eng
Выпуск #4/2009
В.Гавриленко, Ю.Новиков, А.Раков, П.Тодуа.
Реализация наношкалы в России
Реализация наношкалы в России
Просмотры: 2409
Развитие нанотехнологии требует решения проблемы обеспечения единства линейных измерений в нанометровом диапазоне. Для этого необходимо решить проблему создания системы линейных измерений в этом диапазоне с абсолютной привязкой к Первичному эталону единицы длины – метру.
Концепция метрологии линейных измерений в нанодиапазоне
Реализация наношкалы основана на концепции метрологии линейных измерений нанометрового диапазона, которая обеспечивает в России единство этих измерений. Концепция включает:
материальный носитель Первичного эталона единицы длины – метра,
измерители наноперемещений на основе лазерных интерферометров-фазометров,
трехмерный измеритель наноперемещений на основе атомно-силового микроскопа (АСМ), перемещение по трем координатам которого контролируется лазерными измерителями наноперемещений,
трехмерные меры малой длины – материальные носители нанометрового размера по трем координатам, аттестуемые на трехмерном измерителе наноперемещений,
методики калибровки имеющихся у потребителя для работы в нанодиапазоне растровых электронных микроскопов (РЭМ) и АСМ,
алгоритмы измерений размеров рельефных наноструктур на РЭМ и АСМ и соответствующее им математическое и программное обеспечение,
российские национальные стандарты на меры малой длины и методики поверки и калибровки РЭМ и АСМ.
Схема передачи размера единицы длины в нанодиапазон представлена на рис.1 и демонстрирует связи отдельных элементов концепции друг с другом.
Нанометрология линейных измерений
Первичный эталон единицы длины – метр
В основе этой схемы лежит Первичный эталон единицы длины – метр. Материальным носителем такого эталона является длина волны излучения He-Ne/I2-лазера, стабилизированного по линии насыщенного поглощения в молекулярном йоде. Параметры его излучения составляют:
ν = 473612214705 кГц, λ = 632,99139822 нм.
Первичный эталон метра, реализующий этот физический принцип, обеспечивает воспроизведение единицы длины – метра с абсолютной погрешностью 0,02 нм.
Трехмерный интерферометрический измеритель наноперемещений
Трехмерный интерферометрический измеритель наноперемещений [1], схема которого показана на рис.2, создан на основе АСМ оригинальной конструкции и трех лазерных интерферометрических измерителей наноперемещений [2]. Он предназначен для измерения линейных перемещений по трем координатам и аттестации линейных мер и тест-объектов, используемых для калибровки измерительных систем потребителей. Диапазон области перемещений по X и Y – 1–3000 нм, по Z – 1–1000 нм. Точность измерений перемещений по X и Y – 0,5 нм,
по Z – 0,5–3 нм. Диапазон смещений области перемещений – 0–10 мм.
Непосредственное измерение наноперемещений по X, Y и Z координатам в трехмерном измерителе осуществляется тремя лазерными интерферометрическими измерителями наноперемещений [2].
Лазерный интерферометрический измеритель наноперемещений
Лазерный интерферометрический измеритель наноперемещений (ЛИИН) [2] предназначен для измерений линейных перемещений в реальном масштабе времени, в том числе, для калибровки систем сканирования и позиционирования в микро- и нанотехнологии, точном машиностроении, микромеханике, робототехнике, растровой электронной и сканирующей зондовой микроскопии. Диапазон измерений перемещений – 1 нм–10 мм, дискретность отсчета – 0,1 нм. Абсолютная погрешность измерений лежит в диапазоне 0,5–3 нм при максимальном значении измеряемой скорости перемещения 3 мм/с.
В конструкции ЛИИН заложена комбинация методов интерферометрии и фазометрии. С целью обеспечения максимальной чувствительности и быстродействия в конструкции изделия реализована схема измерений на основе двухчастотного лазерного гетеродинного интерферометра с переносом частоты измерительного сигнала в радиодиапазон. Оптическая схема измерений реализована на основе двухлучевой интерференции с использованием модифицированного интерферометра Майкельсона. В качестве материального носителя единицы длины используется He-Ne-лазер российского производства типа "ЛГН-304". На рис.3 приведена фотография оптического блока ЛИИН. (Более подробная информация о конструкции и параметрах ЛИИН приведена в [2].)
