eng
Выпуск #3/2016
В.Лучинин
Отечественная экстремальная ЭКБ: карбидокремниевая индустрия СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Отечественная экстремальная ЭКБ: карбидокремниевая индустрия СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Просмотры: 5812
Разработка в Ленинградском электротехническом институте метода выращивания объемных монокристаллов карбида кремния (метод ЛЭТИ) является международно-признанным научно-технологическим прорывом, определившим переход к промышленной технологии изготовления ЭКБ на карбиде кремния (SiC) во всемирной практике. Применение карбида кремния в создании приборов оптоэлектроники, СВЧ-электроники и, безусловно, силовой электроники определяется экстремальными характеристиками данного широкозонного полупроводника по теплопроводности, критической напряженности электрического поля и дрейфовой скорости носителей заряда, устойчивости к воздействию высоких температур, химически агрессивных сред и радиации.
DOI:10.22184/1993-8578.2016.65.3.78.89
DOI:10.22184/1993-8578.2016.65.3.78.89
Теги: electronic components leti method microelectronics silicon carbide карбид кремния метод лэти микроэлектроника электронная компонентная база
Представители 34 отечественных организаций на совещании "Карбид кремния. Интеграция научно-образовательного и промышленного потенциала России", прошедшего в конце октября 2014 года на базе Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета, констатировали следующее:
•отсутствие в течение длительного времени системного подхода к решению вопроса формирования в России современного промышленного производства полупроводникового карбида кремния и ЭКБ на его основе при значительных совокупных экономических затратах на исследования и разработки в данной области со стороны различных ведомств и организаций;
•необходимость формирования в России карбидокремниевой индустрии как одного из направлений в решении задачи импортозамещения ЭКБ и обеспечения паритета в технологиях, определяющих научно-технологическое превосходство и безопасность государства.
В начале 2016 года в рамках определения стратегических направлений развития ЛЭТИ при реализации программы по повышению конкурентоспособности ведущих университетов Российской Федерации (ТОП-100) в качестве одного из приоритетных направлений была определена "Углеродная электроника". Этот выбор обусловлен тем, что углероду как широко распространенному в природе химическому элементу присущ атомно-молекулярный энергетический конформизм, определяющий структурно-функциональное и физико-химическое разнообразие углеродосодержащих материалов, а также их органо-неорганическую конвергенцию в рамках биотехносферы.
Основанием к формированию на базе ЛЭТИ междисциплинарного центра превосходства "Углеродная электроника", адаптированного к современной международной инновационной конкурентной среде, является признанный в России и за рубежом высокий уровень компетенций, в том числе в области междисциплинарных исследований, достигнутый сотрудниками университета при проведении в течение ряда лет работ по синтезу, структуро- и формообразованию углеродосодержащих неорганических материалов и композиций органической природы. Особо следует отметить достижения ряда научно-образовательных коллективов, функционирующих на базе вуза, по критическим направлениям развития углеродных материалов и ЭКБ на их основе, включая технологии роста объемных монокристаллов карбида кремния (метод ЛЭТИ) [1], эпитаксиальных структур алмаза с ранее недостижимыми электрофизическими параметрами [2], 3D наноразмерных топологически упорядоченных композиций "карбид кремния – наноструктурированный алмаз" для автоэмиссионной электроники [3, 4], нанослоевых 2D-композиций жесткоцепных полиимидов для межслойной изоляции нанопористыми low-k-диэлектриками в новейших интегральных микросхемах с наноразмерными топологическими нормами [5, 6].
В рамках поставленной цели были определены следующие целевые сегменты рынка наукоемкой инновационной продукции:
•карбид кремния и композиции "карбид кремния – графен", "карбид кремния – алмаз";
•алмаз и эпитаксиальные композиции на его основе;
•2D и 3D наноразмерный углерод: графен, нанотрубки;
•полимеры и биополимеры: структуро- и формо-образование, аддитивные печатные и бионические технологии.
