DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.586.590

Представлено сравнение характеристик гетероэпитаксиальных структур КНС (производства РФ и импортных) д. 150 мм до и после процедуры твердофазной рекристаллизации слоя Si. Получены ультратонкие (≤100 нм) рекристаллизованные слои Si (400) на сапфире со значением FWHM ~0,27° (РФ) и FWHM ~0,30° (импорт). Результаты электронографии и ПЭМ показали отсутствие рефлексов от двойников и снижение объемной плотности дефектов более чем на два порядка для ультратонкого КНС после процедур имплантации Si+ и твердофазной рекристаллизации. Контроль подвижности электронов n-канальных тестовых транзисторов на ультратонком КНС показал, что применение метода твердофазной рекристаллизации позволяет увеличить подвижность в канале на >50 % относительно стандартных структур. Обнаружено, что при возрастании концентрации носителей до ~3,13 · 1012 см−2 подвижность электронов падает до ~150–160 см2/В∙с, а пороговое напряжение n-канального транзистора меняется в диапазоне 0,25–0,75 В, причем ток открытого состояния слабо зависит от уровня легирования.

sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Под ред. Ханнинка Р.
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Спецвыпуск/2019
Н. Н. Егоров С. А. Голубков С. Д. Федотов В. Н. Стаценко А. А. Романов В. А. Метлов
Изучение подвижности электронов и ВАХ полевых транзисторов в зависимости от структурных и электрофизических характеристик ультратонкого кремния на сапфире
Просмотры: 1499
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.586.590

Представлено сравнение характеристик гетероэпитаксиальных структур КНС (производства РФ и импортных) д. 150 мм до и после процедуры твердофазной рекристаллизации слоя Si. Получены ультратонкие (≤100 нм) рекристаллизованные слои Si (400) на сапфире со значением FWHM ~0,27° (РФ) и FWHM ~0,30° (импорт). Результаты электронографии и ПЭМ показали отсутствие рефлексов от двойников и снижение объемной плотности дефектов более чем на два порядка для ультратонкого КНС после процедур имплантации Si+ и твердофазной рекристаллизации. Контроль подвижности электронов n-канальных тестовых транзисторов на ультратонком КНС показал, что применение метода твердофазной рекристаллизации позволяет увеличить подвижность в канале на >50 % относительно стандартных структур. Обнаружено, что при возрастании концентрации носителей до ~3,13 · 1012 см−2 подвижность электронов падает до ~150–160 см2/В∙с, а пороговое напряжение n-канального транзистора меняется в диапазоне 0,25–0,75 В, причем ток открытого состояния слабо зависит от уровня легирования.
 
 Отзывы читателей
Разработка: студия Green Art