Анализ современного состояния и основных направлений развития технологии создания миллиметровых СВЧ-приборов на широкозонных гетероструктурах (Al,Ga,In)N/GaN показывает, что достигнутый в ИСВЧПЭ РАН технологический уровень находится в хорошем соответствии с общемировыми тенденциями и достижениями. Это создает предпосылки для создания и освоения российского промышленного производства комплектов монолитных интегральных схем для приемопередающих систем Ка-, V- и W-диапазонов частот, превосходящих по своим параметрам СВЧ-приборы на арсенидных гетероструктурах.

sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)
Книги по нанотехнологиям
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Выпуск #3/2014
П.Мальцев, Ю.Федоров, Р.Галиев, С.Михайлович, Д.Гнатюк
Нитридные приборы миллиметрового диапазона
Просмотры: 6227
Анализ современного состояния и основных направлений развития технологии создания миллиметровых СВЧ-приборов на широкозонных гетероструктурах (Al,Ga,In)N/GaN показывает, что достигнутый в ИСВЧПЭ РАН технологический уровень находится в хорошем соответствии с общемировыми тенденциями и достижениями. Это создает предпосылки для создания и освоения российского промышленного производства комплектов монолитных интегральных схем для приемопередающих систем Ка-, V- и W-диапазонов частот, превосходящих по своим параметрам СВЧ-приборы на арсенидных гетероструктурах.
Создание радиационностойкой элементной базы для обеспечения работоспособности твердотельных электронных систем в экстремальных условиях околоземного пространства, зоны воздействия ионизирующих излучений или при поражающем действии ядерного взрыва, то есть в специальной аппаратуре для военных и гражданских применений, является чрезвычайно актуальной задачей. Если потенциал развития приборов на основе арсенидных гетероструктур уже практически полностью исчерпан, то возможности HEMT (High Electron Mobility Transistor – транзисторы с высокой подвижностью электронов) на основе широкозонных гетероструктур AlGaN/GaN убедительно продемонстрированы в последние годы при создании усилителей мощности (УМ) L-, S-, C- и X-диапазонов [1].

Повышение выходной мощности УМ в низкочастотных L- и S-диапазонах в основном связано с увеличением пробивных напряжений (Uпр) затворов транзисторов при введении одного или нескольких дополнительных "field-plated" электродов, которые расположены в пространстве между затвором и стоком транзисторов через слои изолятора и способствуют уменьшению пиковых напряженностей поля между затвором и стоком [2, 3]. Так, еще в 2006 году при использовании НЕМТ на подложках SiC с одним "field-plated" электродом была получена насыщенная выходная мощность гибридного УМ до 371 Вт на частоте 2,14 ГГц в непрерывном режиме с КПД 24% при пробивных напряжениях затворов около 200 В [4]. Дальнейшее развитие УМ в данных диапазонах в части повышения их эффективности и снижения стоимости было связано с использованием ключевых режимов работы транзисторов, для чего потребовалось дальнейшее повышение импульсных пробивных напряжений сток-затвор в закрытом состоянии и переход к кремниевым подложкам (уже получены Uпр=1590 В [5] и даже более 2000 В [6] при удалении подложки Si). Достигнутые результаты позволили создать конкурентоспособные ключевые транзисторы на нитридных гетероструктурах для силовой электроники [7], массовый выпуск которых планируется начать в ближайшие годы [8]. Кроме того, уже освоено производство высокоэффективных ключевых УМ диапазона частот до 2,5 ГГц (RFMD [9]) с КПД до 70% при выходной мощности до 25 Вт. К сожалению, данная технология применима только в низкочастотных диапазонах, поскольку "field-plated" электроды многократно увеличивают емкости затворов Cgs и Сgd, что резко снижает частотные параметры транзисторов (в лучшем случае fT=10-20 ГГц, а fMAX=40-50 ГГц [10]). По этой причине, в частности, МИС УМ C- и Х-диапазонов частот имеют более скромные параметры: получены выходные мощности 40 Вт (60% PAE) и 58 Вт (38% PAE), соответственно [11, 12].

