Спецвыпуск/2019
А. О. Лебедев, С. В. Иванов, О. М. Орлов
Функциональные методы стабилизации параметров VSET И ROFF для ячеек памяти RеRAM на основе оксида гафния
Функциональные методы стабилизации параметров VSET И ROFF для ячеек памяти RеRAM на основе оксида гафния
Просмотры: 1342
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.248.249
В работе представлены результаты применения функциональных методов стабилизации для основных характеристик ячеек энергонезависимой памяти ReRAM. Рассмотрены две группы методов: импульсные и DC-методы; показано, что методы из каждой группы приводят к стабилизации параметра Vset, импульсные методы также уменьшают разброс параметра Roff. Приведены преимущества и недостатки циклирования при каждом методе стирания ячейки, проведен статистический анализ результатов, после которого эффективности всех методов сравнены между собой. Предложена феноменологическая модель стирания, иллюстрирующая процессы в МИМ-структуре при стирании ячейки.
В работе представлены результаты применения функциональных методов стабилизации для основных характеристик ячеек энергонезависимой памяти ReRAM. Рассмотрены две группы методов: импульсные и DC-методы; показано, что методы из каждой группы приводят к стабилизации параметра Vset, импульсные методы также уменьшают разброс параметра Roff. Приведены преимущества и недостатки циклирования при каждом методе стирания ячейки, проведен статистический анализ результатов, после которого эффективности всех методов сравнены между собой. Предложена феноменологическая модель стирания, иллюстрирующая процессы в МИМ-структуре при стирании ячейки.
Отзывы читателей