Представлены результаты проведения твердофазного тримминга кремниевых «плавников» FinFET в системе Ti-Si. Проведен анализ методов формирования пленки Ti на боковой поверхности «плавника» FinFET. Определены оптимальные параметры формирования силицида применительно к задачам тримминга.

УДК 621.315.592
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.282.283

sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Пантелеев В., Егорова О., Клыкова Е.
Вильнав Ж.-Ж.
Головин Д.Ю., Тюрин А.И., Самодуров А.И., Дивин А. Г., Головин Ю.И.; под общей редакцией Ю.И. Головина
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Выпуск #9/2018
Четвериков Владимир Алексеевич, Баранов Глеб Владимирович, Итальянцев Александр Георгиевич
Формирование Si-плавников FinFET минимальных размеров нелитографическим методом
Просмотры: 1618
Представлены результаты проведения твердофазного тримминга кремниевых «плавников» FinFET в системе Ti-Si. Проведен анализ методов формирования пленки Ti на боковой поверхности «плавника» FinFET. Определены оптимальные параметры формирования силицида применительно к задачам тримминга.

УДК 621.315.592
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.282.283
Формирование полупроводниковых структур с минимальными топологическими размерами является одной из основных задач микроэлектроники [1]. Для ее решения ведутся работы как по совершенствованию литографического оборудования, так и по разработке альтернативных методов получения структур с топологическими размерами, меньшими фотолитографического предела. Одним из таких методов является твердофазный (ТФР) тримминг — технологическая операция «удаления» материала с поверхности заранее сформированной структуры. Ранее уже были представлены результаты ТФР-тримминга в реакции формирования пленки SiO2 [2].
В данной работе рассматривается возможность применения твердофазного тримминга в системе Si-Ti в целях формирования кремниевых «плавников» FinFET. Основная сложность в проведении тримминга такой объемной структуры заключается в необходимости создания конформного слоя металла на боковой стенке «плавника» (рис. 1). В связи с этим в работе были рассмотрены различные подходы к формированию пленки Ti на кремниевом «плавнике». Методы анализировались с точки зрения скорости напыления и конформности получаемого слоя. Кроме того, в работе определяются оптимальные параметры процесса отжига Ti в целях формирования слоя TiSi2, пригодного для задач тримминга.

Интерес к ТФР-триммингу в системе Si-Ti, помимо основной задачи уменьшения топологических размеров, связан с интенсивным процессом генерации неравновесных вакансий в матрицу Si [3], что, в свою очередь, будет приводить к изменению скорости диффузии легирующей примеси [4]. В связи с этим в работе обсуждаются вопросы, связанные с управлением латеральным профилем сток-истоковых областей FinFET.
ЛИТЕРАТУРА
1. Красников Г. Я., Зайцев Н. А. Наноэлектроника: состояние, проблемы и перспективы развития. — Нано- и микросистемная техника. 2009. № 1. — С. 2–5.
2. Четвериков В. А., Итальянцев А. Г., Баранов Г. В. Твердофазный тримминг при формировании структур кремниевой микроэлектроники. — Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. Выпуск 4(164), 2016, c. 20–24.
3. Italyantsev A. G. Solid-Phase Reaction on Silicon Surface. Accompanying Processes. J. Appl. Phys., 1996, V. 79 (5), pp. 2369–2375.
4. Honeycutt J. W., Rozgongi G. A. Enhanced Diffusion of Sb-doped Layers During Co and Ti Reaction with Si, Appl. Phys. Lett., 1991, V. 58(12), pp. 1302–1304.
 
 Отзывы читателей
Разработка: студия Green Art