eng
Выпуск #6/2018
Г.Баранов, А.Итальянцев, Н.Герасименко, А.Селецкий
Физические особенности формирования локальных субмикронных ионно-имплантированных областей
Физические особенности формирования локальных субмикронных ионно-имплантированных областей
Просмотры: 2995
Стремление производителей к уменьшению проектных норм сталкивается с трудностями при создании наноразмерных ионно-легированных зон методами ионной имплантации. Создание зон происходит в условиях сильных электрических и механических полей, связанных с присутствием маскирующего слоя. Выполнены численные оценки размерных факторов окна имплантации с учетом действия силовых полей при конструктивно-технологическом проектировании приборов кремниевой микроэлектроники.
УДК 621.315.592.3; ВАК 05.27.01; DOI: 10.22184/1993-8578.2018.11.6.426.433
УДК 621.315.592.3; ВАК 05.27.01; DOI: 10.22184/1993-8578.2018.11.6.426.433
Теги: ion-doped region internal mechanical stresses ion implantation size factor внутренние механические напряжения ионная имплантация ионно-имплантируемая область размерный эффект
Ионная имплантация как технологический прием легирования полупроводников с успехом используется в технологии микроэлектроники с 1970-х годов до настоящего времени. Несмотря на то, что за это время опубликовано огромное количество работ, посвященных дефектообразованию и перераспределению примесных атомов, исследование физики процессов, сопровождающих ионное облучение, остается актуальным и сегодня. В первую очередь это обусловлено тем, что современные тенденции миниатюризации приборов электроники определяют необходимость формирования в полупроводниках легированных областей с размерами в нанометровом диапазоне [1].
С приближением проектных норм к квантово-размерному режиму активные области становятся не просто меньше, физика процессов их формирования носит принципиально иной характер [2]. В частности, близость поверхности и границ раздела фаз начинает оказывать существенное влияние и открывает новые возможности для инженерии дефектов [3]. При достижении определенных размеров процесс имплантации происходит в условиях сильных электрических и механических полей, порожденных маскирующим слоем, которые имеют уже не краевой характер, а их действие распространяется на всю область формирования малых ионно-легированных областей. Это означает, что в таких областях явления радиационной физики, электрическая активация и перераспределение примеси происходят в принципиально иных условиях.
Исследование физических особенностей формирования ионно-легированных областей с критически малыми планарными размерами позволит не только предсказать технологические трудности на пути постоянного стремления современной микроэлектроники к миниатюризации, но также найти пути их преодоления, механизмы управления геометрией и свойствами нанометровых легированных участков.
ФЕНОМЕНОЛОГИЯ РАЗМЕРНЫХ ЭФФЕКТОВ
Уменьшение топологических норм дискретных приборов и интегральных микросхем кремниевой микроэлектроники неизбежно сопровождается снижением глубины залегания ионно-легированных областей и их планарных размеров. Уменьшение толщин слоев будет способствовать качественному изменению фона неравновесных радиационных дефектов, в котором протекают процессы формирования ионно-легированных областей. Одним из важнейших факторов, вызывающих такие особенности, является усиление градиентов электрических и, отчасти, механических полей, связанных с присутствием маскирующего слоя, через который ведется имплантация. Данные эффекты проявляются уже в процессе облучения примесными атомами и могут приводить к практически значимой коррекции границ ионно-имплантированной области за счет кинетики примесных атомов. Несмотря на то что температура имплантации не существенна для диффузии примеси, наличие диффузионных и дрейфовых потоков неравновесных дефектов, интенсивно генерируемых во время имплантации, будет приводить к направленному движению примесных атомов посредством эффектов вакансионного и междоузельного ветра [4].
Известно, что точечные дефекты электрически активны и эффективно взаимодействуют с заряженными границами раздела и маскирующими слоями [5]. Ионная имплантация в Si через слой диэлектрического покрытия всегда создает в диэлектрике долговременный электростатический заряд. Не обсуждая природу его появления, отметим лишь, что эффективность зарядки диэлектрика высока и, к примеру, для случая маски SiO2 составляет 0,1qФ, где q – элементарный электрический заряд, а Ф – доза имплантации [6]. Этот заряд будет порождать электрические поля и приводить к направленному дрейфу заряженных радиационных дефектов. При ионной имплантации в достаточно широкие окна маскирующего слоя распространение электрических полей в формируемую область носит краевой характер. С уменьшением размера окна поля начинают существенно перекрываться, и формирование ионно-имплантированной области происходит в принципиально иных условиях (рис.1).