Основным ожидаемым результатом, определяющим эффективность Междисциплинарного центра превосходства "Углеродная электроника", является реализация модели инновационного развития с формированием на базе вуза конкурентоспособных технологических ниш с их инфраструктурным практическим воплощением в технологические линии и маршруты по направлениям: алмаз, карбид кремния, гибкая печатная электроника.
Реализация амбициозных проектов и экспресс-трансформация знаний от исследовательской к производственной стадиям требует концентрации компетенций, инфраструктурных ресурсов и профессиональной элиты. Выбор в качестве одного из направлений формирования конкурентоспособной национальной инновационной среды технологической ниши карбидокремниевой электроники определил необходимость детального системного анализа современных проблем и достижений карбидокремниевой индустрии с целью позиционирования ЛЭТИ на рынке наукоемкой и реально востребованной продукции. Целью данной статьи является системный анализ ключевых проблем и прогрессивных тенденций в технологии карбида кремния и ЭКБ на его основе.
Учитывая необходимость формирования у читателя системных представлений о состоянии работ в карбидокремниевой индустрии материал статьи излагается преимущественно в виде таблиц и графических обобщенных представлений, что должно обеспечить наглядность и возможность практического использования результатов анализа. Наиболее значимые современные тенденции иллюстрируются на примере отечественных разработок, выполненных в СПбГЭТУ в области ростовых процессов и перспективной ЭКБ только в течение последних нескольких лет. Более ранние разработки достаточно подробно изложены в работах [6–9].
Карбид кремния – материал
электронной техники
Промышленная история карбида кремния берет свое начало в 1893 году, когда Е.Ачесоном была предложена сублимационная технология получения абразивного материала за счет испарения шихты, в основе которой лежал углерод и кремний (фактически – кварцевый песок). В процессе высокотемпературного синтеза формировался карбидокремниевый спек, преимущественно содержащий бинарное химическое соединение – карбид кремния в виде сростков кристаллов. Данный абразивный материал с высокой твердостью по Моосу (9,2–9,3) получил название карборунд. Дальнейшую историю становления карбида кремния как материала полупроводниковой техники отражает табл.1.
Впервые результаты по выращиванию объемных монокристаллов – слитков SiC – были представлены сотрудниками Ленинградского электротехнического института Ю.М.Таировым и В.Ф.Цветковым в 1976 году на I Европейской конференции по выращиванию кристаллов из газовой фазы в Цюрихе (Швейцария). Полномасштабная публикация о новом методе роста SiC, получившего название в мировой практике по аналогии с методом Лели метод ЛЭТИ, появилась в 1978 году [1] в международном журнале Cristal Growth. В основу метода была положена классическая схема конденсации пересыщенного пара на "монокристалл – затравку" карбида кремния.
В течение ряда лет в рамках технологии разращивания базовой затравки, полученной первоначально по методу Лели, удалось перейти к росту объемных монокристаллических слитков карбида кремния диаметром в несколько дюймов. Эволюцию размеров выращиваемых монокристаллов карбида кремния по методу ЛЭТИ, определившему для мировой практики возможность перехода к промышленной технологии интегрально-группового создания приборов на карбиде кремния, иллюстрирует рис.1.
Физико-химические и технологические особенности SiC как материала электронной техники отражает табл.2. Комплексный анализ базовых полупроводниковых материалов в отношении их свойств, определяющих функциональное назначение и достигаемые параметры ЭКБ, иллюстрирует рис.2.
Выполненное ранжирование (рис.2) указывает на соседство карбида кремния с такими перспективными материалами, как нитриды галлия и алюминия, а также с алмазом. Определяющими с точки зрения достижения экстремальных режимов и условий эксплуатации являются ширина запрещенной зоны, температура Дебая, теплопроводность, критическая напряженность электрического поля, скорость насыщения дрейфа носителей.
