eng
Спецвыпуск/2019
С. Ю. Суздальцев, Д. Ю. Обижаев, С. Ю. Иванов, С. А. Жукова, В. Е. Турков
Применение прямого сращивания кремниевых пластин для формирования вакуумплотных электрических выводов чувствительных элементов МЭМС
Применение прямого сращивания кремниевых пластин для формирования вакуумплотных электрических выводов чувствительных элементов МЭМС
Просмотры: 1351
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.502.505
В настоящем докладе рассмотрены особенности термического отжига поверхностей Si и PECVD SiO2, позволяющего добиться качественного сращивания пластин кремния. Показано, что после применения подготовительного отжига при 1000 °C и основного отжига при 800 °C пластин со слоями PECVD SiO2 качество сращивания сравнимо с пластинами после термического окисления.
В настоящем докладе рассмотрены особенности термического отжига поверхностей Si и PECVD SiO2, позволяющего добиться качественного сращивания пластин кремния. Показано, что после применения подготовительного отжига при 1000 °C и основного отжига при 800 °C пластин со слоями PECVD SiO2 качество сращивания сравнимо с пластинами после термического окисления.
Отзывы читателей
