eng
Выпуск #6/2017
С.Гамкрелидзе
ИСВЧПЭ РАН: промышленные российские СВЧ-технологии мирового уровня
ИСВЧПЭ РАН: промышленные российские СВЧ-технологии мирового уровня
Просмотры: 4055
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (ИСВЧПЭ РАН) создан 16 апреля 2002 года с целью проведения научных исследований и прикладных разработок в области сверхвысокочастотной (СВЧ) и крайне высокочастотной полупроводниковой электроники. Реализованные ИСВЧПЭ РАН проекты в немалой степени способствовали тому, что по уровню разработок в области СВЧ-электроники Россия не уступает ведущим технологическим державам мира. О направлениях развития СВЧ-техники и работе института рассказал директор ИСВЧПЭ РАН Сергей Анатольевич Гамкрелидзе.
DOI: 10.22184/1993-8578.2017.77.6.8.15
DOI: 10.22184/1993-8578.2017.77.6.8.15
Сергей Анатольевич, каковы задачи и направления работы ИСВЧПЭ РАН?
Институт был создан 15 лет назад для разработки новых перспективных СВЧ-технологий электроники и последующего их внедрения на ведущих предприятиях отрасли с созданием на их основе транзисторов, монолитных схем и других приборов СВЧ-диапазона нового поколения. Идея создания ИСВЧПЭ РАН получила поддержку Жореса Ивановича Алферова, Юрия Васильевича Гуляева и других ведущих физиков страны. Научная тематика изначально была связана с разработкой приборов на основе гетероструктур. В качестве базового материала вначале использовался арсенид галлия, затем мы стали работать с новыми широкозонными материалами. В последнее время акцент делается на гетероструктуры на нитриде галлия, который считается наиболее перспективным материалом для СВЧ-техники как гражданского, так и специального назначения. В этой области мы являемся одним из лидеров не только среди институтов РАН, но и в целом в стране.
В настоящее время основные направления разработок связаны с созданием новых гетероструктур, монолитных схем различных частотных диапазонов, начиная от дециметровых и до ультрамиллиметрового, а также систем на кристалле, в первую очередь – полнофункциональных приемопередающих модулей. В перспективе планируем в рамках общемирового тренда создавать системы, включающие как СВЧ-блоки, так и цифровые схемы для обработки вторичной информации. Такие комбинированные решения позволят реализовать новые перспективные приборы для систем связи нового поколения, автомобильной электроники, робототехники, миниатюрных космических аппаратов. Данное направление считается одним из приоритетных и в стране, и в мире.
Каковы тенденции развития СВЧ-электроники в мире?
СВЧ-изделия развиваются в направлении увеличения частот. Если сейчас многие приборы работают в сантиметровом диапазоне, то в дальнейшем будет в основном использоваться миллиметровый диапазон. Большой потенциал имеется и в области так называемых терагерцовых технологий. Мы ведем достаточно масштабные исследования проблем создания приборов для частот до 6 ТГц, в частности, в прошлом году разработали квантово-каскадный лазер, который показал устойчивую генерацию. В дальнейшем будем развивать данное направление, разрабатывая и квантово-каскадные лазеры, и антенны для терагерцового диапазона, и приборы, которые могут быть на них построены.
Также хотел бы отметить тенденцию к созданию высокоинтегрированных комбинированных систем, где цифровые и СВЧ-элементы размещаются на одном кристалле. Такое решение позволит максимально приблизить процессорную часть к приемнику СВЧ-сигнала, что обеспечит уменьшение габаритов прибора, минимизацию погрешностей, улучшение надежности и стойкости к внешним факторам.
Как вы оцениваете современный уровень разработок и производства СВЧ-электроники в России?
Я считаю, что в последние годы в стране было сделано очень много для развития этого направления. Если в 1990-е годы наметилось отставание, то сейчас мы его постепенно ликвидируем. В частности, большой проект по организации производства твердотельной и вакуумной СВЧ-электроники реализуется в НПП "Исток" им. А.И.Шокина в подмосковном Фрязино. В ГЗ "Пульсар" (Москва) уже на стадии монтажа оборудования находится инвестиционный проект по созданию первого в стране серийного производства монолитных схем на нитриде галлия. Мы сотрудничаем и с "Истоком", и с "Пульсаром". С последним выполняется совместная ОКР, в рамках которого наши разработки в области СВЧ-электроники должны будут внедряться в серийное производство.