Важнейшими критериями обобщенного качества материала в отношении режимов работы ЭКБ на их основе являются Johnson, Kejes и Baliga, учитывающие фактически допустимую тепловую или электрическую нагрузку, что отражается в произведениях "коммутируемая (генерируемая) мощность × частота", "рабочее напряжение × плотность тока", или в виде "достижимой скорости нарастания напряжения" в импульсных системах. Все вышеуказанные базовые характеристики материала входят в данные критерии оценки достижимых параметров приборов силовой, высокочастотной, импульсной электроники.
Стойкость SiC к различным видам воздействий часто обобщаются в литературе как температура Дебая, которая фактически может быть детализирована по ряду основных экстремальных воздействующих факторов (табл.3).
Ключевые проблемы технологии SiC
Стойкость SiC к внешним воздействиям определяет и сложности в технологии синтеза, обработки и модифицирования данного материала. Современные ключевые проблемы при промышленном освоении ЭКБ на основе SiC системно упорядочены в табл.4.
Особое внимание заслуживают ростовые проблемы, связанные с получением как сильно легированных монокристаллов подложек для силовой электроники на SiC, так и высокоомных подложек, являющихся базовыми субстратами для приборов СВЧ-электроники на основе гетероструктурных композиций GaN/AlN/SiC. Низкоомность подложки достигается легированием монокристаллов в процессе роста азотом. Однако, при определенных уровнях концентрации имеет место дефектообразование, ухудшающее структурные характеристики материала. Это отрицательно сказывается на качестве эпитаксиальных слоев SiC, что недопустимо при создании приборов сильноточной высоковольтной электроники.
Часто используемое дополнительное легирование растущего монокристалла компенсирующей примесью для обеспечения высокоомности подложек (ρ > 108 Ом·см), предназначенных для СВЧ-электроники, не обеспечивает требуемых характеристик субстрата при эксплуатации в экстремальных СВЧ-режимах. Это заставляет обращаться к высокочистым нелегированным подложкам, которые фактически эксклюзивны не только по ценовым параметрам, но и по доступности, особенно для отечественного потребителя.
Характеризуя развитие в ЛЭТИ работ по росту кристаллов SiC следует выделить следующие проекты:
•создание совместно с ООО "Сектор" новой полностью отечественной установки по выращиванию монокристаллов SiC (рис.3) с возможностью получения слитков (рис.4) диаметром до 6 дюймов;
•проведение комплекса исследований по росту карбида кремния на подложках с нетрадиционными кристаллографическими ориентациями [10];
•изучение процессов обратимого ростового политипизма в системе SiC–AlN в рамках представлений о матричной репликации редких политипов (рис.5).
Анализ и освоение процессов эпитаксиального роста карбида кремния осуществлялись сотрудниками СПбГЭТУ с использованием зарубежной экспериментальной базы, а с конца 2015 года – в рамках постановки данного процесса в составе технологического маршрута изготовления приборов силовой высоковольтной электроники на базе университета. Определены наиболее критические моменты управления процессами гомоэпитаксии, исходя из следующих базовых критериев: чистота и уровень легирования материала; структурное совершенство и скорость роста эпитаксиальных слоев; морфология поверхности. Данные обобщенные представления иллюстрирует схема на рис.6.
Эволюцию процессов газофазной эпитаксии SiC отражает табл.5.
Управление процессом легирования осуществляется тремя основными способами:
•выбором легирующего прекурсора (n-тип доноры: азот, N2, NH3, фосфор, PH3; p-тип акцепторы: алюминий и галлий, металлоорганика Al(CH3)3, Ga(CH3)3) и их концентрацией, определяемой скоростью потока газа;
•соотношением Si/C (n-тип), C/Si (p-тип);
•кристаллографической ориентацией (0001) Si или (0001) C (растворимость примесей, например, алюминия на Si-грани на порядок превосходит растворимость примесей на С-грани).
Наиболее востребованной технологической возможностью при создании приборов на SiC по абсолютно доминирующей эпитаксиальной технологии является смена типа легирующей примеси в ростовом реакторе без его "разгерметизации" непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Имеющийся у ЛЭТИ современный эпитаксиальный реактор позволяет реализовать данный процесс, включая автоматическую загрузку подложек.
