eng
Выпуск #3/2015
Ю.Федоров, П.Мальцев, О.Матвеенко, Д.Гнатюк, Д.Крапухин, Б.Путинцев, А.Павлов, А.Зуев
МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧ-диапазона на наногетероструктурах
МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧ-диапазона на наногетероструктурах
Просмотры: 6534
В ИСВЧПЭ РАН разработаны конструкции монолитных интегральных схем (МИС) со встроенными антеннами для приемных и передающих трактов с усилителями мощности и малошумящими усилителями соответственно. МИС усилителей со встроенными антеннами изготовлены на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs для диапазонов частот 5 и 10–12 ГГц и AlGaN/GaN для диапазона 58–65 ГГц. Измерены диаграммы направленности антенн.
DOI:10.22184/1993-8578.2015.57.3.44.51
DOI:10.22184/1993-8578.2015.57.3.44.51
Теги: hemt transistor hemt транзисторы low-noise amplifier microwave monolithic integrated circuit nano-heterostructur power amplifier малошумящий усилитель монолитная интегральная схема наногетероструктура усилитель мощности
Схемы с индивидуальными встроенными антеннами для передающего или приемного трактов, реализуемые в виде одной МИС, обеспечивают, во-первых, малые потери в тракте между малошумящим усилителем (МШУ) и антенной, что снижает коэффициент шума приемного тракта, во-вторых, повышают передаваемую мощность усилителя мощности (УМ) в антенну. Авторами разработаны МИС для использования в приемных и передающих трактах с интегрированными антеннами для диапазонов частот 5 ГГц и 10–12 ГГц на наногетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs и для диапазона частот 58–65 ГГц на наногетероструктурах AlGaN/GaN.
МИС усилителей со встроенными антеннами для диапазонов частот 5 ГГц и 10–12 ГГц
Высокая диэлектрическая проницаемость GaAs позволяет создавать планарные антенны с минимальными размерами. В прямоугольных микрополосковых антеннах низший тип резонанса возникает при длине антенного элемента L ≈ λ/2, где λ ≈ λ0/√εr, εr – диэлектрическая проницаемость подложки (для GaAs εr ~ 12,9), λ0 – длина волны в вакууме. Чем выше диэлектрическая проницаемость подложки, тем меньше габариты антенны. В нашем случае, для частот 5 ГГц и 10 ГГц, длина антенного элемента составляет [1]:
,
.
Расчет антенных элементов производился с помощью метода конечных элементов, в то время как для электродинамического моделирования усилителей использовался метод моментов. Структурные схемы МШУ и УМ построены на основе двух каскадов с резистивной обратной связью [2].
На рис.1 представлена фотография МШУ для диапазона частот 10–12 ГГц. МШУ и УМ были реализованы по одному технологическому маршруту на pHEMT-транзисторах на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs. Измеренный коэффициент усиления достигает величины более 16 дБ, коэффициент шума МШУ – менее 2 дБ (рис.2), мощность УМ – более 100 мВт.
Антенны и усилители рассчитывались отдельно на согласованную нагрузку 50 Ом, что позволило впоследствии интегрировать их на один кристалл с минимальными потерями в тракте. В случае приемного тракта антенна подводилась ко входу МШУ, а в случае передающего – на выход УМ.
Размеры полученных кристаллов МИС усилителей, интегрированных с антеннами: 9,5× 6,5 мм2 для диапазона 5 ГГц и 5,4 × 6,5 мм2 для диапазона 10–12 ГГц. На рис.3 приведена фотография МИС антенны с УМ для диапазона 10–12 ГГц [3–7].
Фотографии антенн диапазонов частот 5 ГГц и 10–12 ГГц, разваренных на плату с коаксиальным выводом для проведения измерений диаграмм направленности, представлены на рис.4.
На рис.5 приведены результаты измерений антенн для обоих диапазонов. Наблюдаемый максимум излучения перпендикулярен поверхности антенны.
МИС усилителей со встроенными антеннами для диапазона частот 58–65 ГГц
Диапазон 60 ГГц обладает следующими преимуществами:
•позволяет работать в широкой полосе частот и обеспечивать скорость передачи данных до 5 ГГбит/с и выше;
•характеризуется высокой степенью поглощаемости в атмосфере, что позволяет создавать изолированные каналы связи;
•малая длина волны делает возможной интеграцию антенн и целых антенных решеток на один кристалл.
