Спецвыпуск/2019
В. П. Бокарев, Г. Я. Красников, Е. С. Горнев
Анизотропия поверхностных свойств кристаллов и ее роль в технологии микроэлектроники
Анизотропия поверхностных свойств кристаллов и ее роль в технологии микроэлектроники
Просмотры: 1317
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.175.179
С использованием модели координационного плавления кристаллов проведены расчеты анизотропии поверхностной энергии кристаллических материалов, используемых в кремниевой технологии. На основе проведенных расчетов и экспериментальных данных рассчитана анизотропия работы выхода электрона из разных граней кристаллов Al, Cu, Au, Ni, Ta, Cr, W и температура их поверхностного плавления. Показана связь между физико-химическими свойствами кристаллографически разных поверхностей металлов кубической сингонии с поверхностным расположением атомов, входящих в первые координационные сферы.
С использованием модели координационного плавления кристаллов проведены расчеты анизотропии поверхностной энергии кристаллических материалов, используемых в кремниевой технологии. На основе проведенных расчетов и экспериментальных данных рассчитана анизотропия работы выхода электрона из разных граней кристаллов Al, Cu, Au, Ni, Ta, Cr, W и температура их поверхностного плавления. Показана связь между физико-химическими свойствами кристаллографически разных поверхностей металлов кубической сингонии с поверхностным расположением атомов, входящих в первые координационные сферы.
Отзывы читателей