DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.232.233

Исследованы физические основы явлений, приводящих к возникновению и модификации шероховатости боковых поверхностей наноразмерных топологических структур. Рассмотрены технологические приемы, позволяющие снизить уровень шероховатости в Si-структурах, а также выдвинуты предложения о методах управления шероховатостью в структурах микро- и наноэлектроники.