В данном диапазоне возможно создавать приемо-передающие устройства широкополосной внутрикомнатной связи, обеспечивающие высокоскоростную и скрытную передачу данных между электронными приборами, а также перейти к построению мобильных сетей широкополосной связи 5G [8].
МИС усилителей (МШУ и УМ) со встроенными антеннами для диапазона 60 ГГц проектировались по той же методологии, что и МИС для диапазонов 5 ГГц и 10–12 ГГц. За основу антенного элемента был взят монополь сложной формы (рис.6). Диаметр антенного элемента – около 0,72 мм. Усилитель для диапазона частот 58–65 ГГц построен по схеме с общим истоком на HEMT-транзисторах с общей шириной затвора 100 мкм (2 × 50 мкм). Его размеры – 2,26 × 1,15 мм. В целях унификации элементной базы усилитель разрабатывался таким образом, чтобы в зависимости от рабочей точки функционировать и как МШУ с коэффициентом шума не более 6,5 дБ, и как УМ с выходной мощностью до 40 мВт. На рис.6 представлена фотография МИС усилителя с антенной для диапазона 58–65 ГГц. Размеры МИС со встроенной антенной и усилителем составили 3,4 × 1,15 мм [9–11].
МИС для 60 ГГц изготавливались на наногетероструктурах нитрида галлия на подложке сапфира. При этом возникли конструктивные сложности: резонанс антенны формируется в подложке, имеющей обратную металлизацию, причем существенным фактором его формирования является толщина подложки (300 мкм и более), что не позволяет утонить пластину сапфира и вытравить в ней отверстия. Травление отверстий в сапфире связано также и с рядом технологических трудностей. Проблемы можно было бы решить, используя для проектирования усилителей копланарную технологию, как это было сделано для МИС на 5 ГГц и 10–12 ГГц, однако здесь мы столкнулись с невозможностью создать устойчивые усилители с требуемыми СВЧ-параметрами в V-диапазоне частот.
Для решения поставленной задачи было найдено конструкторско-технологическое решение, заключающееся в создании "заземляющей плоскости" над лицевой поверхностью пластины с уже изготовленными активными и пассивными СВЧ-элементами поверх слоя полимерного диэлектрика толщиной 10–15 мкм (фотолак, разработанный ИВС РАН). На рис.6 представлен внешний вид МИС УМ с антенной до нанесения фотолака и после. Заземление соответствующих элементов производится через отверстия в слое фотолака (рис.7), одновременно обеспечивающего защитную пассивацию. С контактных площадок и области излучения антенны фотолак удаляется.
По разработанному технологическому процессу впервые в России на нитридных гетероструктурах на подложках из сапфира были изготовлены МИС усилителей с интегрированными антеннами для использования в приемо-передающих модулях. На рис.8 представлены измеренные характеристики усилителя: коэффициент усиления в непрерывном режиме питания составляет 12–13 дБ в диапазоне 58–65 ГГц (рис.8а); выходная мощность УМ при импульсном питании (длительность 1 мкс, скважность 99) – 30–50 мВт в насыщенном режиме (рис.8b). На рис.9 приведены измеренные динамические характеристики усилителей при импульсном питании: насыщенная мощность 15–17 дБм (30–50 мВт); точка 1 дБ компрессии составляет от –3 до 0 дБм.
Для определения диаграммы направленности МИС со встроенными антеннами непосредственно на пластине был разработан специальный измерительный стенд (рис.10) [12]. Диаграмма направленности измеряется при помощи лабораторной антенны, расположенной на расстоянии R от исследуемой антенны. Лабораторная антенна закреплена на специальном поворотном механизме таким образом, чтобы обеспечить ее движение по окружности, в центре которой расположена исследуемая антенна, с шагом 5 градусов, при этом расстояние R между антеннами остается неизменным.
Измерения диаграммы направленности проводились в двух плоскостях: ZX и ZY. При этом в плоскости ZY диапазон вращения рупорной антенны составил 180°, в то время как в плоскости ZX – 130°. Угол поворота рупорной антенны ограничивался габаритами зондового стола и расположением зондодержателя. На рис.11 представлены измерения диаграммы направленности антенны на частоте 58 ГГц.
