Проведена экспериментальная оценка влияния режимов формирования подзатворного окисла на дозовую стойкость КМОП микросхем, изготовленных по типовому маршруту с проектными нормами 1,5 мкм. Экспериментально установлено, что для толщин подзатворного диэлектрика порядка 300 Å дозовая стойкость КМОП ИС обеспечивается при температуре выращивания окисла в диапазоне 850−900 °C.

УДК 621.382.002
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.246.250

sitemap

Разработка: студия Green Art