В целом, Департамент радиоэлектронной промышленности Минпромторга России прилагает большие усилия, чтобы наша электронная компонентная база вышла на современный уровень, и его работа заслуживает самой высокой оценки. Положительную роль сыграла программа импортозамещения, которая стимулировала разработку современных российских полупроводниковых приборов с целью замены иностранных изделий, применяемых в отечественной радиоэлектронной аппаратуре. Таким образом, по уровню разработок СВЧ-электроники мы уже идем вровень с зарубежными компаниями, а отставание во внедрении и серийном производстве будет сведено к минимуму после реализации проектов, о которых я упоминал.
В разных отраслях экономики эффект от импортозамещения был различен. Насколько эта политика помогла развитию СВЧ-электроники?
В радиоэлектронике был реализован правильный подход к импортозамещению, поэтому оно действительно приносит пользу отрасли. Мы не пошли по пути копирования импортных приборов, так как при этом изначально закладывается отставание от зарубежных разработчиков на 5–10 лет. Создание же приборов на нашей технологической базе, которые по своим параметрам соответствуют зарубежным изделиям, не копируя их конструкцию, – значительно более рациональная политика, позволяющая нормально развивать исследования, разработки и производство. Вместе с тем, поскольку в нашей аппаратуре используется очень большая номенклатура микросхем иностранного производства, и воспроизводить каждую из них в отдельности нецелесообразно с точки зрения затрат времени и средств, перспективным путем является создание высокоинтегрированных СВЧ-приборов, которые по совокупности своих параметров позволят заместить несколько типов зарубежных монолитных интегральных схем (МИС). Например, мы сейчас ведем разработку высокоинтегрированных приемопередающих модулей, которые заменят шесть типов зарубежных приборов.
Какова роль технологической платформы "СВЧ-технологии" в развитии российской СВЧ-техники?
Технологическая платформа координирует развитие СВЧ-электроники в стране – как науки, так и производства. Фактически, она аккумулирует перспективные идеи и дает импульс их развитию. В рамках технологической платформы мы налаживаем и развиваем сотрудничество с промышленными предприятиями, которые регулярно представляют свои инициативные проекты. Считаю, что активная работа структур технологической платформы обеспечивает интенсификацию развития российской СВЧ-техники.
Какими ноу-хау обладает институт?
Мы имеем хорошие наработки в областях создания монолитных схем миллиметрового диапазона (59–64 ГГц), приборов трехмиллиметрового диапазона (89–93 ГГц), приемопередающих модулей, где и приемная и передающая часть находятся на одном кристалле. Отмечу, что интегрированные приборы обеспечивают важные для ряда применений преимущества с точки зрения уменьшения шумов на входе и повышения выходной мощности. На нитриде галлия однокристальные интегрированные приборы со встроенными антеннами получены нашим институтом впервые в мире.
В текущем году мы первыми в стране разработали МИС МШУ и ГУН на основе структур "нитрид галлия на кремнии". За рубежом это направление начало развиваться также совсем недавно. Такие приборы значительно дешевле и технологичнее в производстве чем, например, изделия, в которых в качестве подложки используется карбид кремния. Структуры "нитрид галлия на кремнии" совместимы с классическими кремниевыми технологиями, реализованными на предприятиях отечественной радиоэлектронной отрасли, поэтому появляется возможность в едином цикле создавать и СВЧ-, и цифровые элементы. Для реализации такого производства также важно, что существуют технологии изготовления нитрид галлиевых СВЧ МИС без использования золота.
Как вы оцениваете перспективы применения разработок института в гражданской технике?
Наши приборы могут применяться в системах мобильной связи поколения 5G, автомобильных локаторах, датчиках для роботов различного назначения, включая малогабаритные медицинские. Разработки в области терагерцовой техники найдут применение, например, в оборудовании для медицинской диагностики и в высокочувствительных датчиках химических веществ.
Каковы источники финансирования проектов в гражданской сфере?