Эталон сравнения – линейная мера
В качестве линейной меры в России используется тест-объект МШПС-2.0К [3], представляющий собой шаговые структуры на поверхности кремния, плоскость которой совпадает с кристаллографической плоскостью (100). Элементы шаговых структур (выступы и канавки) имеют трапециевидный профиль с большими углами наклона боковых стенок. Тест-объекты могут иметь разные размеры элементов (ширины и высоты выступов), но один номинальный размер шага 2000 нм. Высота выступов может быть обеспечена в диапазоне 100–1200 нм, а их ширина (размер верхнего основания выступа) – в диапазоне 5–700 нм. Вид тест-объекта в РЭМ при разных увеличениях приведен на рис.4.
Рельеф структуры получают в процессе анизотропного жидкостного травления пластины Si(100) через литографическую маску. В результате травления профиль каждой канавки имеет форму трапеции. Боковые стороны канавок совпадают с кристаллографическими плоскостями {111}, а дно канавок и верх выступов – с кристаллографическими плоскостями {100} (рис.5). Угол наклона боковой стороны относительно нормали к нижнему основанию равен углу между кристаллографическими плоскостями (100) и (111) и составляет ϕ = arcctg√2 ≈ 35,26°. Глубина рельефа определяется временем травления.
На рис.6 приведены микрофотографии сколов структур тест-объектов МШПС-2.0К с разными шириной и высотой выступов, демонстрирующие форму профиля элементов тест-объекта, а на рис.7 – изображения отдельных элементов тест-объектов в АСМ. (Более подробно с тест объектом МШПС-2.0К можно ознакомиться в [3]).
Аттестация тест-объекта осуществляется на трехмерном интерферометрическом измерителе наноперемещений с помощью метода прямых измерений на АСМ.
Метод прямых измерений на АСМ
Передача размера от трехмерного интерферометрического измерителя наноперемещений к эталону сравнения и от него к находящемуся в распоряжении потребителя АСМ осуществляется с помощью метода прямых измерений.
При условии малости радиуса r острия кантилевера по сравнению с величинами параметров выступа (рис.8а) [4]
bp >> 2r, up >> 2r, sL,R >> 2r (1)
форма сигнала АСМ близка к трапеции.
На рис.8 приведены схемы выступа с трапециевидным профилем (рис.8а) и сигнала (рис.8б) с обозначением параметров выступа и сигнала. Некоторые параметры выступа (см. рис.8а) для структуры с большими углами наклона боковых стенок связаны с параметрами сигнала (см. рис.8б) с помощью выражений
t = mxT, h = mzH, sL = mxSL, sR = mxSR, (2)
где mx – цена деления шкалы оси X, а mz – цена деления шкалы оси Z.
Однако не все параметры АСМ удобно измерять на самом сигнале V(X). Размер верхнего основания выступа лучше измерять на производной сигнала dV/dX. На рис.9а приведена схема формирования сигнала острием кантилевера. Положения острия 1–6 характеризуют границы прямых линий, из которых состоит сигнал. На рис.9б показана связь положений этих границ с особенностями первой производной сигнала АСМ. Из этой связи можно получить
L34 = up/m, L23 = L45 = r cosϕ/mx, (3)
где Lij – расстояние между проекциями точек i и j на сигнале и его первой производной (рис.9б) на направление сканирования.
Таким образом, на АСМ можно определить прямым методом параметры структуры: шаг t, размеры sL и sR проекций боковых наклонных стенок и размер up верхнего основания трапециевидного выступа, а также эффективный радиус r острия кантилевера.
Метод прямых измерений на РЭМ
Передача размера от эталона сравнения к находящемуся у потребителя РЭМ осуществляется с помощью метода прямых измерений [5].