Поскольку измерения образцов проводились непосредственно на пластине, металлизация соседних образцов МИС и измерительная оснастка (СВЧ-зонд, зондодержатель, зондовый стол) искажали диаграмму направленности антенны, что может объяснить изрезанность полученных характеристик. Измерить диаграмму направленности МИС усилителя с антенной зондовым методом не представилось возможным, поскольку в этом случае были необходимы дополнительные зонды питания с обеих продольных сторон МИС. Таким образом, кристалл оказывался окружен зондами с трех сторон, что сильно искажало диаграмму направленности и ограничивало угол вращения рупорной антенны до ±10 градусов. Однако, измерения в узком диапазоне вращения рупорной антенны (±10 градусов) показали, что мощность, излучаемая МИС усилителя с антенной, на 15–20 дБ больше в сравнении с мощностью, излучаемой отдельной антенной. Анализ зарубежных литературных данных по созданию встроенных антенн с усилителями для частот 58–65 ГГц выявили, что в этом диапазоне применяют МИС антенн с усилителями, изготовленные по КМОП- или SiGe-технологиям на подложках из кремния. МИС с интегрированными антеннами на наногетероструктурах AlGaN/GaN/Al2O3 нами выявлено не было, только отдельные элементы (усилители, смесители).
Последними разработками для диапазона частот 59–65 ГГц являются МИС антенн с усилителями по 65-нм КМОП-технологии, которые позволили создать прибор 1,96 × 1,96 мм, с выходной мощностью 17,78 мВт. [13]. С использованием кремний-германиевой технологии изготовлена МИС МШУ с интегрированной антенной размером 3 × 2,8 мм и коэффициентом усиления выше 12 дБ [14]. Данные МИС уступают в 2–3 раза по выходной мощности разработанным МИС усилителей со встроенными антеннами на нитриде галлия (30–50 мВт) с минимальным топологическим размером на уровне 120 нм.
Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки РФ (соглашение о предоставлении субсидии № 14.607.21.0087, уникальный идентификатор проекта RFMEFI60714X0087)
ЛИТЕРАТУРА
1.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Лисицкий А.П. СВЧ системы на кристалле с интегрированными антеннами и элементами МЭМС на наногетероструктурах в арсениде галлия // Радиопромышленность. 2012. Вып. 3. С. 149–153.
2.Матвеенко О.С., Гнатюк Д.Л., Галиев Р.Р. Интегрированные антенны на наногетероструктурах арсенида галлия // Нано- и микросистемная техника. 2011. № 12. С. 50–51.
3.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л. Топология ИМС "Интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 10–12 ГГц", свидетельство о государственной регистрации № 2011630059 от 05 мая 2011 г.
4.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л. Топология ИМС "Прямоугольный интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 10–12 ГГц", свидетельство о государственной регистрации № 2012630008 от 10 января 2012 г.
5.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л. Топология ИМС "Интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 5 ГГц", свидетельство о государственной регистрации № 2011630058 от 05 мая 2011 г.
6.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л. Топология ИМС "Прямоугольный интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 5 ГГц", свидетельство о государственной регистрации № 2012630001 от 10 января 2012 г.
7.Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Матвеенко О.С., Лисицкий А.П. Топология ИМС "Интегральный антенный элемент со встроенным усилителем мощности для диапазона 5 ГГц", свидетельство о государственной регистрации № 2012630102 от 03 августа 2012 г.
8.Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Галиев Р.Р., Михайлович С.В., Гнатюк Д.Л. Нитридные приборы миллиметрового диапазона // Наноиндустрия. 2014. № 3. С. 40–51.
9.Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Матвеенко О.С., Зуев А.В. Топология ИМС "Интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 57–64 ГГц", свидетельство о государственной регистрации № 2013630159 от 06 ноября 2013 г.
10.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Крапухин Д.В., Зуев А.В., Бунегина С.Л. Интегральный антенный элемент со встроенным усилителем 5-мм диапазона длин волн на основе гетероструктур AlGaN/GaN // Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА. 2014.№ 4. С. 73–76.
11.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Крапухин Д.В., Зуев А.В., Бунегина С.Л. Монолитная интегральная схема усилителя со встроенной антенной для пятимиллиметрового диапазона длин волн // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 9. С. 12–15.