В последние годы приборы на нитридных гетероструктурах получили новый мощный импульс для применения в более высокочастотных Кa-, V- и W-диапазонах в связи с развитием сверхширокополосных телекоммуникационных систем нового поколения, высокоточных систем вооружений, систем межспутниковой связи, автомобильных радаров, антитеррористических систем и др. Это стимулировало широкий фронт исследовательских работ по освоению миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов на нитридных приборах во всех технологически развитых странах мира [13, 14].

Развитие технологии нитридных приборов мм-диапазона за рубежом

Общая идеология развития нитридных приборов для мм-диапазона за рубежом показана на рис.1.

Совершенствование нитридных гетероструктур для повышения рабочих частот приборов в основном заключалось в уменьшении толщины верхнего барьерного слоя tB с целью сохранения величины аспектного отношения LG/tB>10÷15 [15] для предотвращения развития короткоканальных эффектов при уменьшении длины затвора LG. Поддержание величины LG/tB на как можно более высоком уровне крайне важно и для сохранения высоких пробивных напряжений, которые, как оказалось [15], определяются не толщиной гетероструктуры, а аспектным соотношением. Осознание данного факта, который был установлен эмпирически на основе обработки экспериментальных результатов многочисленных работ, привело к разработке новых типов более тонких и эффективных широкозонных гетероструктур: от AlGaN/AlN/GaN (tB до 7 нм) к AlN/GaN (tB до 3,5 нм) [16] и InAlN/(AlN)/GaN (tB до 4,7 нм), потенциально обладающих наиболее высокими параметрами двумерного электронного газа [17, 18]. Проблемы создания таких гетероструктур и полученные результаты отражены в многочисленных публикациях, частично упомянутых в обзорах [13, 14]. Важно отметить, что для сохранения высокой концентрации электронов двумерного газа при уменьшении tB пришлось увеличить содержание Al в барьерном слое до следующих величин: 60% в AlGaN/AlN/GaN, 100% в AlN/GaN и 83% в InGaN/(AlN)/GaN.

Высокое содержание Al в барьерном слое первоначально вызвало серьезные проблемы с изготовлением омических контактов [19], для решения которых были предложены обращенные "N-face" гетероструктуры [20], активно развиваемые Калифорнийским университетом. На последних было получено сопротивление вжигаемых омических контактов до 0,1 Ом∙мм [21]. Однако и для обычных "Ga-face" гетероструктур AlGaN/GaN также было найдено решение [22]: частичное вытравливание барьерного слоя AlN в плазме BCl3 для улучшения омического сопротивления вжигаемых контактов до 0,59 Ом∙мм, что характерно для традиционных "толстых" НЕМТ-гетероструктур, содержащих 27-31% Al в барьерном слое. В дальнейшем развитие этой идеи привело к созданию невжигаемых омических контактов для всех типов гетероструктур. Эта технология заключается в полном вытравливании Al-содержащего барьерного слоя до канала GaN для "Ga-face" гетероструктур или верхнего нелегированного GaN до барьера AlGaN для "N-face" гетероструктур, с последующим выращиванием через маску SiO2 сильно легированнного контактного слоя n+GaN с концентрацией кремния (6-8)∙1020 см-3. Затем выполняются "взрывное" удаление SiO2 в растворе HF в ультразвуковой ванне и напыление металла омических контактов составов Cr/Pt/Au [23] или Ti/Pt/Au [24], оказавшихся наиболее стабильными для всех типов гетероструктур при температурах до 400-450°С. Полученные результаты для различных гетероструктур суммированы в презентации университета Notre Dame [25]. Были получены сопротивления невжигаемых омических контактов 0,27 Ом∙мм для "Ga-face" HEMT [25] и до 0,09 Ом∙мм для "N-face" HEMT [26]. Следует подчеркнуть, что разработка технологии невжигаемых омических контактов создала условия для изготовления НЕМТ по самосовмещенной технологии, минимизирующей сопротивление канала транзистора. Так, в работе [27], являющейся квинтэссенцией всех перечисленных выше технологических достижений, получено рекордно малое сопротивление транзистора в открытом состоянии 0,29 Ом∙мм, сопротивление омических контактов 0,025 Ом∙мм, крутизна характеристики Gm=1105 мСм/мм, начальный ток Idss0=2,77 А/мм, частота отсечки тока fT=155 ГГц.