Поскольку мы являемся государственным учреждением, то получаем финансирование в рамках утвержденного годового плана исследований. Дополнительные средства на научные исследования привлекаем в рамках контрактов с Минобрнауки России, а получив экспериментальные образцы выполняем ОКР для Минпромторга России. Также получаем прямые заказы от промышленных предприятий, при этом часто речь идет о работах особой сложности. Например, недавно мы разработали технологию формирования дифракционной решетки на пластинах с элементами лазерных диодов для оптоэлектронных модулей СВЧ-диапазона по заказу НИИ "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха. Кроме нас никто ни в России, ни в Белоруссии не смог решить эту задачу.
Можно ли повысить эффективность системы государственного финансирования НИОКР в России?
Уровень финансирования науки в стране в целом недостаточен. Средств, выделяемых ФАНО, нам хватает на финансирование примерно 25% научно-исследовательских проектов, остальное мы вынуждены изыскивать сами. Если бы была принята отдельная программа финансирования фундаментальных поисковых исследований, то скорость и эффективность разработки и внедрения новых технологий были бы выше.
Что касается ОКР, то на государственных конкурсах преимущества имеют крупные компании, имеющие необходимые свободные средства для обеспечения контракта. Мы, как государственное предприятие, таких средств не имеем и привлечь не можем. Поэтому наиболее рациональной схемой является сотрудничество с промышленными предприятиями, когда мы разрабатываем для них технологии, получаем опытные образцы приборов, проводим испытания и затем передаем все наработки заказчику, который осваивает серийный выпуск продукции.
Какой производственной инфраструктурой располагает институт?
Мы последовательно реализуем модель Fab light, которая предполагает проведение исследований, разработок, моделирования, изготовления опытных образцов, а также выпуск малых серий приборов непосредственно в институте. Во многих случаях такая схема оптимальна, так как производство малых партий на больших предприятиях не выгодно ни заказчику, ни исполнителю. Небольшие серии изделий, которые надо быстро изготовить и быстро внедрить, требуются, например, космической отрасли. Я считаю, что для организаций, подобных нашей, занимающихся и исследованиями, и опытным производством, этот вектор развития оправдан.
К сожалению, мы не можем реализовывать крупные инвестиционные проекты, поскольку бюджетное финансирование ограничено достаточно узкими рамками, а банковские кредиты государственным организациям не доступны. Тем не менее, регулярно расширяем и обновляем парк оборудования. Например, в этом году получим установку атомно-слоевого осаждения. Кое-что стараемся закупать на внебюджетные средства. В частности, сейчас с рядом коммерческих структур прорабатывается вопрос получения оборудования в лизинг для реализации проекта в области гражданской мобильной связи.
"Узким местом" нашего производства пока является недооснащенность участка групповой обработки пластин. Однако имеются и поводы для гордости. Например, когда мы первыми в стране выпустили партию МШУ и ГУН на структурах "нитрид галлия на кремнии", то выход годных кристаллов с пластины составил 80% – это в несколько раз выше, чем на отечественных промышленных предприятиях.
Участвует ли ИСВЧПЭ РАН в международных проектах?
В рамках союзного государства России и Белоруссии мы планируем вместе с ПАО "Радиофизика" реализовать программу по созданию активных фазированных антенных решеток миллиметрового диапазона и электронных компонентов для них. Сотрудничество со странами дальнего зарубежья в основном ограничивается обычным для научного сообщества обменом информацией о НИОКР в рамках конференций и других научных мероприятий. Поскольку наш институт участвует в выполнении гособоронзаказа и наши технологические разработки принадлежат государственному заказчику, мы серьезно относимся к вопросу охраны своих ноу-хау. К тому же предложений о полноценном сотрудничестве, которое предусматривало бы взаимное обогащение знаниями и технологиями, от иностранных коллег не поступало, а в том, чтобы в одностороннем порядке отдать свои наработки для реализации где-то за рубежом, мы, естественно, не заинтересованы.
Какова роль института в подготовке кадров для отрасли?
У нас работает аспирантура, мы достаточно жестко подходим к отбору кандидатов и, как результат, почти 100% ее выпускников защищают диссертации, после чего работают по специальности в нашем институте или других организациях отрасли. Аспиранты приходят в основном из МИФИ, МИРЭА и МИЭТ.
Расскажите, пожалуйста, о планах и перспективах развития института.
