eng
Выпуск #3-4/2019
А.Н.Алёшин
ИНМЭ РАН провел VI Международная научно-техническая конференция "Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике"
ИНМЭ РАН провел VI Международная научно-техническая конференция "Технологии микро- и наноэлектроники в микро- и наносистемной технике"
Просмотры: 1834
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук совместно с ГНЦ РФ НПК "Технологический центр" провел уже ставшую традиционной Международную научно-техническую конференцию, собравшую ведущих специалистов, исследователей и технологов в области теории наноструктур, нанотехнологий, нано- и микроэлектроники, наносенсоров, физических процессов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах.
Теги: integrated circuits nanoindustry nanosensors nanotechnologies state scientific center of the russian federation research and p гнц рф нпк "технологический центр" интегральные схемы наноиндустрия наносенсоры нанотехнологии
А.Н.Алёшин, к.ф.-м.н., доцент, (ORCID: 0000-0001-7342-4638) / nanoindustry@technosphera.ru
A.N.Alyoshin, Cand of Sc. (Physics and Mathematics), Docent
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук совместно с ГНЦ РФ НПК "Технологический центр" провел уже ставшую традиционной Международную научно-техническую конференцию, собравшую ведущих специалистов, исследователей и технологов в области теории наноструктур, нанотехнологий, нано- и микроэлектроники, наносенсоров, физических процессов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах.
Institute of Nanotechnologies of Microelectronics of the Russian Academy of Sciences in conjunction with the State Scientific Center of the Russian Federation Research and production complex "Technology Center" was held by the already traditional International Scientific and technical conference that brought together leading experts, researchers and technologists in the field of the theory of nanostructures, nanotechnologies, nano-and microelectronics, nanosensors, physical processes in semiconductor devices and integrated circuits.
Конференция отражает новейшие тенденции в современной наноиндустрии. Широкий спектр направлений исследований охватили пленарные доклады, посвященные моделированию нанотехнологий и наноэлементов (С.В.Булярский, ИНМЭ РАН), микромеханическим и магниторезистивным микросхемам (В.В.Амеличев, НПК "Технологический центр"), бриллюэновской фотонике (А.А.Фотиади), современным тенденциям в развитии микроэлектроники в целом (В.А.Лобунов, НАН Беларуси). В дальнейшем многочисленные участники и докладчики продолжили работу по секциям: "Новейшие тенденции нанотехнологического оборудования", "Микроэлектроника", "Теория наносистем", "Наноэлектроника", "Источники питания" и "Нанотехнологии".
В уютном холле демонстрировалось оборудование компании Keysight – электрометры (измерители высокого сопротивления В2987А), на шкале которых горела запоминающаяся цифра 99,6381 ГОм и источники питания В2962А, прецизионно выдающие во внешнюю цепь напряжение в 1 В с точностью до шестого знака после запятой. Наш журналист с удовольствием изучил все режимы работы этих приборов, вспоминая измерительную технику своей бывшей лаборатории и ереванские источники питания, электрический шум которых подавлялся дополнительной, собранной вручную, схемой для обеспечения точности выходного напряжения до сотых вольта. А ведь всего пару десятков лет прошло…
Прогрессу технологий много внимания уделил Ярек Долак (Jarec Dolak), докладчик из Чехии, продемонстрировавший развитие производства и технических характеристик диффузионных печей компании SVCS и уникального плазменного мультифункционального реактора за последние десятилетия. Подхватили тему развития инновационных технологий К.Орлов, подробно рассказавший о новейшем оборудовании для атомно-слоевого травления компании Oxford Instruments, и М.Назаркин, посвятивший свой доклад сборочному производству портативных гликерамических сенсоров, Д.Горностаев, продемонстрировавший в эффектных слайдах достижения многофункциональной низкотемпературной и высоковакуумной зондовой микроскопии и спектроскопии в измерениях атомарного и нанометрового масштаба.
Подарком организаторов была экскурсия по технологическим помещениям института – участники конференции увидели своими глазами современный уровень технологических залов и лабораторий, размещенных в двух специализированных этажах института, вместивших в себя все самое лучшее, передовое и необходимое оборудование для исследований на переднем крае науки, cutting edge нанотехнологий и атомарных материалов. В руках исследователей есть все необходимые инструменты для подготовки и создания технологического прорыва в микро- и наноэлектронике, обеспеченные не только впечатляющими технологическими возможностями, но и мощной фундаментальной подготовкой специалистов, которую они продемонстрировали в своих выступлениях во время работы секций конференции.
В секции теории наносистем прозвучали доклады о кинетике смачивающих фазовых переходов в тонких пленках (П.Е.Львов) и, далее, объединенные доклады от организаций: "Генератор поверхностных плазмон-поляритонных волн на основе углеродной нанотрубки", "Новые оптомеханические эффекты, обусловленные поверхностными плазмон-поляритонами" (А.С.Шалин), Electron oscillation model crystals based on silver yodide (Нетесова Н.П.), "Влияние аномальной диффузии ионов на характеристики литий-ионного аккумулятора" (Р.Т.Сибатов), "Генерация поверхностных плазмон-поляритонов терагерцевого диапазона в массиве углеродных трубок" (С.А.Афанасьев и др.).
