eng
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
Спецвыпуск/2019
Н. А. Тулина, А. Н. Россоленко, И. М. Шмытько, А. А. Иванов, А. М. Ионов, С. И. Божко, В. В. Сироткин,
Функциональные свойства анизотропных перовскитных соединений в мемристорных структурах для применения в электронике
Функциональные свойства анизотропных перовскитных соединений в мемристорных структурах для применения в электронике
Просмотры: 1521
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.237.240
На примере исследования биполярного эффекта резистивных переключений в гетеропереходах на основе четырех классов высокотемпературных сверхпроводников (втсп): Bi2Sr2CaCu2O8+y (BSCCO), YBa2Cu3O7−d (YBCO), Ва0,6K0,4BiO3−x (KBBO), Nd1,86Ce0,14CuO4 (NCCO), показано, как, используя функциональные свойства ВТСП, формировать мемристорные структуры на их основе. Такие свойства, как претерпевать переход металл – диэлектрик при кислородном допировании, анизотропия электронного транспорта, существование резервуаров заряда, через которые осуществлется допирование проводящих медь-кислородных областей, — это те главные функциональные свойства ВТСП, которые позволяют их использовать в мемристорах.
На примере исследования биполярного эффекта резистивных переключений в гетеропереходах на основе четырех классов высокотемпературных сверхпроводников (втсп): Bi2Sr2CaCu2O8+y (BSCCO), YBa2Cu3O7−d (YBCO), Ва0,6K0,4BiO3−x (KBBO), Nd1,86Ce0,14CuO4 (NCCO), показано, как, используя функциональные свойства ВТСП, формировать мемристорные структуры на их основе. Такие свойства, как претерпевать переход металл – диэлектрик при кислородном допировании, анизотропия электронного транспорта, существование резервуаров заряда, через которые осуществлется допирование проводящих медь-кислородных областей, — это те главные функциональные свойства ВТСП, которые позволяют их использовать в мемристорах.
Отзывы читателей