Учитывая финансовые показатели института, ФАНО приняло решение перевести нас на новую автономную форму работы. Когда будут утверждены все необходимые документы, мы получим статус "федерального государственного автономного научного учреждения". Будет образован управляющий орган – наблюдательный совет, который без согласования с ФАНО, обычно требующего недель и даже месяцев, будет принимать решения, касающиеся оперативного управления работой института. Мы сможем получать банковские кредиты и реализовывать лизинговые схемы. При этом ИСВЧПЭ останется государственным учреждением. Такова ближайшая перспектива.
Планы развития включают дооснащение нашей технологической линии и переход к мелкосерийному производству СВЧ-приборов, освоение новой площадки в Мытищах и перевод туда части оборудования, создание нового поколения приборов на нитридных структурах на кремнии, выход в новые частотные диапазоны, взаимодействие с предприятиями микроэлектроники по созданию комбинированных систем на кристалле. Отмечу, что мы постоянно создаем новые технологии, ориентированные на решение прикладных задач. Среди них есть уникальные разработки, например технология, которая может позволить в очень короткие сроки создавать СВЧ-изделия разных частотных диапазонов и функциональных назначений на основе ряда унифицированных компонентов. Впрочем, более подробно о ней рассказывать пока рано.
В заключение хотел бы сказать, что Россия не может существовать без электронного производства мирового уровня. В условиях экономических санкций только научные организации могут создавать конкурентоспособные технологии мирового уровня. Поэтому хотелось бы, чтобы наши промышленные предприятия более активно сотрудничали с институтами РАН. Новейшие технологии нам никто не продаст, их можно разработать только внутри страны, и наш институт готов это делать.
Интервью: Дмитрий Гудилин
28 сентября научному руководителю ИСВЧПЭ РАН, доктору технических наук, профессору Петру Павловичу Мальцеву исполнилось 70 лет.
Петр Павлович более 40 лет работает в российской радиоэлектронной отрасли, занимал ответственные посты в 22 ЦНИИИ Минобороны, Секции прикладных проблем при Президиуме РАН, НПК "Технологический центр" МИЭТ, а с 2010 по 2016 годы возглавлял ИСВЧПЭ РАН. П.П.Мальцев – автор около 200 работ, в том числе 12 патентов и восьми монографий, удостоен звания "Заслуженный деятель науки Российской Федерации" (2014 г.), лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники за 1999 год (2000 г.).
Издательство "ТЕХНОСФЕРА" поздравляет Петра Павловича с юбилеем и желает ему долгих лет плодотворной работы на благо российской науки и промышленности!
Институт был создан 15 лет назад для разработки новых перспективных СВЧ-технологий электроники и последующего их внедрения на ведущих предприятиях отрасли с созданием на их основе транзисторов, монолитных схем и других приборов СВЧ-диапазона нового поколения. Идея создания ИСВЧПЭ РАН получила поддержку Жореса Ивановича Алферова, Юрия Васильевича Гуляева и других ведущих физиков страны. Научная тематика изначально была связана с разработкой приборов на основе гетероструктур. В качестве базового материала вначале использовался арсенид галлия, затем мы стали работать с новыми широкозонными материалами. В последнее время акцент делается на гетероструктуры на нитриде галлия, который считается наиболее перспективным материалом для СВЧ-техники как гражданского, так и специального назначения. В этой области мы являемся одним из лидеров не только среди институтов РАН, но и в целом в стране.
В настоящее время основные направления разработок связаны с созданием новых гетероструктур, монолитных схем различных частотных диапазонов, начиная от дециметровых и до ультрамиллиметрового, а также систем на кристалле, в первую очередь – полнофункциональных приемопередающих модулей. В перспективе планируем в рамках общемирового тренда создавать системы, включающие как СВЧ-блоки, так и цифровые схемы для обработки вторичной информации. Такие комбинированные решения позволят реализовать новые перспективные приборы для систем связи нового поколения, автомобильной электроники, робототехники, миниатюрных космических аппаратов. Данное направление считается одним из приоритетных и в стране, и в мире.
Каковы тенденции развития СВЧ-электроники в мире?