В последние годы совершенствовалась технология пассивации нитридных приборов с целью устранения ловушек на гетерограницах, в частности пассивация "in-situ" в камере роста стала уже промышленной технологией при производстве гетероструктур.

В результате технологического прорыва последних лет зарубежными исследователями достигнуты частотные параметры нитридных HEMT, близкие к рекордным параметрам арсенидных рНЕМТ и мНЕМТ на подложках GaAs и InP. Так, в 2008 году была получена величина fT=190 ГГц [28], затем в 2010 году при длине затвора LG=40 нм получены значения fT=220 ГГц и fMAX=400 ГГц [29], которые были перекрыты значением fT=343 ГГц [30] уже в 2011 году.

Нитридные наногетероструктуры явились основой для разработки и создания высокоэффективных радиационностойких МИС УМ Ка-диапазона, в 10-15 раз превосходящих МИС на основе рНЕМТ GaAs по массогабаритным параметрам (UMS, 2012 год). Разрабатываются также приемо-передающие модули АФАР для радиолокаторов диапазона 94 ГГц (QuinStar Technology совместно с HRL) с выходной мощностью до 5 Вт и удельной выходной мощностью более 2 Вт/мм.

Ведущими зарубежными производителями (Northrop Grumman, Cree, TriQuint, Fujitsu и др.) высокими темпами совершенствуется технология и осваивается выпуск широкой номенклатуры МИС на нитридных гетероструктурах с рабочими частотами до 100 ГГц и выше, причем не только УМ. Например, разработана МИС малошумящего усилителя диапазона 75-82 ГГц с Кш=3,8 дБ на частоте 80 ГГц при Кр>20 дБ [31], что превосходит параметры лучших МИС на GaAs и InP.

Освоение промышленного производства нитридных гетероструктур на кремниевых подложках диаметром до 8" (NITRONEX Corp, США [32]), создало условия для массового производства дешевых МИС, которые могут полностью вытеснить ВЧ- и СВЧ-приборы на традиционных арсенидных гетероструктурах и кремнии.

Разработки нитридных приборов мм-диапазона в ИСВЧПЭ РАН

На основании анализа современного состояния зарубежных разработок в области широкозонных наногетероструктур AlGaN/AlN/GaN в СВЧ- и КВЧ-диапазонах и опыта работ ИСВЧПЭ РАН с гетероструктурами AlGaN/GaN, полученном в ходе выполнения ряда НИР и НИОКР, был сделан вывод о возможности и необходимости переноса акцента исследований на создание технологии проектирования и изготовления широкой номенклатуры радиационностойких МИС для приемопередающих модулей мм-диапазона на базе широкозонных НЕМТ гетероструктур отечественных производителей ("Элма-Малахит", "Светлана-Рост", НИЦ "Курчатовский институт"). Имеющиеся разработки и направления исследований ИСВЧПЭ в целом показаны на рис.2. В данной статье мы не будем рассказывать о них подробно, рассмотрим только основные проблемы, способы их решения и достигнутые результаты.

Совершенствование гетероструктур

В течение 3-4 лет нами было исследовано большое число нитридных гетероструктур AlGaN/GaN с толщинами барьера AlGaN от 28 до 33 нм (1-го типа), а также специально выращенных гетероструктур AlGaN/AlN/GaN с толщинами барьерного слоя от 28 до 7 нм (2-го типа) на подложках из сапфира и SiC (см. таблицу). Результатом исследований стало определение критериев выбора оптимальных параметров гетероструктур для различных частотных диапазонов.