Подобная картина наблюдается не только для электростатических, но и механических полей. Процесс выращивания и осаждения тонких пленок на Si-подложке практически всегда сопровождается возникновением на интерфейсе внутренних механических напряжений. Вскрытие окна в маскирующем слое вызовет их всплеск на границах обрыва маски. По мере уменьшения ширины окна области распространения этих напряжений также начнут заполнять весь объем формируемой области, приводя к дрейфу радиационных вакансий в сжатую область Si, а собственных междоузельных атомов – в растянутую.
Кроме того, ионная имплантация всегда сопровождается распылением поверхности маски. С уменьшением энергии имплантации, что сопутствует масштабированию активных областей, эффективность этого процесса будет только усиливаться, поскольку первичные ионы все в большей степени будут терять энергию за счет упругих потерь на поверхностных атомах мишени. Существенным становится и растворение атомов отдачи в зоне формирования активной области, что приводит к загрязнениям, коорые в ряде случаев могут способствовать деградации электрофизических параметров области (рис.2).
До тех пор, пока все рассмотренные эффекты являются краевыми, они не оказывают существенного влияния на процессы формирования ионно-легированных областей. Однако тенденция к снижению размерных факторов, наблюдаемая в микроэлектронике, более не допускает их игнорирования и требует количественных оценок размерного порога этого перехода.
КОЛИЧЕСТВЕННЫЕ ОЦЕНКИ
Фактор электрических полей
Основываясь на литературных данных [6] о величине встроенного электростатического заряда, возникающего в слое SiO2 при имплантации в него ионов, методами компьютерного моделирования в среде TCAD Sentaurus получены расчеты 2D распределения электрических полей в Si в области окна, вскрытого в маске. Моделировался процесс ионной имплантации As+ c энергией 20 кэВ и дозой 1016 см–2 в топологическую структуру SiO2–Si с толщиной маски 60 нм в диапазоне размера окон 22–180 нм. Максимальные значения электростатических полей наблюдались непосредственно в области целенаправленного введения примесных атомов, достигая значений около 103–104 В/см (рис.3). Причем с уменьшением ширины окна от 180 нм до 22 нм в различных точках формируемой области напряженность поля изменяется в 17 раз, что неизбежно ведет к изменению протекания различных радиационных процессов и в конечном итоге – профиля распределения примеси.
В случае малых доз имплантации концентрация заряженных радиационных дефектов определяется исходным положением уровня Ферми в Si. Пользуясь положениями теории статистики носителей заряда в твердом теле, легко определить, что максимальный уровень заряженных дефектов, а следовательно, и дрейфовые потоки будут наблюдаться в кремнии следующих спецификаций: КДБ-0.002 (преобладание V+), КДБ-0.05 (преобладание V++) и КЭФ-0.01 (преобладание V=).
Глубина коррекции границ ионно-имплантированной области вследствие действия электрических полей маски может быть оценена непосредственно на границе области из отношения дрейфового потока дефектов к диффузионному. Положим, что критерием значимого вклада дрейфового потока в коррекцию границ области будет являться достижение им 10% от величины диффузионного потока:
, (1)
где µ и D – подвижность и коэффициент диффузии дефектов; n – концентрация дефектов в локализованной точке области; E – напряженность электрического поля.
Допуская, что распределение радиационных дефектов n(x) описывается законом Гаусса с максимумом в области 1,2Rp, отношение (1) будет выполняться при напряженности электрического поля ~10 кВ/см. В соответстви с рис.3 коррекция глубины залегания области за счет действия электрического поля достигается при размере окна 45 нм и усиливается по мере его уменьшения. Латеральное размытие ионно-имплантированной области, наоборот, существенно при большой ширине окна и проявляется вплоть до значения 65 нм.
Фактор механических полей
Теоретический анализ распределения тангенциальных и нормальных составляющих упругих полей на краю вскрытого окна в маске выполнен в работе [7]. Результаты расчетов показали, что нормальные составляющие полей имеют свойство разделяться по знаку напряжений на границе края маски, приводя к формированию разнонаправленных дрейфовых потоков радиационных вакансий (V) и междоузлий (I) (рис.4). Если рассматривать увлечение примесей потоками точечных дефектов, то диффузия примесных атомов ускоряется в направлении потока I (междоузельных атомов) и против потока V (вакансий). Это означает, что независимо от типа и механизма диффузии примеси характер распределения механических полей в области края маски всегда будет способствовать боковому диффузионному размытию профиля примесных атомов.
