eng
Спецвыпуск/2019
О. С. Пивко, А. М. Галимов
Угловая зависимость и усреднение по полному телесному углу сечения сбоев современных коммерческих ИМС памяти
Угловая зависимость и усреднение по полному телесному углу сечения сбоев современных коммерческих ИМС памяти
Просмотры: 1600
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.346.349
В работе проведено исследование угловой зависимости сечения сбоев для современных коммерческих микросхем памяти, выполненных в базисе планарной КМОП- и FinFET-технологии.
В работе проведено исследование угловой зависимости сечения сбоев для современных коммерческих микросхем памяти, выполненных в базисе планарной КМОП- и FinFET-технологии.
Отзывы читателей