Рис.10 поясняет формирование сигнала РЭМ при сканировании электронным зондом шаговой структуры с большими углами наклона боковых стенок. На рис.10а приведена схема сигнала, получаемого при сканировании шаговой структуры на высоковольтном РЭМ, а на рис.10б – схема самой структуры с большими углами наклона боковых стенок и параметры сигнала (см. рис.10а) и структуры (см. рис.10б). При выполнении условий
sL,R = h tgϕ >> d, bp,t >> d, up,t >> d (4)
параметры сигнала (см. рис.10а), шаговой структуры (см. рис.10б) и РЭМ (размер пикселя m и эффективный диаметр зонда d [6]) связаны друг с другом выражениями [5]:
t = mT, d = mD, sL = mSL, sR = mSR, (5)
uP = mUP, bP = mBP, ut = mUt, bt = mBt. (6)
Поэтому, используя любой параметр тест-объекта (выражения (5) и (6)), можно калибровать РЭМ (определять размер пикселя и эффективный диаметр электронного зонда [6]).
Реализация наношкалы у потребителя
В практике измерения в нанометровой области проводятся с помощью имеющихся у потребителя РЭМ и АСМ. Для обеспечения единства измерений необходимо проводить калибровку этих сложных измерительных устройств с помощью эталонов сравнения – линейных мер, выполненных в виде рельефных шаговых структур с заданными шириной, высотой (глубиной) и формой профиля. В России в качестве таких мер используются тест-объекты с трапециевидным профилем и большими углами наклона боковых стенок (МШПС-2.0К или аналогичные), а сама калибровка микроскопов осуществляется с помощью методов прямых измерений на АСМ [4] или РЭМ [5]. Такая калибровка позволяет проводить измерения линейных размеров элементов наноструктур в диапазоне
L = 10 нм–100 мкм с погрешностью ∆L = 1–100 нм.
Российские национальные стандарты
Для нормативного обеспечения нанометрологии в России разработаны семь национальных стандартов, регламентирующих создание и применение эталонов сравнения – линейных мер для калибровки РЭМ и АСМ:
ГОСТ Р 8.628-2007. Меры рельефные нанометрового диапазона из монокристаллического кремния. Требования к геометрическим формам, линейным размерам и выбору материала для изготовления.
ГОСТ Р 8.629-2007. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика поверки.
ГОСТ Р 8.630-2007. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые измерительные. Методика поверки.
ГОСТ Р 8.631-2007. Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика поверки.
ГОСТ Р 8.635-2007. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые. Методика калибровки.
ГОСТ Р 8.636-2007. Микроскопы электронные растровые. Методика калибровки.
ГОСТ Р 8.644-2008. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика калибровки.
Стандарты введены в действие в 2008–2009 гг.
Созданная в России система линейных измерений в нанодиапазоне реализована в организациях Агентства по техническому регулированию и метрологии России, Центрах коллективного пользования уникальным оборудованием, Научно-образовательных центрах подготовки кадров для нанотехнологии и Сертификационных центрах продукции наноиндустрии.
ЛИТЕРАТУРА
1. Kalendin V.V., Chernyakov V.N., Todua P.A., Zhelkovaev Zh. Etalon interferometric comparator for 3D measurements of surface topography, based on the scanning tunnel and atomic force microscopes. – Proc. of the 9-th International Precision Engineering Seminar. Germany, 1997,
р. 138–139.
2. Дарзнек С.А., Желкобаев Ж., Календин В.В., Новиков Ю.А. Лазерный интерферометрический измеритель наноперемещений. – Труды ИОФАН, 2006, т. 62,
с. 14–35.
3. Волк Ч.П., Горнев Е.С., Новиков Ю.А., Озерин Ю.В., Плотников Ю.И., Прохоров А.М., Раков А.В. Линейная мера микронного, субмикронного и нанометрового диапазонов для измерений размеров элементов СБИС на растровых электронных и атомно-силовых микроскопах. – Микроэлектроника, 2002, т. 31, № 4, с. 243–262.
4. Novikov Yu.A., Filippov M.N., Lysov I.D., Rakov A.V., Sharonov V.A., Todua P.A. Direct measurement of the linewidth of relief element on AFM in nanometer range. – Proc. of SPIE, 2008, v. 7025, р. 702510-1 – 702510-10.
5. Novikov Yu.A., Gavrilenko V.P., Rakov A.V., Todua P.A. Test objects with right-angled and trapezoidal profiles of the relief elements. – Proc. of SPIE, 2008, v. 7042, р. 704208-1 – 704208-12.