По аналогии с электростатическими полями в качестве критерия значимой коррекции области было принято достижение дрейфовым потоком 10% от величины диффузионного:
, (2)
где n, D – концентрация и коэффициент диффузии конкретного типа дефектов; ω – объем атома кремния; f – фактор корреляции, учитывающий возможность дефекта совершить обратный скачок (для Si f = 0,781); ∆σ – градиент механических напряжений.
Полагалось, что маска испытывает напряжения сжатия 300 МПа, а ее толщина составляет 60 нм. Анализировалась область подложки в различных плоскостях на глубинах 0–50 нм, считая, что в этих границах будет производиться внедрение функциональной примеси.
Расчет показал, что область распространения градиентов упругих полей в латеральном направлении является весьма протяженной и составляет от 2 до 3,5 мкм в зависимости от глубины рассматриваемой плоскости. Другими словами, краевые упругие поля будут полностью заполнять ионно-имплантированную область при имплантации даже в окна шириной 4–7 мкм. Максимум градиента напряжений при этом достигается непосредственно вблизи края маски, и отношение jмех/jдиф в этой области превышает 1000%. Вероятно, такая картина будет наблюдаться до тех пор, пока сток точечных дефектов не приведет к релаксации источников напряжений в силу известного эффекта малых доз.
Фактор распыления и контаминации атомов маски
Степень влияния контаминации Si распыленными атомами маски проводился на частном примере имплантации ионов As+ в топологическое окно структуры SiO2–Si с энергией 15 кэВ и дозой 1016 см–2.
Оценка максимальной дозы контаминации может быть выполнена в следующих допущениях. Малое значение размера окна маски позволяет считать облако распыленных над формируемой активной областью атомов однородным по составу с равной концентрацией в области над маской. Будем также полагать, что все распыленные над окном атомы испытывают упругое взаимодействие с первичным ионным пучком, приводящее к их внедрению в объем кристаллической решетки Si.
Коэффициент катодного распыления в соответствии с эмпирической формулой, полученной в работе [8] для нормального падения пучка ионов, составляет примерно 0,8. Это означает, что средняя глубина области распыления SiO2 достигает 0,5 нм, а плотность распыленных над окном и внедренных в кристалл атомов – 1,14 · 1015см–2.
Следует заметить, что коэффициент распыления имеет сильную зависимость от угла падения ионов и будет иметь максимальное значение на естественно закругленных краях маски, что еще несколько повысит рассчитанное значение. Но даже без учета этого условия, оценка сверху для дозы контаминации составляет порядка 10% от дозы имплантации.
Довольно сложно предсказать, для каких размеров окон правомерны модельные допущения, но важно то, что роль контаминации атомов маски становится важным фактором при формировании локальных субмикронных ионно-имплантированных областей и выступает дополнительным ограничением, налагаемым на выбор материала маскирующего слоя.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В работе рассмотрены эффекты управления ионно-имплантированным профилем примесных атомов при формировании локальных субмикронных активных областей в Si под действием электрических и механических полей, связанных с присутствием маскирующего слоя. Выполнены оценки критических размеров таких областей, при которых действие силовых полей является значимым и требует учета при конструктивно-технологическом проектировании приборов кремниевой микроэлектроники. Кроме того, обсуждается роль контаминации распыленных атомов маски в объеме ионно-легированных областей, что становится серьезным фактором загрязнения подложки по мере масштабирования линейных размеров областей.
ЛИТЕРАТУРА/REFERENCES
1. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов. М.: ТЕХНОСФЕРА, 2011. 800 c.
Krasnikov G.Ya. Structural and technological features of submicron MOSFET. Moscow, TECHNOSPHERE, 2011, 800 p. (In Russian).
2. Current M. I. Ion implantation of advanced silicon devices: Past, present and future. Materials Science in Semiconductor Processing. 2017. Vol. 62. P. 13–22.
3. Seebauer E.G., Noh K. W. Trends in semiconductor defect engineering at the nanoscale. Materials Science and Engineering: R: Reports. 2010. Vol. 70. № 3–6. P. 151–168.
4. Hu S. M. Vacancies and self‐interstitials in silicon: generation and interaction in diffusion. Journal of The Electrochemical Society. 1992. Vol. 139. № 7. P. 2066–2075.