В частности, установлено, что для Ка-диапазона частот оптимальными являются гетероструктуры 2-го типа с tb=15 нм, из которых на сегодняшний день наилучшими параметрами обладает V-1400 ("Элма-Малахит") на подложке SiC, обеспечивающая создание транзисторов с начальным током до 1,1 А/мм при максимальной крутизне до 380 мА/мм и напряжении отсечки -4 В. При этом полевые транзисторы с LG=180 нм (LG/tB=12) имеют fT/fMAX=62/130 ГГц при отсутствии короткоканальных эффектов, что оптимально для УМ Ка-диапазона. В то же время транзисторы с LG=100 нм (LG/tB=8) на этой же гетроструктуре имеют более высокие частоты fT/fMAX=77/161 ГГц, то есть могут быть использованы в более высокочастотных V- и E-диапазонах, но из-за короткоканальных эффектов не являются оптимальными для этих частот.

Потенциально более высокочастотные гетероструктуры с меньшими толщинами tb=13 нм и 11 нм производства "Светлана-Рост" пока имеют значительно меньшие начальные токи транзисторов (500 мА/мм и 300 мА/мм соответственно). Более успешными оказались работы по созданию тонких гетероструктур AlGaN/AlN/GaN (11 нм) и AlN/GaN (3,5 нм) на подложках из сапфира, выполняемые совместно с НИЦ "Курчатовский институт". Впервые в России получены транзисторы с начальными токами более 1 А/мм на гетероструктурах AlN/GaN/сапфир, создающие перспективы освоения W-диапазона частот.

Начаты работы по созданию СВЧ-приборов на базе нитридных гетероструктур на кремниевых подложках ("Элма-Малахит"), что открывает пути к их удешевлению и массовому выпуску.

Технологические достижения и разработки

Главным результатом является создание воспроизводимой технологии разработки и изготовления транзисторов и МИС на нитридных гетероструктурах с заданными параметрами в диапазоне от постоянного тока до 40 ГГц. Ведутся работы по освоению диапазонов частот 56-64 ГГц и 92-96 ГГц, а также повышению выходной мощности УМ в Ка-диапазоне. Это потребовало решения следующих технологических проблем:

•разработки технологии пассивации гетероструктур непосредственно в ростовой камере "in-situ" для устранения "lagg"-эффектов и повышения концентрации двумерного электронного газа;
•совершенствования технологии изготовления омических контактов (в пределе – создание "невжигаемых" контактов), включающей операции плазмохимического вытравливания барьерного слоя AlGaN или AlN c последующим эпитаксиальным доращиванием контактного слоя n+GaN через маску SiO2.
Решение данных задач особенно актуально для тонких гетероструктур с повышенной мольной долей Al в барьерном слое для W-диапазона частот и выше. Работы ведутся совместно с НИЦ "Курчатовский институт". Впервые в России получены сопротивления невжигаемых омических контактов до 0,11 Ом/мм на гетероструктурах, приведенных в таблице, что соответствует лучшим мировым образцам. Данные результаты были представлены на 9-й Всероссийской конференции "Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы" в 2013 году.

Следующий комплекс технологических проблем связан с переходом от копланарной топологии к микрополосковой, предполагающей наличие "заземляющей плоскости", на которую должны быть выведены истоки транзисторов и "земли" элементов МИС через металлизированные отверстия. Следует отметить, что это является ключевым условием для создания квадратурных смесителей и генераторов, управляемых напряжением, для приемо-передающих модулей мм-диапазона на нитридных гетероструктурах, а также повышения выходной мощности МИС УМ. По аналогии с арсенидной технологией, данная задача решалась за рубежом путем "сверления" сквозных отверстий с обратной стороны утоненной подложки (рис.3а), что имеет следующие серьезные недостатки:

•невозможность "сверления" отверстий в подложках из сапфира, низкая скорость плазмо-химического травления подложек из SiC (не более 1 мкм/мин), еще более низкая скорость травления буферного слоя AlGaN/GaN;
•необходимость прецизионного однородного утонения подложек для обеспечения требуемых СВЧ-параметров микрополосков и однородного вытравления отверстий, что отрицательно сказывается на производительности технологических процессов и выходе годных МИС с пластины.
Частично решение данных проблем может быть облегчено при переходе к гетероструктурам на кремниевых подложках, создавая дополнительный стимул к освоению их производства. Однако мы считаем, что более перспективным решением явлется создание "заземляющей плоскости" над лицевой поверхностью пластины с уже изготовленными активными и пассивными СВЧ-элементами с помощью, например, нанесения полиимидного покрытия (рис.3b). Такое решение очень хорошо согласуется с разработанной в НПП "Радуга" технологией поверхностного монтажа кристаллов при сборке СВЧ модулей (рис.3c,d) и позволит облегчить и удешевить промышленное производство малогабаритных многофункциональных СВЧ-модулей для приемопередающих систем мм-диапазона на нитридных гетероструктурах.

Разработка комплектов МИС

Созданная технология являлась основой для разработки комплектов МИС на нитридных гетероструктурах для приемопередающих СВЧ-устройств взамен традиционно используемых МИС на арсенидных гетероструктурах. Состояние работ в ИСВЧПЭ РАН в данной области проиллюстрировано на рис.2, где показаны уже законченные (сплошные линии) или находящиеся в различных стадиях разработки (пунктирные линии) МИС. Подробное описание их параметров выходит за рамки данной статьи. Однако, некоторые выводы могут быть сделаны из рис.4, где показаны шумовые и усилительные параметры некоторых МИС на арсенидных и нитридных гетероструктурах в диапазоне частот до 40 ГГц, разработанных в ИСВЧПЭ РАН, а также за рубежом. Как видно, МИС МШУ на нитридных гетероструктурах вполне конкурентны с МИС на основе рНЕМТ на GaAs. Некоторый проигрыш по шумовым параметрам, мы считаем, является следствием еще имеющегося несовершенства гетероструктур и технологии изготовления нитридных МИС. Отметим, что здесь приведены параметры нитридных МИС, изготовленных по копланарной технологии на гетроструктурах с толщиной барьера более 18 нм. Расчеты показывают, что дальнейшее снижение Кш транзисторов и МИС на нитридных гетероструктурах в мм-диапазоне возможно при использовании более тонких барьерных слоев в совокупности с технологией "невжигаемых" омических контактов и пассивации "in-situ". Приборы с использованием новых технологических решений в настоящее время находятся в стадии изготовления.

В качестве иллюстрации к уровню технологических достижений ИСВЧПЭ РАН в освоении мм-диапазона на нитридных гетероструктурах можно привести СВЧ-параметры разработанных впервые в России МИС УМ диапазона частот 85-95 ГГц. Измерения произведены на оборудовании НПП "Исток". Следует отметить хорошее "попадание" в заданный диапазон частот, что свидетельствует о соответствующем уровне проектирования МИС. В настоящее время продолжаются работы в данном направлении на более тонких гетероструктурах производства НИЦ "Курчатовский институт" [33].

Перспективы

Результаты исследований по созданию технологии проектирования и изготовления МИС мм-диапазона на нитридных гетероструктурах в ИСВЧПЭ РАН показывают возможность создания в России комплектов МИС для приемопередающих систем, превосходящих по своим параметрам соответствующие приборы на арсенидных гетероструктурах, что соответствует мировому уровню развития данного направления. Для успешного промышленного освоения и массового производства МИС для приемопередающих модулей различных диапазонов частот необходимо решать данную задачу в едином комплексе: гетероструктуры – технология изготовления МИС – технология сборки СВЧ-модулей. Только при таком подходе можно ожидать быстрого налаживания массового производства дешевых радиационностойких приемопередающих модулей различного назначения, так необходимых нашей стране.


Работа выполнена в рамках государственного контракта № 14.427.12.0001 от 30 сентября 2013 года по заказу Минобрнауки России.

