УДК 538.956/537.226.4
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.281

sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)
Книги по нанотехнологиям
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Вильнав Ж.-Ж.
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Выпуск #9/2018
Черникова Анна Георгиевна, Красников Геннадий Яковлевич, Горнев Евгений Сергеевич, Козодаев Максим Геннадьевич, Негров Дмитрий Владимирович, Орлов Олег Михайлович, Зенкевич Андрей Владимирович, Маркеев Андрей Михайлович
1Т-1С-ячейки и массивы сегнетоэлектрической памяти на основе оксида гафния
Просмотры: 3772
УДК 538.956/537.226.4
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.281
В данной работе представлены результаты формирования ячеек сегнетоэлектрической памяти, изготовленных по технологии «1 транзистор — 1 сегнетоэлектрический конденсатор» (1Т-1С), на основе полностью изготовленного методом атомно-слоевого осаждения (АСО) сегнетоэлектрического конденсатора TiN/Hf0,5Zr0,5O2/TiN с толщиной функционального слоя Hf0,5Zr0,5O2 10 нм. Было продемонстрировано значение остаточной поляризации на уровне 2Pr = 20 мкКл/см2. Сегнетоэлектрические конденсаторы TiN/Hf0,5Zr0,5O2/TiN были интегрированы с транзисторами, изготовленными по полностью промышленной технологии 180 нм. Было показано, что сформированные таким образом 1Т-1С-ячейки памяти характеризуются перспективным ресурсом — количеством циклов чтения-записи более 1010. Кроме того, было продемонстрировано формирование массива 1Т-1С-ячеек емкостью 1 Мб. В данной работе также предложены пути последующего улучшения характеристик 1Т-1С-ячеек памяти путем формирования тонкопленочных сегнетоэлектрических слоев на основе оксида гафния, способных демонстрировать более перспективные характеристики. Так, продемонстрировано формирование тонкопленочной трехкомпонентной системы HfO2-ZrO2-La2O3 с низкой температурой кристаллизации, высокой остаточной поляризацией и перспективным ресурсом. В результате намечены пути создания сегнетоэлектрического конденсатора TiN/HfO2-ZrO2-La2O3/TiN полностью методом АСО для дальнейшей интеграции с транзисторами и формирования ячеек сегнетоэлектрической энергонезависимой памяти нового поколения.
 
 Отзывы читателей
Разработка: студия Green Art