СВЧ-изделия развиваются в направлении увеличения частот. Если сейчас многие приборы работают в сантиметровом диапазоне, то в дальнейшем будет в основном использоваться миллиметровый диапазон. Большой потенциал имеется и в области так называемых терагерцовых технологий. Мы ведем достаточно масштабные исследования проблем создания приборов для частот до 6 ТГц, в частности, в прошлом году разработали квантово-каскадный лазер, который показал устойчивую генерацию. В дальнейшем будем развивать данное направление, разрабатывая и квантово-каскадные лазеры, и антенны для терагерцового диапазона, и приборы, которые могут быть на них построены.
Также хотел бы отметить тенденцию к созданию высокоинтегрированных комбинированных систем, где цифровые и СВЧ-элементы размещаются на одном кристалле. Такое решение позволит максимально приблизить процессорную часть к приемнику СВЧ-сигнала, что обеспечит уменьшение габаритов прибора, минимизацию погрешностей, улучшение надежности и стойкости к внешним факторам.
Как вы оцениваете современный уровень разработок и производства СВЧ-электроники в России?
Я считаю, что в последние годы в стране было сделано очень много для развития этого направления. Если в 1990-е годы наметилось отставание, то сейчас мы его постепенно ликвидируем. В частности, большой проект по организации производства твердотельной и вакуумной СВЧ-электроники реализуется в НПП "Исток" им. А.И.Шокина в подмосковном Фрязино. В ГЗ "Пульсар" (Москва) уже на стадии монтажа оборудования находится инвестиционный проект по созданию первого в стране серийного производства монолитных схем на нитриде галлия. Мы сотрудничаем и с "Истоком", и с "Пульсаром". С последним выполняется совместная ОКР, в рамках которого наши разработки в области СВЧ-электроники должны будут внедряться в серийное производство.
В целом, Департамент радиоэлектронной промышленности Минпромторга России прилагает большие усилия, чтобы наша электронная компонентная база вышла на современный уровень, и его работа заслуживает самой высокой оценки. Положительную роль сыграла программа импортозамещения, которая стимулировала разработку современных российских полупроводниковых приборов с целью замены иностранных изделий, применяемых в отечественной радиоэлектронной аппаратуре. Таким образом, по уровню разработок СВЧ-электроники мы уже идем вровень с зарубежными компаниями, а отставание во внедрении и серийном производстве будет сведено к минимуму после реализации проектов, о которых я упоминал.
В разных отраслях экономики эффект от импортозамещения был различен. Насколько эта политика помогла развитию СВЧ-электроники?
В радиоэлектронике был реализован правильный подход к импортозамещению, поэтому оно действительно приносит пользу отрасли. Мы не пошли по пути копирования импортных приборов, так как при этом изначально закладывается отставание от зарубежных разработчиков на 5–10 лет. Создание же приборов на нашей технологической базе, которые по своим параметрам соответствуют зарубежным изделиям, не копируя их конструкцию, – значительно более рациональная политика, позволяющая нормально развивать исследования, разработки и производство. Вместе с тем, поскольку в нашей аппаратуре используется очень большая номенклатура микросхем иностранного производства, и воспроизводить каждую из них в отдельности нецелесообразно с точки зрения затрат времени и средств, перспективным путем является создание высокоинтегрированных СВЧ-приборов, которые по совокупности своих параметров позволят заместить несколько типов зарубежных монолитных интегральных схем (МИС). Например, мы сейчас ведем разработку высокоинтегрированных приемопередающих модулей, которые заменят шесть типов зарубежных приборов.
Какова роль технологической платформы "СВЧ-технологии" в развитии российской СВЧ-техники?
Технологическая платформа координирует развитие СВЧ-электроники в стране – как науки, так и производства. Фактически, она аккумулирует перспективные идеи и дает импульс их развитию. В рамках технологической платформы мы налаживаем и развиваем сотрудничество с промышленными предприятиями, которые регулярно представляют свои инициативные проекты. Считаю, что активная работа структур технологической платформы обеспечивает интенсификацию развития российской СВЧ-техники.
Какими ноу-хау обладает институт?