Литература

1.Gallium Nitride (GaN) Microwave Transistor Technology For Radar Applications. – Aethercomm, 2010.
2.Huili Xing, Dora Y., Chini A., Heikman S., Keller S., Mishra U.K. High Breakdown Voltage AlGaN–GaN HEMTs Achieved by Multiple Field Plates. – IEEE Electron Device Letters, April 2004, vol.25, no.4, p.161-163.
3.Suh C.S., Dora Y., Fichtenbaum N., McCarthy L., Keller S., Mishra U.K. High-Breakdown Enhancement-Mode AlGaN/GaN HEMTs with Integrated Slant Field-Plate. – Overview, International Electron Devices Meeting, vol.1, iss.c, p.1-3, IEEE 2006.
4.Nanishi Y., Miyamoto H., Suzuki A., Okumura H., Shibata N. Development of AlGaN/GaN High Power and High Frequency HFETs under NEDO's Japanese National Project. – CS MANTECH Conference, p.45-48, 2006, Vancouver, Canada.
5.Lee J.-G., Park B.-R., Lee H.-J., Lee M., An H., Seo K.-S., Cha H.-Y. – High Breakdown Voltage (1590 V) AlGaN/GaN-on-Si HFETs with Optimized Dual Field Plates. – CS MANTECH Conference, April 23-26, 2012, Boston, Massachusetts, USA.
6.Srivastava P., Cheng K., Das J., Van Hove M. et al.
2 kV Breakdown Voltage GaN–on-Si DHFETs with Sub-micron Thin AlGaN Buffer. – CS MANTECH Conference, April 23–26, 2012, Boston, Massachusetts, USA.
7.Гольцова М. Moщные GaN-транзисторы –
истинно революционная технология. – Электроника-НТБ, 2012, №4, с.86-100.
8.GaN technologies for power electronic applications: Industry and market status & forecasts. – 2012 edition, YOLE Development, http://www.yole.fr.
9.High-Power GaN Power ICs. – RF Micro Devices, http://rfmd.com.
10.Xu H., Sanabria C., Chini A., Wei Y., Heikman S., Keller S., Mishra U.K., York R.A. Characterization of two Field-Plated GaN HEMT Structures. – Доклад Electrical and Computer Engineering University of California at Santa Barbara, 2010.
11.Milligan J.W., Sheppard S., Pribble W., Ward A., Wood S. SiC and GaN Wide Bandgap Technology Commercial Status. – CS MANTECH Conference, April 14–17, 2008, Chicago, Illinois, USA.
12.Piotrowicz S., Morvani I.E., Aubryi R. et al. State of the Art 58W, 38% PAE X-Band AlGaN/GaN HEMTs microstrip MMIC Amplifiers – In proceeding of: Compound Semiconductor Integrated Circuits Symposium, 2008, CSIC '08, IEEE.
13.Федоров Ю.В. Анализ развития широкозонных гетероструктур (Al,Ga,In)N и приборов на их основе для миллиметрового диапазона длин волн. – Электроника-НТБ, 2011, №2, с.92-108.
14.Майская В. Освоение терагерцовой щели – полупроводниковые приборы вторгаются в субмиллиметровый диапазон. – Электроника: НТБ, 2011, №8, с.74–87.
15.Jessen G.H. et al. Short-Channel Effect Limitations on High Frequency Operation of AlGaN/GaN HEMTs for T-Gate Devices. – IEEE Transactions on Electron Devices, Oct. 2007, vol.54, No 10, p.2589–2597.
16.Smorchkova I.P., Chen L., Mate T., Shen L. et al. –
AlN/GaN and (Al,Ga)N/AlN/GaN two-dimensional electron gas structures grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy – J. Appl. Phys. 2001, 90, 5196.
17.Kuzmik J. Power electronics on InAlN/(In)GaN: prospect for a record performance. – In IEEE Electron Devices Letters. ISSN 0741-3106, 2001, vol.22, p.510-512. IEEE Electron Devices Letters. ISSN 0741-3106, 2001, vol.22, p.510-512. Type: ADCA.