5. Gorai P., Kondratenko Y.V., Seebauer E.G. Mechanism and kinetics of near-surface dopant pile-up during post-implant annealing. Journal of Applied Physics. 2012. Vol. 111. № 9. P. 094510.
6. Mescheder U., Muller B., Baborie S. et al. Properties of SiO2 electret films charged by ion implantation for MEMS-based energy harvesting systems. Journal of Micromechanics and Microengineering. 2009. Vol. 19. № 9. P. 094003.
7. Hu S. M. Film‐edge‐induced stress in silicon substrates. Applied Physics Letters. 1978. Vol. 32. № 1. P. 5–7.
8. Egusa K., Shibahara K. Influence of high dose low energy ion implantation on dopant depth profile. Ion Implantation Technology Proceedings, 1998 International Conference on. IEEE, 1999. Vol. 2. P. 724–727.
С приближением проектных норм к квантово-размерному режиму активные области становятся не просто меньше, физика процессов их формирования носит принципиально иной характер [2]. В частности, близость поверхности и границ раздела фаз начинает оказывать существенное влияние и открывает новые возможности для инженерии дефектов [3]. При достижении определенных размеров процесс имплантации происходит в условиях сильных электрических и механических полей, порожденных маскирующим слоем, которые имеют уже не краевой характер, а их действие распространяется на всю область формирования малых ионно-легированных областей. Это означает, что в таких областях явления радиационной физики, электрическая активация и перераспределение примеси происходят в принципиально иных условиях.
Исследование физических особенностей формирования ионно-легированных областей с критически малыми планарными размерами позволит не только предсказать технологические трудности на пути постоянного стремления современной микроэлектроники к миниатюризации, но также найти пути их преодоления, механизмы управления геометрией и свойствами нанометровых легированных участков.
ФЕНОМЕНОЛОГИЯ РАЗМЕРНЫХ ЭФФЕКТОВ
Уменьшение топологических норм дискретных приборов и интегральных микросхем кремниевой микроэлектроники неизбежно сопровождается снижением глубины залегания ионно-легированных областей и их планарных размеров. Уменьшение толщин слоев будет способствовать качественному изменению фона неравновесных радиационных дефектов, в котором протекают процессы формирования ионно-легированных областей. Одним из важнейших факторов, вызывающих такие особенности, является усиление градиентов электрических и, отчасти, механических полей, связанных с присутствием маскирующего слоя, через который ведется имплантация. Данные эффекты проявляются уже в процессе облучения примесными атомами и могут приводить к практически значимой коррекции границ ионно-имплантированной области за счет кинетики примесных атомов. Несмотря на то что температура имплантации не существенна для диффузии примеси, наличие диффузионных и дрейфовых потоков неравновесных дефектов, интенсивно генерируемых во время имплантации, будет приводить к направленному движению примесных атомов посредством эффектов вакансионного и междоузельного ветра [4].
Известно, что точечные дефекты электрически активны и эффективно взаимодействуют с заряженными границами раздела и маскирующими слоями [5]. Ионная имплантация в Si через слой диэлектрического покрытия всегда создает в диэлектрике долговременный электростатический заряд. Не обсуждая природу его появления, отметим лишь, что эффективность зарядки диэлектрика высока и, к примеру, для случая маски SiO2 составляет 0,1qФ, где q – элементарный электрический заряд, а Ф – доза имплантации [6]. Этот заряд будет порождать электрические поля и приводить к направленному дрейфу заряженных радиационных дефектов. При ионной имплантации в достаточно широкие окна маскирующего слоя распространение электрических полей в формируемую область носит краевой характер. С уменьшением размера окна поля начинают существенно перекрываться, и формирование ионно-имплантированной области происходит в принципиально иных условиях (рис.1).
Подобная картина наблюдается не только для электростатических, но и механических полей. Процесс выращивания и осаждения тонких пленок на Si-подложке практически всегда сопровождается возникновением на интерфейсе внутренних механических напряжений. Вскрытие окна в маскирующем слое вызовет их всплеск на границах обрыва маски. По мере уменьшения ширины окна области распространения этих напряжений также начнут заполнять весь объем формируемой области, приводя к дрейфу радиационных вакансий в сжатую область Si, а собственных междоузельных атомов – в растянутую.
Кроме того, ионная имплантация всегда сопровождается распылением поверхности маски. С уменьшением энергии имплантации, что сопутствует масштабированию активных областей, эффективность этого процесса будет только усиливаться, поскольку первичные ионы все в большей степени будут терять энергию за счет упругих потерь на поверхностных атомах мишени. Существенным становится и растворение атомов отдачи в зоне формирования активной области, что приводит к загрязнениям, коорые в ряде случаев могут способствовать деградации электрофизических параметров области (рис.2).