Необходимость формирования в России карбидокремниевой индустрии как одного из приоритетных направлений при решении задач импортозамещения ЭКБ и обеспечения паритета в технологиях, определяющих научно-технологическую конкурентоспособность и безопасность государства, не вызывает сомнений. Конкурентоспособные разработки экстремальной ЭКБ на SiC, выполненные в ЛЭТИ, будут рассмотрены во второй части статьи.
ЛИТЕРАТУРА
1.Tairov Y.M., Tsvetkov V.F. Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystal // J. Crystal Growth, 1978. Vol. 43. Iss 2. РР. 209–212.
2.Зубков В.И., Панов М.Ф., Афанасьев А.В. и др. На пути к дельта-легированному полупроводниковому алмазу // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 12 (185). С. 22–31.
3.Афанасьев А.В., Голубков В.А., Ильин В.А. и др. Матричные автоэмиссионные катоды на основе карбида кремния с наноструктурированной поверхностью // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 12 (185). С. 49–55.
4.Golubkov V.A., Ivanov A.S., Ilyin V.A., Luchinin V.V. and Bogdanov S.A., Chernov V.V., Vikharev A.L. Diamond dielectric thin film stabilizing effect on silicon carbide nanostructured field emission array. International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices – Science and Technology, Proceedings 2015. РР. 121–122.
5.Голоудина С.И., Лучинин В.В., Пасюта М. и др. Особенности строения и перспективы использования пленок Ленгмюра-Блоджетт жесткоцепных полиимидов // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 12 (149). С. 9–14.
6.Luchinin V. et al. Method for Pore Sealing of Porous Materials Using Polyimide Langmuir-Blodgett Film. US Patent appl., 2013-0251978 A1, publ. 09-26-2013, European Patent appl., EP20130159886, publ. 2013-11-13.
7.Афанасьев А.В., Ильин В.А., Лебедев А.О. и др. Карбид кремния – наноразмерный алмазоподобный широкозонный полупроводниковый материал и приборы на его основе // Биотехносфера. 2011. № 1–2(13–14). С. 11–19.
8.Лучинин В.В., Таиров Ю.М. Отечественный карбид кремния // Известия вузов. Электроника. 2011. № 6(92). С. 3–26.
9.Авров Д.Д., Булатов А.В., Дорожкин С.М. и др. Рост слитков карбида кремния политипа 4Н на затравках с плоскостью (10–10) // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 12. С. 1483–1487.
10.Tairov Y., Lebedev A., Avrov D. The main defects of silicon carbide ingots and epitaxial lagers. LAP LAMBERT publishing, Germany, 2016, 72 p.
•отсутствие в течение длительного времени системного подхода к решению вопроса формирования в России современного промышленного производства полупроводникового карбида кремния и ЭКБ на его основе при значительных совокупных экономических затратах на исследования и разработки в данной области со стороны различных ведомств и организаций;
•необходимость формирования в России карбидокремниевой индустрии как одного из направлений в решении задачи импортозамещения ЭКБ и обеспечения паритета в технологиях, определяющих научно-технологическое превосходство и безопасность государства.
В начале 2016 года в рамках определения стратегических направлений развития ЛЭТИ при реализации программы по повышению конкурентоспособности ведущих университетов Российской Федерации (ТОП-100) в качестве одного из приоритетных направлений была определена "Углеродная электроника". Этот выбор обусловлен тем, что углероду как широко распространенному в природе химическому элементу присущ атомно-молекулярный энергетический конформизм, определяющий структурно-функциональное и физико-химическое разнообразие углеродосодержащих материалов, а также их органо-неорганическую конвергенцию в рамках биотехносферы.
