growth., 1978, vol. 43, р. 209.
Отзывы читателей