6. Волк Ч.П., Горнев Е.С., Новиков Ю.А., Плотников Ю.И., Раков А.В., Тодуа П.А. Проблемы измерения геометрических характеристик электронного зонда растрового электронного микроскопа. – Труды ИОФАН, 2006, т. 62, с. 77–120.
Реализация наношкалы основана на концепции метрологии линейных измерений нанометрового диапазона, которая обеспечивает в России единство этих измерений. Концепция включает:
материальный носитель Первичного эталона единицы длины – метра,
измерители наноперемещений на основе лазерных интерферометров-фазометров,
трехмерный измеритель наноперемещений на основе атомно-силового микроскопа (АСМ), перемещение по трем координатам которого контролируется лазерными измерителями наноперемещений,
трехмерные меры малой длины – материальные носители нанометрового размера по трем координатам, аттестуемые на трехмерном измерителе наноперемещений,
методики калибровки имеющихся у потребителя для работы в нанодиапазоне растровых электронных микроскопов (РЭМ) и АСМ,
алгоритмы измерений размеров рельефных наноструктур на РЭМ и АСМ и соответствующее им математическое и программное обеспечение,
российские национальные стандарты на меры малой длины и методики поверки и калибровки РЭМ и АСМ.
Схема передачи размера единицы длины в нанодиапазон представлена на рис.1 и демонстрирует связи отдельных элементов концепции друг с другом.
Нанометрология линейных измерений
Первичный эталон единицы длины – метр
В основе этой схемы лежит Первичный эталон единицы длины – метр. Материальным носителем такого эталона является длина волны излучения He-Ne/I2-лазера, стабилизированного по линии насыщенного поглощения в молекулярном йоде. Параметры его излучения составляют:
ν = 473612214705 кГц, λ = 632,99139822 нм.
Первичный эталон метра, реализующий этот физический принцип, обеспечивает воспроизведение единицы длины – метра с абсолютной погрешностью 0,02 нм.
Трехмерный интерферометрический измеритель наноперемещений
Трехмерный интерферометрический измеритель наноперемещений [1], схема которого показана на рис.2, создан на основе АСМ оригинальной конструкции и трех лазерных интерферометрических измерителей наноперемещений [2]. Он предназначен для измерения линейных перемещений по трем координатам и аттестации линейных мер и тест-объектов, используемых для калибровки измерительных систем потребителей. Диапазон области перемещений по X и Y – 1–3000 нм, по Z – 1–1000 нм. Точность измерений перемещений по X и Y – 0,5 нм,
по Z – 0,5–3 нм. Диапазон смещений области перемещений – 0–10 мм.
Непосредственное измерение наноперемещений по X, Y и Z координатам в трехмерном измерителе осуществляется тремя лазерными интерферометрическими измерителями наноперемещений [2].
Лазерный интерферометрический измеритель наноперемещений
Лазерный интерферометрический измеритель наноперемещений (ЛИИН) [2] предназначен для измерений линейных перемещений в реальном масштабе времени, в том числе, для калибровки систем сканирования и позиционирования в микро- и нанотехнологии, точном машиностроении, микромеханике, робототехнике, растровой электронной и сканирующей зондовой микроскопии. Диапазон измерений перемещений – 1 нм–10 мм, дискретность отсчета – 0,1 нм. Абсолютная погрешность измерений лежит в диапазоне 0,5–3 нм при максимальном значении измеряемой скорости перемещения 3 мм/с.
В конструкции ЛИИН заложена комбинация методов интерферометрии и фазометрии. С целью обеспечения максимальной чувствительности и быстродействия в конструкции изделия реализована схема измерений на основе двухчастотного лазерного гетеродинного интерферометра с переносом частоты измерительного сигнала в радиодиапазон. Оптическая схема измерений реализована на основе двухлучевой интерференции с использованием модифицированного интерферометра Майкельсона. В качестве материального носителя единицы длины используется He-Ne-лазер российского производства типа "ЛГН-304". На рис.3 приведена фотография оптического блока ЛИИН. (Более подробная информация о конструкции и параметрах ЛИИН приведена в [2].)
