eng
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
Спецвыпуск/2019
А. А. Глушко, М. Г. Чистяков, И. В. Кудинов, С. А. Морозов, Г. А. Яшин, А. В. Амирханов, В. В. Макарчук, Л. А. Зинченко
Методика сопряжения моделирования радиационного транспорта и приборно-технологического моделирования для исследования одиночных сбоев
Методика сопряжения моделирования радиационного транспорта и приборно-технологического моделирования для исследования одиночных сбоев
Просмотры: 1915
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.337.341
Предложена методика, позволяющая сквозным образом описывать цепочку физических процессов, протекающих в микроэлектронных устройствах под действием ионизирующих излучений. Она включает в себя расчет первичных актов взаимодействия падающих высокоэнергетических частиц с веществом, трехмерное моделирование кинетики образовавшихся носителей заряда в пораженном элементе цепи и схемотехнический расчет отклика всей системы в целом. В докладе рассмотрены вопросы практической реализации данной методики. Приводятся примеры, относящиеся к случаю одиночных сбоев в ячейках памяти СОЗУ при облучении нейтронами с энергией 14 МэВ.
Предложена методика, позволяющая сквозным образом описывать цепочку физических процессов, протекающих в микроэлектронных устройствах под действием ионизирующих излучений. Она включает в себя расчет первичных актов взаимодействия падающих высокоэнергетических частиц с веществом, трехмерное моделирование кинетики образовавшихся носителей заряда в пораженном элементе цепи и схемотехнический расчет отклика всей системы в целом. В докладе рассмотрены вопросы практической реализации данной методики. Приводятся примеры, относящиеся к случаю одиночных сбоев в ячейках памяти СОЗУ при облучении нейтронами с энергией 14 МэВ.
Отзывы читателей
