eng
Спецвыпуск/2019
Н. Е. Иванова, Н. В. Зенченко, Н. В. Щаврук, Е. Б. Евлампиева
Особенности изготовления СВЧ МИС с применением фотолака при формировании заземляющей плоскости над активной поверхностью кристалла
Особенности изготовления СВЧ МИС с применением фотолака при формировании заземляющей плоскости над активной поверхностью кристалла
Просмотры: 1347
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.435.438
Работа посвящена решению задачи формирования заземляющей плоскости в СВЧ МИС на основе GaN на подложках сапфира. Предложено технологическое решение формирования заземляющей плоскости с использованием отечественного аналога полиимида над актитвной частью МИС. Проведены результаты испытаний изготовленных приборов.
Работа посвящена решению задачи формирования заземляющей плоскости в СВЧ МИС на основе GaN на подложках сапфира. Предложено технологическое решение формирования заземляющей плоскости с использованием отечественного аналога полиимида над актитвной частью МИС. Проведены результаты испытаний изготовленных приборов.
Отзывы читателей