Эталон сравнения – линейная мера
В качестве линейной меры в России используется тест-объект МШПС-2.0К [3], представляющий собой шаговые структуры на поверхности кремния, плоскость которой совпадает с кристаллографической плоскостью (100). Элементы шаговых структур (выступы и канавки) имеют трапециевидный профиль с большими углами наклона боковых стенок. Тест-объекты могут иметь разные размеры элементов (ширины и высоты выступов), но один номинальный размер шага 2000 нм. Высота выступов может быть обеспечена в диапазоне 100–1200 нм, а их ширина (размер верхнего основания выступа) – в диапазоне 5–700 нм. Вид тест-объекта в РЭМ при разных увеличениях приведен на рис.4.
Рельеф структуры получают в процессе анизотропного жидкостного травления пластины Si(100) через литографическую маску. В результате травления профиль каждой канавки имеет форму трапеции. Боковые стороны канавок совпадают с кристаллографическими плоскостями {111}, а дно канавок и верх выступов – с кристаллографическими плоскостями {100} (рис.5). Угол наклона боковой стороны относительно нормали к нижнему основанию равен углу между кристаллографическими плоскостями (100) и (111) и составляет ϕ = arcctg√2 ≈ 35,26°. Глубина рельефа определяется временем травления.
На рис.6 приведены микрофотографии сколов структур тест-объектов МШПС-2.0К с разными шириной и высотой выступов, демонстрирующие форму профиля элементов тест-объекта, а на рис.7 – изображения отдельных элементов тест-объектов в АСМ. (Более подробно с тест объектом МШПС-2.0К можно ознакомиться в [3]).
Аттестация тест-объекта осуществляется на трехмерном интерферометрическом измерителе наноперемещений с помощью метода прямых измерений на АСМ.
Метод прямых измерений на АСМ
Передача размера от трехмерного интерферометрического измерителя наноперемещений к эталону сравнения и от него к находящемуся в распоряжении потребителя АСМ осуществляется с помощью метода прямых измерений.
При условии малости радиуса r острия кантилевера по сравнению с величинами параметров выступа (рис.8а) [4]
bp >> 2r, up >> 2r, sL,R >> 2r (1)
форма сигнала АСМ близка к трапеции.
На рис.8 приведены схемы выступа с трапециевидным профилем (рис.8а) и сигнала (рис.8б) с обозначением параметров выступа и сигнала. Некоторые параметры выступа (см. рис.8а) для структуры с большими углами наклона боковых стенок связаны с параметрами сигнала (см. рис.8б) с помощью выражений
t = mxT, h = mzH, sL = mxSL, sR = mxSR, (2)
где mx – цена деления шкалы оси X, а mz – цена деления шкалы оси Z.
Однако не все параметры АСМ удобно измерять на самом сигнале V(X). Размер верхнего основания выступа лучше измерять на производной сигнала dV/dX. На рис.9а приведена схема формирования сигнала острием кантилевера. Положения острия 1–6 характеризуют границы прямых линий, из которых состоит сигнал. На рис.9б показана связь положений этих границ с особенностями первой производной сигнала АСМ. Из этой связи можно получить
L34 = up/m, L23 = L45 = r cosϕ/mx, (3)
где Lij – расстояние между проекциями точек i и j на сигнале и его первой производной (рис.9б) на направление сканирования.
Таким образом, на АСМ можно определить прямым методом параметры структуры: шаг t, размеры sL и sR проекций боковых наклонных стенок и размер up верхнего основания трапециевидного выступа, а также эффективный радиус r острия кантилевера.
Метод прямых измерений на РЭМ
Передача размера от эталона сравнения к находящемуся у потребителя РЭМ осуществляется с помощью метода прямых измерений [5].
Рис.10 поясняет формирование сигнала РЭМ при сканировании электронным зондом шаговой структуры с большими углами наклона боковых стенок. На рис.10а приведена схема сигнала, получаемого при сканировании шаговой структуры на высоковольтном РЭМ, а на рис.10б – схема самой структуры с большими углами наклона боковых стенок и параметры сигнала (см. рис.10а) и структуры (см. рис.10б). При выполнении условий
sL,R = h tgϕ >> d, bp,t >> d, up,t >> d (4)
параметры сигнала (см. рис.10а), шаговой структуры (см. рис.10б) и РЭМ (размер пикселя m и эффективный диаметр зонда d [6]) связаны друг с другом выражениями [5]:
t = mT, d = mD, sL = mSL, sR = mSR, (5)
uP = mUP, bP = mBP, ut = mUt, bt = mBt. (6)
Поэтому, используя любой параметр тест-объекта (выражения (5) и (6)), можно калибровать РЭМ (определять размер пикселя и эффективный диаметр электронного зонда [6]).