Секция "Нанотехнологии" объединила исследователей, занимающихся изучением влияния мягкой плазмы на шероховатость барьерного слоя TiN (М.А.Тархов и др.), нелинейной фемтосекундной лазерной микростереолитографией (Е.В.Зенова и др.), механизма переноса заряда в одиночных УНТ, полученных методом химического осаждения из газовой фазы (Ю.В.Ануфриев и др.), влияния морфологии каталитической системы Co-Mo-MgO на синтез углеродных нанотрубок (А.П.Сиротина и др.), барьерных свойств TiN для синтеза массива углеродных нанотрубок на Ni-катализаторе методом ОЖЕ-электронной спектроскопии (В.С.Белов и др.), дефектообразования при гамма-облучении кремния методом рекомбинационной спектроскопии (М.А.Сауров и А.В.Лакалин), пленок нитрида кремния, полученного методом плазмохимического осаждения в индуктивно-связанной плазме (М.В.Шибалов и др.), формирования наноструктур при облучении металлов в жидкости фемтосекундными лазерными импульсами (Б.Б.Костишко и др.), применения метода атомно-слоевого осаждения для нанесения структурообразующих слоев кремний-углеродных структур (К.И.Литвинова и др.), методики характеризации электронной системы в углеродных нанотрубках при помощи высоковакуумного атомно-силового микроскопа (А.А.Жуков).
Обзорный доклад "Экспериментальный комплекс НИЦ "Курчатовский институт" – ИТЭФ для прецизионной модификации и атомно-масштабного анализа материалов" (С.В.Рогожкин и др.) был посвящен работе ученых Курчатовского института и ознакомил слушателей с их последними разработками.
Под занавес Конференции прозвучали презентации С.В.Булярского и др. "Временная динамика процесса формирования наночастиц катализатора на поверхности барьерного слоя", А.А.Клименко и др. "Определение концентрации углеродных нанотрубок в металлокомпозитах методом спектрофотометрии", Н.А.Тулиной "Исследование функциональных свойств селенида висмута в мемристорных структурах для применения в электронике". Продуктивно поработали и в других секциях Конференции.
В целом, организаторы и участники Конференции создали атмосферу научного праздника. Профессиональная работа модераторов секций поддерживала необходимый темп и хронометраж работы без ущерба для докладчиков и разгорающихся после окончания выступлений дискуссий. Высокий уровень докладов, инновационная сущность исследований, живое обсуждение и заинтересованность всех в развитии научного знания, обмена опытом, мнениями и прогнозами на будущее превратили собрание ученых, технологов и, главное, молодого авангарда отечественной науки в инновационный солитон, неслабеющая энергия которого будет подпитывать участников в их стремлении к познанию, новым открытиям и прорывам. ■
A.N.Alyoshin, Cand of Sc. (Physics and Mathematics), Docent
Институт нанотехнологий микроэлектроники Российской академии наук совместно с ГНЦ РФ НПК "Технологический центр" провел уже ставшую традиционной Международную научно-техническую конференцию, собравшую ведущих специалистов, исследователей и технологов в области теории наноструктур, нанотехнологий, нано- и микроэлектроники, наносенсоров, физических процессов в полупроводниковых приборах и интегральных схемах.
Institute of Nanotechnologies of Microelectronics of the Russian Academy of Sciences in conjunction with the State Scientific Center of the Russian Federation Research and production complex "Technology Center" was held by the already traditional International Scientific and technical conference that brought together leading experts, researchers and technologists in the field of the theory of nanostructures, nanotechnologies, nano-and microelectronics, nanosensors, physical processes in semiconductor devices and integrated circuits.
Конференция отражает новейшие тенденции в современной наноиндустрии. Широкий спектр направлений исследований охватили пленарные доклады, посвященные моделированию нанотехнологий и наноэлементов (С.В.Булярский, ИНМЭ РАН), микромеханическим и магниторезистивным микросхемам (В.В.Амеличев, НПК "Технологический центр"), бриллюэновской фотонике (А.А.Фотиади), современным тенденциям в развитии микроэлектроники в целом (В.А.Лобунов, НАН Беларуси). В дальнейшем многочисленные участники и докладчики продолжили работу по секциям: "Новейшие тенденции нанотехнологического оборудования", "Микроэлектроника", "Теория наносистем", "Наноэлектроника", "Источники питания" и "Нанотехнологии".
