DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.450.452
Проведен анализ производственного рынка микроэлектронных компонентов. Сделано сравнение технологий производства на основе GaAs и GaN и их возможностей для расширения рабочего частотного диапазона изделий. Проведен анализ преимуществ и возникающих проблем при применении СВЧ МИС на производстве микроэлектроники. Подготовлено комплексное решение для модернизации производства СВЧ МИС.
Проведен анализ производственного рынка микроэлектронных компонентов. Сделано сравнение технологий производства на основе GaAs и GaN и их возможностей для расширения рабочего частотного диапазона изделий. Проведен анализ преимуществ и возникающих проблем при применении СВЧ МИС на производстве микроэлектроники. Подготовлено комплексное решение для модернизации производства СВЧ МИС.
Отзывы читателей