Реализация наношкалы у потребителя
В практике измерения в нанометровой области проводятся с помощью имеющихся у потребителя РЭМ и АСМ. Для обеспечения единства измерений необходимо проводить калибровку этих сложных измерительных устройств с помощью эталонов сравнения – линейных мер, выполненных в виде рельефных шаговых структур с заданными шириной, высотой (глубиной) и формой профиля. В России в качестве таких мер используются тест-объекты с трапециевидным профилем и большими углами наклона боковых стенок (МШПС-2.0К или аналогичные), а сама калибровка микроскопов осуществляется с помощью методов прямых измерений на АСМ [4] или РЭМ [5]. Такая калибровка позволяет проводить измерения линейных размеров элементов наноструктур в диапазоне
L = 10 нм–100 мкм с погрешностью ∆L = 1–100 нм.
Российские национальные стандарты
Для нормативного обеспечения нанометрологии в России разработаны семь национальных стандартов, регламентирующих создание и применение эталонов сравнения – линейных мер для калибровки РЭМ и АСМ:
ГОСТ Р 8.628-2007. Меры рельефные нанометрового диапазона из монокристаллического кремния. Требования к геометрическим формам, линейным размерам и выбору материала для изготовления.
ГОСТ Р 8.629-2007. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика поверки.
ГОСТ Р 8.630-2007. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые измерительные. Методика поверки.
ГОСТ Р 8.631-2007. Микроскопы электронные растровые измерительные. Методика поверки.
ГОСТ Р 8.635-2007. Микроскопы сканирующие зондовые атомно-силовые. Методика калибровки.
ГОСТ Р 8.636-2007. Микроскопы электронные растровые. Методика калибровки.
ГОСТ Р 8.644-2008. Меры рельефные нанометрового диапазона с трапецеидальным профилем элементов. Методика калибровки.
Стандарты введены в действие в 2008–2009 гг.
Созданная в России система линейных измерений в нанодиапазоне реализована в организациях Агентства по техническому регулированию и метрологии России, Центрах коллективного пользования уникальным оборудованием, Научно-образовательных центрах подготовки кадров для нанотехнологии и Сертификационных центрах продукции наноиндустрии.
ЛИТЕРАТУРА
1. Kalendin V.V., Chernyakov V.N., Todua P.A., Zhelkovaev Zh. Etalon interferometric comparator for 3D measurements of surface topography, based on the scanning tunnel and atomic force microscopes. – Proc. of the 9-th International Precision Engineering Seminar. Germany, 1997,
р. 138–139.
2. Дарзнек С.А., Желкобаев Ж., Календин В.В., Новиков Ю.А. Лазерный интерферометрический измеритель наноперемещений. – Труды ИОФАН, 2006, т. 62,
с. 14–35.
3. Волк Ч.П., Горнев Е.С., Новиков Ю.А., Озерин Ю.В., Плотников Ю.И., Прохоров А.М., Раков А.В. Линейная мера микронного, субмикронного и нанометрового диапазонов для измерений размеров элементов СБИС на растровых электронных и атомно-силовых микроскопах. – Микроэлектроника, 2002, т. 31, № 4, с. 243–262.
4. Novikov Yu.A., Filippov M.N., Lysov I.D., Rakov A.V., Sharonov V.A., Todua P.A. Direct measurement of the linewidth of relief element on AFM in nanometer range. – Proc. of SPIE, 2008, v. 7025, р. 702510-1 – 702510-10.
5. Novikov Yu.A., Gavrilenko V.P., Rakov A.V., Todua P.A. Test objects with right-angled and trapezoidal profiles of the relief elements. – Proc. of SPIE, 2008, v. 7042, р. 704208-1 – 704208-12.
6. Волк Ч.П., Горнев Е.С., Новиков Ю.А., Плотников Ю.И., Раков А.В., Тодуа П.А. Проблемы измерения геометрических характеристик электронного зонда растрового электронного микроскопа. – Труды ИОФАН, 2006, т. 62, с. 77–120.
Отзывы читателей
