eng
Спецвыпуск/2019
В. П. Тимошенков, А. И. Хлыбов, Д. В. Родионов, А. И. Пантелеев, П. В. Тимошенков
Тепловой баланс СВЧ T/R-модуля Х-диапазона
Тепловой баланс СВЧ T/R-модуля Х-диапазона
Просмотры: 1331
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.420.426
Экспериментально и на основе компьютерного моделирования проведены исследования тепловых режимов СВЧ ИМС Х-диапазона для модуля АФАР, изготовленных по технологии GaAs, включающих 10-ваттный усилитель мощности, МШУ и устройства управления фазой и амплитудой сигнала. Для усилителя мощности приведены зависимости максимальной температуры кристалла от длительности и скважности импульсов питания.
Экспериментально и на основе компьютерного моделирования проведены исследования тепловых режимов СВЧ ИМС Х-диапазона для модуля АФАР, изготовленных по технологии GaAs, включающих 10-ваттный усилитель мощности, МШУ и устройства управления фазой и амплитудой сигнала. Для усилителя мощности приведены зависимости максимальной температуры кристалла от длительности и скважности импульсов питания.
Отзывы читателей
