eng
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
Спецвыпуск/2019
А. А. Голишников, М. Г. Путря, В. И. Шевяков
Исследование процесса глубокого плазменного травления кремния для создания 3D-TSV-структур
Исследование процесса глубокого плазменного травления кремния для создания 3D-TSV-структур
Просмотры: 1512
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.244.245
Представлены результаты исследования особенностей процесса глубокого плазменного травления кремния для создания 3D-TSV-структур как одного из основополагающих в технологии изготовления 3D-ИС. В работе исследовано влияние операционных параметров плазменного травления кремния на технологические характеристики процесса в источнике высокоплотной трансформаторно-связанной плазмы. Показан ионностимулированный характер осаждения фторуглеродной пленки.
Представлены результаты исследования особенностей процесса глубокого плазменного травления кремния для создания 3D-TSV-структур как одного из основополагающих в технологии изготовления 3D-ИС. В работе исследовано влияние операционных параметров плазменного травления кремния на технологические характеристики процесса в источнике высокоплотной трансформаторно-связанной плазмы. Показан ионностимулированный характер осаждения фторуглеродной пленки.
Отзывы читателей
