Для обеспечения технологической независимости и конкурентоспособности государства в области материалов для компонентной базы электроники нового поколения с ранее недостижимыми режимами и условиями эксплуатации разработана основанная на приоритетных отечественных исследованиях технология выращивания объемных слитков широкозонного алмазоподобного полупроводникового карбида кремния с управляемой нанослоевой структурой и зависящими от нее физическими и химическими свойствами.

sitemap

Разработка: студия Green Art