Мы имеем хорошие наработки в областях создания монолитных схем миллиметрового диапазона (59–64 ГГц), приборов трехмиллиметрового диапазона (89–93 ГГц), приемопередающих модулей, где и приемная и передающая часть находятся на одном кристалле. Отмечу, что интегрированные приборы обеспечивают важные для ряда применений преимущества с точки зрения уменьшения шумов на входе и повышения выходной мощности. На нитриде галлия однокристальные интегрированные приборы со встроенными антеннами получены нашим институтом впервые в мире.
В текущем году мы первыми в стране разработали МИС МШУ и ГУН на основе структур "нитрид галлия на кремнии". За рубежом это направление начало развиваться также совсем недавно. Такие приборы значительно дешевле и технологичнее в производстве чем, например, изделия, в которых в качестве подложки используется карбид кремния. Структуры "нитрид галлия на кремнии" совместимы с классическими кремниевыми технологиями, реализованными на предприятиях отечественной радиоэлектронной отрасли, поэтому появляется возможность в едином цикле создавать и СВЧ-, и цифровые элементы. Для реализации такого производства также важно, что существуют технологии изготовления нитрид галлиевых СВЧ МИС без использования золота.
Как вы оцениваете перспективы применения разработок института в гражданской технике?
Наши приборы могут применяться в системах мобильной связи поколения 5G, автомобильных локаторах, датчиках для роботов различного назначения, включая малогабаритные медицинские. Разработки в области терагерцовой техники найдут применение, например, в оборудовании для медицинской диагностики и в высокочувствительных датчиках химических веществ.
Каковы источники финансирования проектов в гражданской сфере?
Поскольку мы являемся государственным учреждением, то получаем финансирование в рамках утвержденного годового плана исследований. Дополнительные средства на научные исследования привлекаем в рамках контрактов с Минобрнауки России, а получив экспериментальные образцы выполняем ОКР для Минпромторга России. Также получаем прямые заказы от промышленных предприятий, при этом часто речь идет о работах особой сложности. Например, недавно мы разработали технологию формирования дифракционной решетки на пластинах с элементами лазерных диодов для оптоэлектронных модулей СВЧ-диапазона по заказу НИИ "Полюс" им. М.Ф.Стельмаха. Кроме нас никто ни в России, ни в Белоруссии не смог решить эту задачу.
Можно ли повысить эффективность системы государственного финансирования НИОКР в России?
Уровень финансирования науки в стране в целом недостаточен. Средств, выделяемых ФАНО, нам хватает на финансирование примерно 25% научно-исследовательских проектов, остальное мы вынуждены изыскивать сами. Если бы была принята отдельная программа финансирования фундаментальных поисковых исследований, то скорость и эффективность разработки и внедрения новых технологий были бы выше.
Что касается ОКР, то на государственных конкурсах преимущества имеют крупные компании, имеющие необходимые свободные средства для обеспечения контракта. Мы, как государственное предприятие, таких средств не имеем и привлечь не можем. Поэтому наиболее рациональной схемой является сотрудничество с промышленными предприятиями, когда мы разрабатываем для них технологии, получаем опытные образцы приборов, проводим испытания и затем передаем все наработки заказчику, который осваивает серийный выпуск продукции.
Какой производственной инфраструктурой располагает институт?
Мы последовательно реализуем модель Fab light, которая предполагает проведение исследований, разработок, моделирования, изготовления опытных образцов, а также выпуск малых серий приборов непосредственно в институте. Во многих случаях такая схема оптимальна, так как производство малых партий на больших предприятиях не выгодно ни заказчику, ни исполнителю. Небольшие серии изделий, которые надо быстро изготовить и быстро внедрить, требуются, например, космической отрасли. Я считаю, что для организаций, подобных нашей, занимающихся и исследованиями, и опытным производством, этот вектор развития оправдан.
К сожалению, мы не можем реализовывать крупные инвестиционные проекты, поскольку бюджетное финансирование ограничено достаточно узкими рамками, а банковские кредиты государственным организациям не доступны. Тем не менее, регулярно расширяем и обновляем парк оборудования. Например, в этом году получим установку атомно-слоевого осаждения. Кое-что стараемся закупать на внебюджетные средства. В частности, сейчас с рядом коммерческих структур прорабатывается вопрос получения оборудования в лизинг для реализации проекта в области гражданской мобильной связи.