Основанием к формированию на базе ЛЭТИ междисциплинарного центра превосходства "Углеродная электроника", адаптированного к современной международной инновационной конкурентной среде, является признанный в России и за рубежом высокий уровень компетенций, в том числе в области междисциплинарных исследований, достигнутый сотрудниками университета при проведении в течение ряда лет работ по синтезу, структуро- и формообразованию углеродосодержащих неорганических материалов и композиций органической природы. Особо следует отметить достижения ряда научно-образовательных коллективов, функционирующих на базе вуза, по критическим направлениям развития углеродных материалов и ЭКБ на их основе, включая технологии роста объемных монокристаллов карбида кремния (метод ЛЭТИ) [1], эпитаксиальных структур алмаза с ранее недостижимыми электрофизическими параметрами [2], 3D наноразмерных топологически упорядоченных композиций "карбид кремния – наноструктурированный алмаз" для автоэмиссионной электроники [3, 4], нанослоевых 2D-композиций жесткоцепных полиимидов для межслойной изоляции нанопористыми low-k-диэлектриками в новейших интегральных микросхемах с наноразмерными топологическими нормами [5, 6].
В рамках поставленной цели были определены следующие целевые сегменты рынка наукоемкой инновационной продукции:
•карбид кремния и композиции "карбид кремния – графен", "карбид кремния – алмаз";
•алмаз и эпитаксиальные композиции на его основе;
•2D и 3D наноразмерный углерод: графен, нанотрубки;
•полимеры и биополимеры: структуро- и формо-образование, аддитивные печатные и бионические технологии.
Основным ожидаемым результатом, определяющим эффективность Междисциплинарного центра превосходства "Углеродная электроника", является реализация модели инновационного развития с формированием на базе вуза конкурентоспособных технологических ниш с их инфраструктурным практическим воплощением в технологические линии и маршруты по направлениям: алмаз, карбид кремния, гибкая печатная электроника.
Реализация амбициозных проектов и экспресс-трансформация знаний от исследовательской к производственной стадиям требует концентрации компетенций, инфраструктурных ресурсов и профессиональной элиты. Выбор в качестве одного из направлений формирования конкурентоспособной национальной инновационной среды технологической ниши карбидокремниевой электроники определил необходимость детального системного анализа современных проблем и достижений карбидокремниевой индустрии с целью позиционирования ЛЭТИ на рынке наукоемкой и реально востребованной продукции. Целью данной статьи является системный анализ ключевых проблем и прогрессивных тенденций в технологии карбида кремния и ЭКБ на его основе.
Учитывая необходимость формирования у читателя системных представлений о состоянии работ в карбидокремниевой индустрии материал статьи излагается преимущественно в виде таблиц и графических обобщенных представлений, что должно обеспечить наглядность и возможность практического использования результатов анализа. Наиболее значимые современные тенденции иллюстрируются на примере отечественных разработок, выполненных в СПбГЭТУ в области ростовых процессов и перспективной ЭКБ только в течение последних нескольких лет. Более ранние разработки достаточно подробно изложены в работах [6–9].
Карбид кремния – материал
электронной техники
Промышленная история карбида кремния берет свое начало в 1893 году, когда Е.Ачесоном была предложена сублимационная технология получения абразивного материала за счет испарения шихты, в основе которой лежал углерод и кремний (фактически – кварцевый песок). В процессе высокотемпературного синтеза формировался карбидокремниевый спек, преимущественно содержащий бинарное химическое соединение – карбид кремния в виде сростков кристаллов. Данный абразивный материал с высокой твердостью по Моосу (9,2–9,3) получил название карборунд. Дальнейшую историю становления карбида кремния как материала полупроводниковой техники отражает табл.1.
Впервые результаты по выращиванию объемных монокристаллов – слитков SiC – были представлены сотрудниками Ленинградского электротехнического института Ю.М.Таировым и В.Ф.Цветковым в 1976 году на I Европейской конференции по выращиванию кристаллов из газовой фазы в Цюрихе (Швейцария). Полномасштабная публикация о новом методе роста SiC, получившего название в мировой практике по аналогии с методом Лели метод ЛЭТИ, появилась в 1978 году [1] в международном журнале Cristal Growth. В основу метода была положена классическая схема конденсации пересыщенного пара на "монокристалл – затравку" карбида кремния.