До тех пор, пока все рассмотренные эффекты являются краевыми, они не оказывают существенного влияния на процессы формирования ионно-легированных областей. Однако тенденция к снижению размерных факторов, наблюдаемая в микроэлектронике, более не допускает их игнорирования и требует количественных оценок размерного порога этого перехода.
КОЛИЧЕСТВЕННЫЕ ОЦЕНКИ
Фактор электрических полей
Основываясь на литературных данных [6] о величине встроенного электростатического заряда, возникающего в слое SiO2 при имплантации в него ионов, методами компьютерного моделирования в среде TCAD Sentaurus получены расчеты 2D распределения электрических полей в Si в области окна, вскрытого в маске. Моделировался процесс ионной имплантации As+ c энергией 20 кэВ и дозой 1016 см–2 в топологическую структуру SiO2–Si с толщиной маски 60 нм в диапазоне размера окон 22–180 нм. Максимальные значения электростатических полей наблюдались непосредственно в области целенаправленного введения примесных атомов, достигая значений около 103–104 В/см (рис.3). Причем с уменьшением ширины окна от 180 нм до 22 нм в различных точках формируемой области напряженность поля изменяется в 17 раз, что неизбежно ведет к изменению протекания различных радиационных процессов и в конечном итоге – профиля распределения примеси.
В случае малых доз имплантации концентрация заряженных радиационных дефектов определяется исходным положением уровня Ферми в Si. Пользуясь положениями теории статистики носителей заряда в твердом теле, легко определить, что максимальный уровень заряженных дефектов, а следовательно, и дрейфовые потоки будут наблюдаться в кремнии следующих спецификаций: КДБ-0.002 (преобладание V+), КДБ-0.05 (преобладание V++) и КЭФ-0.01 (преобладание V=).
Глубина коррекции границ ионно-имплантированной области вследствие действия электрических полей маски может быть оценена непосредственно на границе области из отношения дрейфового потока дефектов к диффузионному. Положим, что критерием значимого вклада дрейфового потока в коррекцию границ области будет являться достижение им 10% от величины диффузионного потока:
, (1)
где µ и D – подвижность и коэффициент диффузии дефектов; n – концентрация дефектов в локализованной точке области; E – напряженность электрического поля.
Допуская, что распределение радиационных дефектов n(x) описывается законом Гаусса с максимумом в области 1,2Rp, отношение (1) будет выполняться при напряженности электрического поля ~10 кВ/см. В соответстви с рис.3 коррекция глубины залегания области за счет действия электрического поля достигается при размере окна 45 нм и усиливается по мере его уменьшения. Латеральное размытие ионно-имплантированной области, наоборот, существенно при большой ширине окна и проявляется вплоть до значения 65 нм.
Фактор механических полей
Теоретический анализ распределения тангенциальных и нормальных составляющих упругих полей на краю вскрытого окна в маске выполнен в работе [7]. Результаты расчетов показали, что нормальные составляющие полей имеют свойство разделяться по знаку напряжений на границе края маски, приводя к формированию разнонаправленных дрейфовых потоков радиационных вакансий (V) и междоузлий (I) (рис.4). Если рассматривать увлечение примесей потоками точечных дефектов, то диффузия примесных атомов ускоряется в направлении потока I (междоузельных атомов) и против потока V (вакансий). Это означает, что независимо от типа и механизма диффузии примеси характер распределения механических полей в области края маски всегда будет способствовать боковому диффузионному размытию профиля примесных атомов.
По аналогии с электростатическими полями в качестве критерия значимой коррекции области было принято достижение дрейфовым потоком 10% от величины диффузионного:
, (2)
где n, D – концентрация и коэффициент диффузии конкретного типа дефектов; ω – объем атома кремния; f – фактор корреляции, учитывающий возможность дефекта совершить обратный скачок (для Si f = 0,781); ∆σ – градиент механических напряжений.
Полагалось, что маска испытывает напряжения сжатия 300 МПа, а ее толщина составляет 60 нм. Анализировалась область подложки в различных плоскостях на глубинах 0–50 нм, считая, что в этих границах будет производиться внедрение функциональной примеси.