"Узким местом" нашего производства пока является недооснащенность участка групповой обработки пластин. Однако имеются и поводы для гордости. Например, когда мы первыми в стране выпустили партию МШУ и ГУН на структурах "нитрид галлия на кремнии", то выход годных кристаллов с пластины составил 80% – это в несколько раз выше, чем на отечественных промышленных предприятиях.
Участвует ли ИСВЧПЭ РАН в международных проектах?
В рамках союзного государства России и Белоруссии мы планируем вместе с ПАО "Радиофизика" реализовать программу по созданию активных фазированных антенных решеток миллиметрового диапазона и электронных компонентов для них. Сотрудничество со странами дальнего зарубежья в основном ограничивается обычным для научного сообщества обменом информацией о НИОКР в рамках конференций и других научных мероприятий. Поскольку наш институт участвует в выполнении гособоронзаказа и наши технологические разработки принадлежат государственному заказчику, мы серьезно относимся к вопросу охраны своих ноу-хау. К тому же предложений о полноценном сотрудничестве, которое предусматривало бы взаимное обогащение знаниями и технологиями, от иностранных коллег не поступало, а в том, чтобы в одностороннем порядке отдать свои наработки для реализации где-то за рубежом, мы, естественно, не заинтересованы.
Какова роль института в подготовке кадров для отрасли?
У нас работает аспирантура, мы достаточно жестко подходим к отбору кандидатов и, как результат, почти 100% ее выпускников защищают диссертации, после чего работают по специальности в нашем институте или других организациях отрасли. Аспиранты приходят в основном из МИФИ, МИРЭА и МИЭТ.
Расскажите, пожалуйста, о планах и перспективах развития института.
Учитывая финансовые показатели института, ФАНО приняло решение перевести нас на новую автономную форму работы. Когда будут утверждены все необходимые документы, мы получим статус "федерального государственного автономного научного учреждения". Будет образован управляющий орган – наблюдательный совет, который без согласования с ФАНО, обычно требующего недель и даже месяцев, будет принимать решения, касающиеся оперативного управления работой института. Мы сможем получать банковские кредиты и реализовывать лизинговые схемы. При этом ИСВЧПЭ останется государственным учреждением. Такова ближайшая перспектива.
Планы развития включают дооснащение нашей технологической линии и переход к мелкосерийному производству СВЧ-приборов, освоение новой площадки в Мытищах и перевод туда части оборудования, создание нового поколения приборов на нитридных структурах на кремнии, выход в новые частотные диапазоны, взаимодействие с предприятиями микроэлектроники по созданию комбинированных систем на кристалле. Отмечу, что мы постоянно создаем новые технологии, ориентированные на решение прикладных задач. Среди них есть уникальные разработки, например технология, которая может позволить в очень короткие сроки создавать СВЧ-изделия разных частотных диапазонов и функциональных назначений на основе ряда унифицированных компонентов. Впрочем, более подробно о ней рассказывать пока рано.
В заключение хотел бы сказать, что Россия не может существовать без электронного производства мирового уровня. В условиях экономических санкций только научные организации могут создавать конкурентоспособные технологии мирового уровня. Поэтому хотелось бы, чтобы наши промышленные предприятия более активно сотрудничали с институтами РАН. Новейшие технологии нам никто не продаст, их можно разработать только внутри страны, и наш институт готов это делать.
Интервью: Дмитрий Гудилин
28 сентября научному руководителю ИСВЧПЭ РАН, доктору технических наук, профессору Петру Павловичу Мальцеву исполнилось 70 лет.
Петр Павлович более 40 лет работает в российской радиоэлектронной отрасли, занимал ответственные посты в 22 ЦНИИИ Минобороны, Секции прикладных проблем при Президиуме РАН, НПК "Технологический центр" МИЭТ, а с 2010 по 2016 годы возглавлял ИСВЧПЭ РАН. П.П.Мальцев – автор около 200 работ, в том числе 12 патентов и восьми монографий, удостоен звания "Заслуженный деятель науки Российской Федерации" (2014 г.), лауреат премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники за 1999 год (2000 г.).
Издательство "ТЕХНОСФЕРА" поздравляет Петра Павловича с юбилеем и желает ему долгих лет плодотворной работы на благо российской науки и промышленности!
Отзывы читателей