В течение ряда лет в рамках технологии разращивания базовой затравки, полученной первоначально по методу Лели, удалось перейти к росту объемных монокристаллических слитков карбида кремния диаметром в несколько дюймов. Эволюцию размеров выращиваемых монокристаллов карбида кремния по методу ЛЭТИ, определившему для мировой практики возможность перехода к промышленной технологии интегрально-группового создания приборов на карбиде кремния, иллюстрирует рис.1.
Физико-химические и технологические особенности SiC как материала электронной техники отражает табл.2. Комплексный анализ базовых полупроводниковых материалов в отношении их свойств, определяющих функциональное назначение и достигаемые параметры ЭКБ, иллюстрирует рис.2.
Выполненное ранжирование (рис.2) указывает на соседство карбида кремния с такими перспективными материалами, как нитриды галлия и алюминия, а также с алмазом. Определяющими с точки зрения достижения экстремальных режимов и условий эксплуатации являются ширина запрещенной зоны, температура Дебая, теплопроводность, критическая напряженность электрического поля, скорость насыщения дрейфа носителей.
Важнейшими критериями обобщенного качества материала в отношении режимов работы ЭКБ на их основе являются Johnson, Kejes и Baliga, учитывающие фактически допустимую тепловую или электрическую нагрузку, что отражается в произведениях "коммутируемая (генерируемая) мощность × частота", "рабочее напряжение × плотность тока", или в виде "достижимой скорости нарастания напряжения" в импульсных системах. Все вышеуказанные базовые характеристики материала входят в данные критерии оценки достижимых параметров приборов силовой, высокочастотной, импульсной электроники.
Стойкость SiC к различным видам воздействий часто обобщаются в литературе как температура Дебая, которая фактически может быть детализирована по ряду основных экстремальных воздействующих факторов (табл.3).
Ключевые проблемы технологии SiC
Стойкость SiC к внешним воздействиям определяет и сложности в технологии синтеза, обработки и модифицирования данного материала. Современные ключевые проблемы при промышленном освоении ЭКБ на основе SiC системно упорядочены в табл.4.
Особое внимание заслуживают ростовые проблемы, связанные с получением как сильно легированных монокристаллов подложек для силовой электроники на SiC, так и высокоомных подложек, являющихся базовыми субстратами для приборов СВЧ-электроники на основе гетероструктурных композиций GaN/AlN/SiC. Низкоомность подложки достигается легированием монокристаллов в процессе роста азотом. Однако, при определенных уровнях концентрации имеет место дефектообразование, ухудшающее структурные характеристики материала. Это отрицательно сказывается на качестве эпитаксиальных слоев SiC, что недопустимо при создании приборов сильноточной высоковольтной электроники.
Часто используемое дополнительное легирование растущего монокристалла компенсирующей примесью для обеспечения высокоомности подложек (ρ > 108 Ом·см), предназначенных для СВЧ-электроники, не обеспечивает требуемых характеристик субстрата при эксплуатации в экстремальных СВЧ-режимах. Это заставляет обращаться к высокочистым нелегированным подложкам, которые фактически эксклюзивны не только по ценовым параметрам, но и по доступности, особенно для отечественного потребителя.
Характеризуя развитие в ЛЭТИ работ по росту кристаллов SiC следует выделить следующие проекты:
•создание совместно с ООО "Сектор" новой полностью отечественной установки по выращиванию монокристаллов SiC (рис.3) с возможностью получения слитков (рис.4) диаметром до 6 дюймов;
•проведение комплекса исследований по росту карбида кремния на подложках с нетрадиционными кристаллографическими ориентациями [10];
•изучение процессов обратимого ростового политипизма в системе SiC–AlN в рамках представлений о матричной репликации редких политипов (рис.5).
Анализ и освоение процессов эпитаксиального роста карбида кремния осуществлялись сотрудниками СПбГЭТУ с использованием зарубежной экспериментальной базы, а с конца 2015 года – в рамках постановки данного процесса в составе технологического маршрута изготовления приборов силовой высоковольтной электроники на базе университета. Определены наиболее критические моменты управления процессами гомоэпитаксии, исходя из следующих базовых критериев: чистота и уровень легирования материала; структурное совершенство и скорость роста эпитаксиальных слоев; морфология поверхности. Данные обобщенные представления иллюстрирует схема на рис.6.