Расчет показал, что область распространения градиентов упругих полей в латеральном направлении является весьма протяженной и составляет от 2 до 3,5 мкм в зависимости от глубины рассматриваемой плоскости. Другими словами, краевые упругие поля будут полностью заполнять ионно-имплантированную область при имплантации даже в окна шириной 4–7 мкм. Максимум градиента напряжений при этом достигается непосредственно вблизи края маски, и отношение jмех/jдиф в этой области превышает 1000%. Вероятно, такая картина будет наблюдаться до тех пор, пока сток точечных дефектов не приведет к релаксации источников напряжений в силу известного эффекта малых доз.
Фактор распыления и контаминации атомов маски
Степень влияния контаминации Si распыленными атомами маски проводился на частном примере имплантации ионов As+ в топологическое окно структуры SiO2–Si с энергией 15 кэВ и дозой 1016 см–2.
Оценка максимальной дозы контаминации может быть выполнена в следующих допущениях. Малое значение размера окна маски позволяет считать облако распыленных над формируемой активной областью атомов однородным по составу с равной концентрацией в области над маской. Будем также полагать, что все распыленные над окном атомы испытывают упругое взаимодействие с первичным ионным пучком, приводящее к их внедрению в объем кристаллической решетки Si.
Коэффициент катодного распыления в соответствии с эмпирической формулой, полученной в работе [8] для нормального падения пучка ионов, составляет примерно 0,8. Это означает, что средняя глубина области распыления SiO2 достигает 0,5 нм, а плотность распыленных над окном и внедренных в кристалл атомов – 1,14 · 1015см–2.
Следует заметить, что коэффициент распыления имеет сильную зависимость от угла падения ионов и будет иметь максимальное значение на естественно закругленных краях маски, что еще несколько повысит рассчитанное значение. Но даже без учета этого условия, оценка сверху для дозы контаминации составляет порядка 10% от дозы имплантации.
Довольно сложно предсказать, для каких размеров окон правомерны модельные допущения, но важно то, что роль контаминации атомов маски становится важным фактором при формировании локальных субмикронных ионно-имплантированных областей и выступает дополнительным ограничением, налагаемым на выбор материала маскирующего слоя.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
В работе рассмотрены эффекты управления ионно-имплантированным профилем примесных атомов при формировании локальных субмикронных активных областей в Si под действием электрических и механических полей, связанных с присутствием маскирующего слоя. Выполнены оценки критических размеров таких областей, при которых действие силовых полей является значимым и требует учета при конструктивно-технологическом проектировании приборов кремниевой микроэлектроники. Кроме того, обсуждается роль контаминации распыленных атомов маски в объеме ионно-легированных областей, что становится серьезным фактором загрязнения подложки по мере масштабирования линейных размеров областей.
ЛИТЕРАТУРА/REFERENCES
1. Красников Г.Я. Конструктивно-технологические особенности субмикронных МОП транзисторов. М.: ТЕХНОСФЕРА, 2011. 800 c.
Krasnikov G.Ya. Structural and technological features of submicron MOSFET. Moscow, TECHNOSPHERE, 2011, 800 p. (In Russian).
2. Current M. I. Ion implantation of advanced silicon devices: Past, present and future. Materials Science in Semiconductor Processing. 2017. Vol. 62. P. 13–22.
3. Seebauer E.G., Noh K. W. Trends in semiconductor defect engineering at the nanoscale. Materials Science and Engineering: R: Reports. 2010. Vol. 70. № 3–6. P. 151–168.
4. Hu S. M. Vacancies and self‐interstitials in silicon: generation and interaction in diffusion. Journal of The Electrochemical Society. 1992. Vol. 139. № 7. P. 2066–2075.
5. Gorai P., Kondratenko Y.V., Seebauer E.G. Mechanism and kinetics of near-surface dopant pile-up during post-implant annealing. Journal of Applied Physics. 2012. Vol. 111. № 9. P. 094510.
6. Mescheder U., Muller B., Baborie S. et al. Properties of SiO2 electret films charged by ion implantation for MEMS-based energy harvesting systems. Journal of Micromechanics and Microengineering. 2009. Vol. 19. № 9. P. 094003.
7. Hu S. M. Film‐edge‐induced stress in silicon substrates. Applied Physics Letters. 1978. Vol. 32. № 1. P. 5–7.
8. Egusa K., Shibahara K. Influence of high dose low energy ion implantation on dopant depth profile. Ion Implantation Technology Proceedings, 1998 International Conference on. IEEE, 1999. Vol. 2. P. 724–727.
Отзывы читателей
