eng
Спецвыпуск/2019
Ю. М. Герасимов, Н. Г. Григорьев, А. В. Кобыляцкий, Я. Я. Петричкович, Т. В. Солохина
От первых КМОП-транзисторов до радиационно-стойких нанометровых КМОП СБИС СнК
От первых КМОП-транзисторов до радиационно-стойких нанометровых КМОП СБИС СнК
Просмотры: 1329
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.268.274
Рассмотрены вопросы создания отечественных радиационно-стойких КМОП ИС и СБИC с момента появления первых микронных КМОП-транзисторов в 1968 г. до современных нанометровых СБИС типа «систем на кристалле» (СнК), изготавливаемых по технологиям объемного кремния уровня 250–90 нм. Проанализированы особенности радиационно-стойкого проектирования таких СБИС. На основе разработанных библиотек элементов и СФ-блоков создан ряд конкурентоспособных СБИС СнК и ОЗУ.
Рассмотрены вопросы создания отечественных радиационно-стойких КМОП ИС и СБИC с момента появления первых микронных КМОП-транзисторов в 1968 г. до современных нанометровых СБИС типа «систем на кристалле» (СнК), изготавливаемых по технологиям объемного кремния уровня 250–90 нм. Проанализированы особенности радиационно-стойкого проектирования таких СБИС. На основе разработанных библиотек элементов и СФ-блоков создан ряд конкурентоспособных СБИС СнК и ОЗУ.
Отзывы читателей