Эволюцию процессов газофазной эпитаксии SiC отражает табл.5.
Управление процессом легирования осуществляется тремя основными способами:
•выбором легирующего прекурсора (n-тип доноры: азот, N2, NH3, фосфор, PH3; p-тип акцепторы: алюминий и галлий, металлоорганика Al(CH3)3, Ga(CH3)3) и их концентрацией, определяемой скоростью потока газа;
•соотношением Si/C (n-тип), C/Si (p-тип);
•кристаллографической ориентацией (0001) Si или (0001) C (растворимость примесей, например, алюминия на Si-грани на порядок превосходит растворимость примесей на С-грани).
Наиболее востребованной технологической возможностью при создании приборов на SiC по абсолютно доминирующей эпитаксиальной технологии является смена типа легирующей примеси в ростовом реакторе без его "разгерметизации" непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Имеющийся у ЛЭТИ современный эпитаксиальный реактор позволяет реализовать данный процесс, включая автоматическую загрузку подложек.
Необходимость формирования в России карбидокремниевой индустрии как одного из приоритетных направлений при решении задач импортозамещения ЭКБ и обеспечения паритета в технологиях, определяющих научно-технологическую конкурентоспособность и безопасность государства, не вызывает сомнений. Конкурентоспособные разработки экстремальной ЭКБ на SiC, выполненные в ЛЭТИ, будут рассмотрены во второй части статьи.
ЛИТЕРАТУРА
1.Tairov Y.M., Tsvetkov V.F. Investigation of growth processes of ingots of silicon carbide single crystal // J. Crystal Growth, 1978. Vol. 43. Iss 2. РР. 209–212.
2.Зубков В.И., Панов М.Ф., Афанасьев А.В. и др. На пути к дельта-легированному полупроводниковому алмазу // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 12 (185). С. 22–31.
3.Афанасьев А.В., Голубков В.А., Ильин В.А. и др. Матричные автоэмиссионные катоды на основе карбида кремния с наноструктурированной поверхностью // Нано- и микросистемная техника. 2015. № 12 (185). С. 49–55.
4.Golubkov V.A., Ivanov A.S., Ilyin V.A., Luchinin V.V. and Bogdanov S.A., Chernov V.V., Vikharev A.L. Diamond dielectric thin film stabilizing effect on silicon carbide nanostructured field emission array. International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices – Science and Technology, Proceedings 2015. РР. 121–122.
5.Голоудина С.И., Лучинин В.В., Пасюта М. и др. Особенности строения и перспективы использования пленок Ленгмюра-Блоджетт жесткоцепных полиимидов // Нано- и микросистемная техника. 2012. № 12 (149). С. 9–14.
6.Luchinin V. et al. Method for Pore Sealing of Porous Materials Using Polyimide Langmuir-Blodgett Film. US Patent appl., 2013-0251978 A1, publ. 09-26-2013, European Patent appl., EP20130159886, publ. 2013-11-13.
7.Афанасьев А.В., Ильин В.А., Лебедев А.О. и др. Карбид кремния – наноразмерный алмазоподобный широкозонный полупроводниковый материал и приборы на его основе // Биотехносфера. 2011. № 1–2(13–14). С. 11–19.
8.Лучинин В.В., Таиров Ю.М. Отечественный карбид кремния // Известия вузов. Электроника. 2011. № 6(92). С. 3–26.
9.Авров Д.Д., Булатов А.В., Дорожкин С.М. и др. Рост слитков карбида кремния политипа 4Н на затравках с плоскостью (10–10) // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 12. С. 1483–1487.
10.Tairov Y., Lebedev A., Avrov D. The main defects of silicon carbide ingots and epitaxial lagers. LAP LAMBERT publishing, Germany, 2016, 72 p.
Отзывы читателей