18.Gillespie J.K., Jessen G.H., Via G.D., Crespo A. et al.
Realization of InAlN/GaN Unstrained HEMTs on SiC Substrates with a 75 Å Barrier Layer. – CS MANTECH Conference, p.73-74, May 14-17, 2007, Austin, Texas, USA.
19.Zimmermann T., Deen D., Cao Yu., Jena D., Xing H.G. Formation of ohmic contacts to ultra-thin channel AlN/GaN HEMTs. – Physica status solidi, May 2008, vol.5, iss.6, p.2030–2032.
20.Jinwook W. Chung J. W., Edwin L. Piner E.L., Palacios T. N-Face GaN/AlGaN HEMTs Fabricated Through Layer Transfer Technology. – IEEE Electron Device Letters, February 2009, vol.30, No.2.
21.Nidhi D.F., Brown S.K., Mishra U.K. Very Low Ohmic Contact Resistance through an AlGaN Etch-Stop in Nitrogen-Polar GaN-Based High Electron Mobility Transistors. – Jpn. J. Appl. Phys. 49 (2010) 021005.
22.Chabak K., Crespo A., Tomich D., Langley D. et al.
Processing Methods for Low Ohmic Contact Resistance in AlN/GaN MOSHEMTs. – CS MANTECH Conference, May 18-21, 2009, Tampa, Florida, USA.
23.Lee M. L., Sheu J. K., Hu C.C. Nonalloyed Cr/Au-based Ohmic contacts to n-GaN. – Appl. Phys. Lett, 2007, 91, 182106.
24.Chang Z., Shu-Ming Z., Hui W. et all. Formation of Low-Resistant and Thermally Stable Nonalloyed Ohmic Contact to N-Face n-GaN. – Chin. Phys. Lett, 2012, vol.29, no.1, 017301.
25.Xing H.(G.), Zimmermann T., Deen D., Wang K., Yu C., Kosel T., Fay P., Jena D. Ultrathin all-binary AlN/GaN based high-performance RF HEMT Technology. – Department of Electrical Engineering, University of Notre Dame, 2011, Notre Dame, IN 46556, USA.
26.Denninghoff D.J., Dasgupta S., Lu J., Keller S., Mishra U.K. Design of High-Aspect-Ratio T-Gates on N-Polar GaN/AlGaN MIS-HEMTs for High fmax. – IEEE Electron Device Letters, vol.33, no.6, June 2012.
27.Record transconductance of 1105 mS/mm for GaN/InAlN MIS-HFET. – Semiconductor Today, Compaunds & Advanced Silicon, vol.7, iss.5, June/July 2012, http://dx.doi.org/10.1109/LED.2012.2190965.
28.Masataka H., Takashi M., Toshiaki M. AlGaN/GaN heterostructure field-effect transistors on 4H-SiC substrates with current-gain cutoff frequency of 190 GHz. – Appl. Phys. Express, vol.1, no.2, 021103/1-021103/3, 29 October 2008.
29.Shinohara K., Corrion A., Regan D., Milosavljevic I.,
Brown D. et al. 220 GHz fT and 400 GHz fmax in 40-nm GaN DH-HEMTs with re-grown ohmic. – IEDM Tech. Dig., San Francisco, CA, Dec. 2010, p.30.1.1–30.1.4.
30.Shinohara K., Regan D., Corrion A., Brown D., Burnham S. et al. Deeply-scaled Self-aligned-gate GaN DH-HEMTs with ultrahigh cutoff frequency. – IEDM Tech. Dig., Washington, DC, Dec. 2011, p.19.1.1–19.1.4.
31.Okamoto N., Ohki T., Makiyama K. Backside Process Considerations for Fabricating Millimeter-WaveGaN HEMT MMICs. – CS MANTECH Conference, May 17-20, 2010, Portland, Oregon, USA.
32.GaN Essentials: Substrates for GaN RF Devices. – Application Note AN-011, Nitronex Corp., June 2008.
33.Мальцев П.П., Федоров Ю.В. Современное состояние и перспективы развития нитридных СВЧ-приборов миллиметрового диапазона за рубежом и в России. – Интеграл, 2013, №3, с.25-29.
 
 Отзывы читателей
Разработка: студия Green Art