В уютном холле демонстрировалось оборудование компании Keysight – электрометры (измерители высокого сопротивления В2987А), на шкале которых горела запоминающаяся цифра 99,6381 ГОм и источники питания В2962А, прецизионно выдающие во внешнюю цепь напряжение в 1 В с точностью до шестого знака после запятой. Наш журналист с удовольствием изучил все режимы работы этих приборов, вспоминая измерительную технику своей бывшей лаборатории и ереванские источники питания, электрический шум которых подавлялся дополнительной, собранной вручную, схемой для обеспечения точности выходного напряжения до сотых вольта. А ведь всего пару десятков лет прошло…
Прогрессу технологий много внимания уделил Ярек Долак (Jarec Dolak), докладчик из Чехии, продемонстрировавший развитие производства и технических характеристик диффузионных печей компании SVCS и уникального плазменного мультифункционального реактора за последние десятилетия. Подхватили тему развития инновационных технологий К.Орлов, подробно рассказавший о новейшем оборудовании для атомно-слоевого травления компании Oxford Instruments, и М.Назаркин, посвятивший свой доклад сборочному производству портативных гликерамических сенсоров, Д.Горностаев, продемонстрировавший в эффектных слайдах достижения многофункциональной низкотемпературной и высоковакуумной зондовой микроскопии и спектроскопии в измерениях атомарного и нанометрового масштаба.
Подарком организаторов была экскурсия по технологическим помещениям института – участники конференции увидели своими глазами современный уровень технологических залов и лабораторий, размещенных в двух специализированных этажах института, вместивших в себя все самое лучшее, передовое и необходимое оборудование для исследований на переднем крае науки, cutting edge нанотехнологий и атомарных материалов. В руках исследователей есть все необходимые инструменты для подготовки и создания технологического прорыва в микро- и наноэлектронике, обеспеченные не только впечатляющими технологическими возможностями, но и мощной фундаментальной подготовкой специалистов, которую они продемонстрировали в своих выступлениях во время работы секций конференции.
В секции теории наносистем прозвучали доклады о кинетике смачивающих фазовых переходов в тонких пленках (П.Е.Львов) и, далее, объединенные доклады от организаций: "Генератор поверхностных плазмон-поляритонных волн на основе углеродной нанотрубки", "Новые оптомеханические эффекты, обусловленные поверхностными плазмон-поляритонами" (А.С.Шалин), Electron oscillation model crystals based on silver yodide (Нетесова Н.П.), "Влияние аномальной диффузии ионов на характеристики литий-ионного аккумулятора" (Р.Т.Сибатов), "Генерация поверхностных плазмон-поляритонов терагерцевого диапазона в массиве углеродных трубок" (С.А.Афанасьев и др.).
Секция "Нанотехнологии" объединила исследователей, занимающихся изучением влияния мягкой плазмы на шероховатость барьерного слоя TiN (М.А.Тархов и др.), нелинейной фемтосекундной лазерной микростереолитографией (Е.В.Зенова и др.), механизма переноса заряда в одиночных УНТ, полученных методом химического осаждения из газовой фазы (Ю.В.Ануфриев и др.), влияния морфологии каталитической системы Co-Mo-MgO на синтез углеродных нанотрубок (А.П.Сиротина и др.), барьерных свойств TiN для синтеза массива углеродных нанотрубок на Ni-катализаторе методом ОЖЕ-электронной спектроскопии (В.С.Белов и др.), дефектообразования при гамма-облучении кремния методом рекомбинационной спектроскопии (М.А.Сауров и А.В.Лакалин), пленок нитрида кремния, полученного методом плазмохимического осаждения в индуктивно-связанной плазме (М.В.Шибалов и др.), формирования наноструктур при облучении металлов в жидкости фемтосекундными лазерными импульсами (Б.Б.Костишко и др.), применения метода атомно-слоевого осаждения для нанесения структурообразующих слоев кремний-углеродных структур (К.И.Литвинова и др.), методики характеризации электронной системы в углеродных нанотрубках при помощи высоковакуумного атомно-силового микроскопа (А.А.Жуков).
Обзорный доклад "Экспериментальный комплекс НИЦ "Курчатовский институт" – ИТЭФ для прецизионной модификации и атомно-масштабного анализа материалов" (С.В.Рогожкин и др.) был посвящен работе ученых Курчатовского института и ознакомил слушателей с их последними разработками.
Под занавес Конференции прозвучали презентации С.В.Булярского и др. "Временная динамика процесса формирования наночастиц катализатора на поверхности барьерного слоя", А.А.Клименко и др. "Определение концентрации углеродных нанотрубок в металлокомпозитах методом спектрофотометрии", Н.А.Тулиной "Исследование функциональных свойств селенида висмута в мемристорных структурах для применения в электронике". Продуктивно поработали и в других секциях Конференции.
В целом, организаторы и участники Конференции создали атмосферу научного праздника. Профессиональная работа модераторов секций поддерживала необходимый темп и хронометраж работы без ущерба для докладчиков и разгорающихся после окончания выступлений дискуссий. Высокий уровень докладов, инновационная сущность исследований, живое обсуждение и заинтересованность всех в развитии научного знания, обмена опытом, мнениями и прогнозами на будущее превратили собрание ученых, технологов и, главное, молодого авангарда отечественной науки в инновационный солитон, неслабеющая энергия которого будет подпитывать участников в их стремлении к познанию, новым открытиям и прорывам. ■
Отзывы читателей