12.T-W. Huang et. al. CMOS MCM for V-Band Phased Array Applications. European Microwave Week, Nürnberg, Germany, 2013.
13.Ghaffar F.A. 60 GHz system-on-chip (SoC) with built-in memory and an on-chip antenna // Antennas and Propagation (EuCAP), 2014 8th European Conference on. P.531–532.
14.Jian Zhang. Low Noise Amplifier With Integrated Balanced Antenna for 60 GHz Wireless Communications // Antennas and Propagation, IEEE Transactions on (Volume:62, Issue: 6). 2014. P. 3407–3411.
* Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ) РАН
Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics of RAS (IUHFSE RAS)
МИС усилителей со встроенными антеннами для диапазонов частот 5 ГГц и 10–12 ГГц
Высокая диэлектрическая проницаемость GaAs позволяет создавать планарные антенны с минимальными размерами. В прямоугольных микрополосковых антеннах низший тип резонанса возникает при длине антенного элемента L ≈ λ/2, где λ ≈ λ0/√εr, εr – диэлектрическая проницаемость подложки (для GaAs εr ~ 12,9), λ0 – длина волны в вакууме. Чем выше диэлектрическая проницаемость подложки, тем меньше габариты антенны. В нашем случае, для частот 5 ГГц и 10 ГГц, длина антенного элемента составляет [1]:
,
.
Расчет антенных элементов производился с помощью метода конечных элементов, в то время как для электродинамического моделирования усилителей использовался метод моментов. Структурные схемы МШУ и УМ построены на основе двух каскадов с резистивной обратной связью [2].
На рис.1 представлена фотография МШУ для диапазона частот 10–12 ГГц. МШУ и УМ были реализованы по одному технологическому маршруту на pHEMT-транзисторах на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs. Измеренный коэффициент усиления достигает величины более 16 дБ, коэффициент шума МШУ – менее 2 дБ (рис.2), мощность УМ – более 100 мВт.
Антенны и усилители рассчитывались отдельно на согласованную нагрузку 50 Ом, что позволило впоследствии интегрировать их на один кристалл с минимальными потерями в тракте. В случае приемного тракта антенна подводилась ко входу МШУ, а в случае передающего – на выход УМ.
Размеры полученных кристаллов МИС усилителей, интегрированных с антеннами: 9,5× 6,5 мм2 для диапазона 5 ГГц и 5,4 × 6,5 мм2 для диапазона 10–12 ГГц. На рис.3 приведена фотография МИС антенны с УМ для диапазона 10–12 ГГц [3–7].
Фотографии антенн диапазонов частот 5 ГГц и 10–12 ГГц, разваренных на плату с коаксиальным выводом для проведения измерений диаграмм направленности, представлены на рис.4.
На рис.5 приведены результаты измерений антенн для обоих диапазонов. Наблюдаемый максимум излучения перпендикулярен поверхности антенны.
МИС усилителей со встроенными антеннами для диапазона частот 58–65 ГГц
Диапазон 60 ГГц обладает следующими преимуществами:
•позволяет работать в широкой полосе частот и обеспечивать скорость передачи данных до 5 ГГбит/с и выше;
•характеризуется высокой степенью поглощаемости в атмосфере, что позволяет создавать изолированные каналы связи;
•малая длина волны делает возможной интеграцию антенн и целых антенных решеток на один кристалл.
В данном диапазоне возможно создавать приемо-передающие устройства широкополосной внутрикомнатной связи, обеспечивающие высокоскоростную и скрытную передачу данных между электронными приборами, а также перейти к построению мобильных сетей широкополосной связи 5G [8].
МИС усилителей (МШУ и УМ) со встроенными антеннами для диапазона 60 ГГц проектировались по той же методологии, что и МИС для диапазонов 5 ГГц и 10–12 ГГц. За основу антенного элемента был взят монополь сложной формы (рис.6). Диаметр антенного элемента – около 0,72 мм. Усилитель для диапазона частот 58–65 ГГц построен по схеме с общим истоком на HEMT-транзисторах с общей шириной затвора 100 мкм (2 × 50 мкм). Его размеры – 2,26 × 1,15 мм. В целях унификации элементной базы усилитель разрабатывался таким образом, чтобы в зависимости от рабочей точки функционировать и как МШУ с коэффициентом шума не более 6,5 дБ, и как УМ с выходной мощностью до 40 мВт. На рис.6 представлена фотография МИС усилителя с антенной для диапазона 58–65 ГГц. Размеры МИС со встроенной антенной и усилителем составили 3,4 × 1,15 мм [9–11].
