eng
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
Выпуск #9/2018
Четвериков Владимир Алексеевич, Баранов Глеб Владимирович, Итальянцев Александр Георгиевич
Формирование Si-плавников FinFET минимальных размеров нелитографическим методом
Формирование Si-плавников FinFET минимальных размеров нелитографическим методом
Просмотры: 1625
Представлены результаты проведения твердофазного тримминга кремниевых «плавников» FinFET в системе Ti-Si. Проведен анализ методов формирования пленки Ti на боковой поверхности «плавника» FinFET. Определены оптимальные параметры формирования силицида применительно к задачам тримминга.
УДК 621.315.592
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.282.283
УДК 621.315.592
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.282.283
Формирование полупроводниковых структур с минимальными топологическими размерами является одной из основных задач микроэлектроники [1]. Для ее решения ведутся работы как по совершенствованию литографического оборудования, так и по разработке альтернативных методов получения структур с топологическими размерами, меньшими фотолитографического предела. Одним из таких методов является твердофазный (ТФР) тримминг — технологическая операция «удаления» материала с поверхности заранее сформированной структуры. Ранее уже были представлены результаты ТФР-тримминга в реакции формирования пленки SiO2 [2].
В данной работе рассматривается возможность применения твердофазного тримминга в системе Si-Ti в целях формирования кремниевых «плавников» FinFET. Основная сложность в проведении тримминга такой объемной структуры заключается в необходимости создания конформного слоя металла на боковой стенке «плавника» (рис. 1). В связи с этим в работе были рассмотрены различные подходы к формированию пленки Ti на кремниевом «плавнике». Методы анализировались с точки зрения скорости напыления и конформности получаемого слоя. Кроме того, в работе определяются оптимальные параметры процесса отжига Ti в целях формирования слоя TiSi2, пригодного для задач тримминга.
Интерес к ТФР-триммингу в системе Si-Ti, помимо основной задачи уменьшения топологических размеров, связан с интенсивным процессом генерации неравновесных вакансий в матрицу Si [3], что, в свою очередь, будет приводить к изменению скорости диффузии легирующей примеси [4]. В связи с этим в работе обсуждаются вопросы, связанные с управлением латеральным профилем сток-истоковых областей FinFET.
ЛИТЕРАТУРА
1. Красников Г. Я., Зайцев Н. А. Наноэлектроника: состояние, проблемы и перспективы развития. — Нано- и микросистемная техника. 2009. № 1. — С. 2–5.
2. Четвериков В. А., Итальянцев А. Г., Баранов Г. В. Твердофазный тримминг при формировании структур кремниевой микроэлектроники. — Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. Выпуск 4(164), 2016, c. 20–24.
3. Italyantsev A. G. Solid-Phase Reaction on Silicon Surface. Accompanying Processes. J. Appl. Phys., 1996, V. 79 (5), pp. 2369–2375.
4. Honeycutt J. W., Rozgongi G. A. Enhanced Diffusion of Sb-doped Layers During Co and Ti Reaction with Si, Appl. Phys. Lett., 1991, V. 58(12), pp. 1302–1304.
В данной работе рассматривается возможность применения твердофазного тримминга в системе Si-Ti в целях формирования кремниевых «плавников» FinFET. Основная сложность в проведении тримминга такой объемной структуры заключается в необходимости создания конформного слоя металла на боковой стенке «плавника» (рис. 1). В связи с этим в работе были рассмотрены различные подходы к формированию пленки Ti на кремниевом «плавнике». Методы анализировались с точки зрения скорости напыления и конформности получаемого слоя. Кроме того, в работе определяются оптимальные параметры процесса отжига Ti в целях формирования слоя TiSi2, пригодного для задач тримминга.
Интерес к ТФР-триммингу в системе Si-Ti, помимо основной задачи уменьшения топологических размеров, связан с интенсивным процессом генерации неравновесных вакансий в матрицу Si [3], что, в свою очередь, будет приводить к изменению скорости диффузии легирующей примеси [4]. В связи с этим в работе обсуждаются вопросы, связанные с управлением латеральным профилем сток-истоковых областей FinFET.
ЛИТЕРАТУРА
1. Красников Г. Я., Зайцев Н. А. Наноэлектроника: состояние, проблемы и перспективы развития. — Нано- и микросистемная техника. 2009. № 1. — С. 2–5.
2. Четвериков В. А., Итальянцев А. Г., Баранов Г. В. Твердофазный тримминг при формировании структур кремниевой микроэлектроники. — Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника. Выпуск 4(164), 2016, c. 20–24.
3. Italyantsev A. G. Solid-Phase Reaction on Silicon Surface. Accompanying Processes. J. Appl. Phys., 1996, V. 79 (5), pp. 2369–2375.
4. Honeycutt J. W., Rozgongi G. A. Enhanced Diffusion of Sb-doped Layers During Co and Ti Reaction with Si, Appl. Phys. Lett., 1991, V. 58(12), pp. 1302–1304.
Отзывы читателей
