В статье представлены результаты измерения нитрид-галлиевых транзисторов разработки АО «НИИЭТ». Проведен сравнительный анализ отечественных транзисторов с зарубежными аналогами. При создании структур кристаллов мощных СВЧ транзисторов были проработаны различные конструктивные варианты.

УДК 621.315.55
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.335.336

sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)
Книги по нанотехнологиям
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Под ред. Ханнинка Р.
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Выпуск #9/2018
Тарасов Сергей Викторович, Семейкин Игорь Валентинович, Цоцорин Андрей Николаевич
Мощные GaN транзисторы для применения в перспективной аппаратуре
Просмотры: 2203
В статье представлены результаты измерения нитрид-галлиевых транзисторов разработки АО «НИИЭТ». Проведен сравнительный анализ отечественных транзисторов с зарубежными аналогами. При создании структур кристаллов мощных СВЧ транзисторов были проработаны различные конструктивные варианты.

УДК 621.315.55
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.335.336
Мощные СВЧ нитрид-галлиевые транзисторы в настоящее время все более востребованы в качестве современной элементной компонентной базы для применения в перспективных системах радио¬связи и радиолокации. Благодаря своим уникальным свойствам (высокое пробивное напряжение сток-исток, широкий диапазон рабочих частот, высокое значение коэффициента полезного действия стока, большая удельная выходная мощность по сравнению с лучшими LDMOS транзисторами) нитрид-галлиевые транзисторы уверенно занимают лидирующее место при разработке аппаратуры для S-диапазона частот и выше.
В настоящей работе представлены результаты разработки мощных СВЧ нитрид-галлиевых транзисторов, проводимой АО «НИИЭТ». Целью работы было создание мощностного ряда GaN транзисторов для непрерывного режима работы с напряжением питания 28 В.
Периметр затвора спроектированных транзисторных кристаллов варьировался от 1,5 мм до 14 мм. В зависимости от выбранной топологии транзисторного кристалла статические параметры транзисторов имели следующие значения: максимальный ток насыщения 1,7–15,6 А, напряжение отсечки −2,55…−2,88 В, пробивное напряжение сток-исток более 120 В, сопротивление сток-исток в открытом состоянии 1,5–0,18 Ом, крутизна 0,5–4,2 А/В. Монтаж транзисторных кристаллов осуществлялся в металлокерамические корпуса по типу КТ-81С и КТ-55С-1 при помощи специальной AuSn-преформы. Разварка транзисторных кристаллов на траверс корпуса осуществлялась золотой проволокой диаметром 30 мкм.

Следует отметить, что для работы нитрид-галлиевых транзисторов в обедненном режиме необходимо отрицательное напряжение смещения. Поэтому разработчикам аппаратуры важно помнить о последовательности подачи напряжения смещения и напряжения питания при проведении измерений электрических параметров нитрид-галлиевых транзисторов и их эксплуатации.
На рис. 1–4 приведены выходные и передаточные характеристики для транзисторов ПП9138Б и ПП9139А1.
Оценка электрических и энергетических параметров образцов транзисторов проводилась на большом уровне сигнала методом согласованных нагрузок (Load&Pull измерения при помощи автоматических тюнеров). В зависимости от топологии транзисторных кристаллов измерения проводились в непрерывном режиме на частотах 2,9 ГГц и 4 ГГц при рабочем напряжении питания 28 В. Результаты измерений транзисторов приведены в табл. 1.
Результаты измерений позволяют говорить о том, что полученные приборы находятся на уровне мировых аналогов, разработанных фирмами Wolfspeed (США) и Qorvo (США) [1, 2].
Полученные результаты позволяют перейти к разработке мощного 100 Вт нитрид-галлиевого транзистора для непрерывного режима работы с рабочим напряжением питания 28 В и тестовой частотой 2,9 ГГц.
ЛИТЕРАТУРА
1. www.wolfspeed.com.
2. www.qorvo.com.
 
 Отзывы читателей
Разработка: студия Green Art