МИС для 60 ГГц изготавливались на наногетероструктурах нитрида галлия на подложке сапфира. При этом возникли конструктивные сложности: резонанс антенны формируется в подложке, имеющей обратную металлизацию, причем существенным фактором его формирования является толщина подложки (300 мкм и более), что не позволяет утонить пластину сапфира и вытравить в ней отверстия. Травление отверстий в сапфире связано также и с рядом технологических трудностей. Проблемы можно было бы решить, используя для проектирования усилителей копланарную технологию, как это было сделано для МИС на 5 ГГц и 10–12 ГГц, однако здесь мы столкнулись с невозможностью создать устойчивые усилители с требуемыми СВЧ-параметрами в V-диапазоне частот.
Для решения поставленной задачи было найдено конструкторско-технологическое решение, заключающееся в создании "заземляющей плоскости" над лицевой поверхностью пластины с уже изготовленными активными и пассивными СВЧ-элементами поверх слоя полимерного диэлектрика толщиной 10–15 мкм (фотолак, разработанный ИВС РАН). На рис.6 представлен внешний вид МИС УМ с антенной до нанесения фотолака и после. Заземление соответствующих элементов производится через отверстия в слое фотолака (рис.7), одновременно обеспечивающего защитную пассивацию. С контактных площадок и области излучения антенны фотолак удаляется.
По разработанному технологическому процессу впервые в России на нитридных гетероструктурах на подложках из сапфира были изготовлены МИС усилителей с интегрированными антеннами для использования в приемо-передающих модулях. На рис.8 представлены измеренные характеристики усилителя: коэффициент усиления в непрерывном режиме питания составляет 12–13 дБ в диапазоне 58–65 ГГц (рис.8а); выходная мощность УМ при импульсном питании (длительность 1 мкс, скважность 99) – 30–50 мВт в насыщенном режиме (рис.8b). На рис.9 приведены измеренные динамические характеристики усилителей при импульсном питании: насыщенная мощность 15–17 дБм (30–50 мВт); точка 1 дБ компрессии составляет от –3 до 0 дБм.
Для определения диаграммы направленности МИС со встроенными антеннами непосредственно на пластине был разработан специальный измерительный стенд (рис.10) [12]. Диаграмма направленности измеряется при помощи лабораторной антенны, расположенной на расстоянии R от исследуемой антенны. Лабораторная антенна закреплена на специальном поворотном механизме таким образом, чтобы обеспечить ее движение по окружности, в центре которой расположена исследуемая антенна, с шагом 5 градусов, при этом расстояние R между антеннами остается неизменным.
Измерения диаграммы направленности проводились в двух плоскостях: ZX и ZY. При этом в плоскости ZY диапазон вращения рупорной антенны составил 180°, в то время как в плоскости ZX – 130°. Угол поворота рупорной антенны ограничивался габаритами зондового стола и расположением зондодержателя. На рис.11 представлены измерения диаграммы направленности антенны на частоте 58 ГГц.
Поскольку измерения образцов проводились непосредственно на пластине, металлизация соседних образцов МИС и измерительная оснастка (СВЧ-зонд, зондодержатель, зондовый стол) искажали диаграмму направленности антенны, что может объяснить изрезанность полученных характеристик. Измерить диаграмму направленности МИС усилителя с антенной зондовым методом не представилось возможным, поскольку в этом случае были необходимы дополнительные зонды питания с обеих продольных сторон МИС. Таким образом, кристалл оказывался окружен зондами с трех сторон, что сильно искажало диаграмму направленности и ограничивало угол вращения рупорной антенны до ±10 градусов. Однако, измерения в узком диапазоне вращения рупорной антенны (±10 градусов) показали, что мощность, излучаемая МИС усилителя с антенной, на 15–20 дБ больше в сравнении с мощностью, излучаемой отдельной антенной. Анализ зарубежных литературных данных по созданию встроенных антенн с усилителями для частот 58–65 ГГц выявили, что в этом диапазоне применяют МИС антенн с усилителями, изготовленные по КМОП- или SiGe-технологиям на подложках из кремния. МИС с интегрированными антеннами на наногетероструктурах AlGaN/GaN/Al2O3 нами выявлено не было, только отдельные элементы (усилители, смесители).
Последними разработками для диапазона частот 59–65 ГГц являются МИС антенн с усилителями по 65-нм КМОП-технологии, которые позволили создать прибор 1,96 × 1,96 мм, с выходной мощностью 17,78 мВт. [13]. С использованием кремний-германиевой технологии изготовлена МИС МШУ с интегрированной антенной размером 3 × 2,8 мм и коэффициентом усиления выше 12 дБ [14]. Данные МИС уступают в 2–3 раза по выходной мощности разработанным МИС усилителей со встроенными антеннами на нитриде галлия (30–50 мВт) с минимальным топологическим размером на уровне 120 нм.
Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки РФ (соглашение о предоставлении субсидии № 14.607.21.0087, уникальный идентификатор проекта RFMEFI60714X0087)
ЛИТЕРАТУРА
1.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Лисицкий А.П. СВЧ системы на кристалле с интегрированными антеннами и элементами МЭМС на наногетероструктурах в арсениде галлия // Радиопромышленность. 2012. Вып. 3. С. 149–153.
2.Матвеенко О.С., Гнатюк Д.Л., Галиев Р.Р. Интегрированные антенны на наногетероструктурах арсенида галлия // Нано- и микросистемная техника. 2011. № 12. С. 50–51.
3.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л. Топология ИМС "Интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 10–12 ГГц", свидетельство о государственной регистрации № 2011630059 от 05 мая 2011 г.
4.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л. Топология ИМС "Прямоугольный интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 10–12 ГГц", свидетельство о государственной регистрации № 2012630008 от 10 января 2012 г.
5.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л. Топология ИМС "Интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 5 ГГц", свидетельство о государственной регистрации № 2011630058 от 05 мая 2011 г.
6.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л. Топология ИМС "Прямоугольный интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 5 ГГц", свидетельство о государственной регистрации № 2012630001 от 10 января 2012 г.
7.Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Матвеенко О.С., Лисицкий А.П. Топология ИМС "Интегральный антенный элемент со встроенным усилителем мощности для диапазона 5 ГГц", свидетельство о государственной регистрации № 2012630102 от 03 августа 2012 г.
8.Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Галиев Р.Р., Михайлович С.В., Гнатюк Д.Л. Нитридные приборы миллиметрового диапазона // Наноиндустрия. 2014. № 3. С. 40–51.
9.Мальцев П.П., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Матвеенко О.С., Зуев А.В. Топология ИМС "Интегральный антенный элемент со встроенным малошумящим усилителем для диапазона 57–64 ГГц", свидетельство о государственной регистрации № 2013630159 от 06 ноября 2013 г.
10.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Крапухин Д.В., Зуев А.В., Бунегина С.Л. Интегральный антенный элемент со встроенным усилителем 5-мм диапазона длин волн на основе гетероструктур AlGaN/GaN // Известия вузов. ЭЛЕКТРОНИКА. 2014.№ 4. С. 73–76.
11.Мальцев П.П., Матвеенко О.С., Федоров Ю.В., Гнатюк Д.Л., Крапухин Д.В., Зуев А.В., Бунегина С.Л. Монолитная интегральная схема усилителя со встроенной антенной для пятимиллиметрового диапазона длин волн // Нано- и микросистемная техника. 2014. № 9. С. 12–15.
12.T-W. Huang et. al. CMOS MCM for V-Band Phased Array Applications. European Microwave Week, Nürnberg, Germany, 2013.
13.Ghaffar F.A. 60 GHz system-on-chip (SoC) with built-in memory and an on-chip antenna // Antennas and Propagation (EuCAP), 2014 8th European Conference on. P.531–532.
14.Jian Zhang. Low Noise Amplifier With Integrated Balanced Antenna for 60 GHz Wireless Communications // Antennas and Propagation, IEEE Transactions on (Volume:62, Issue: 6). 2014. P. 3407–3411.
* Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники (ИСВЧПЭ) РАН
Institute of Ultra High Frequency Semiconductor Electronics of RAS (IUHFSE RAS)
Отзывы читателей
