eng
Спецвыпуск/2019
Н. Н. Егоров С. А. Голубков С. Д. Федотов В. Н. Стаценко А. А. Романов В. А. Метлов
Изучение подвижности электронов и ВАХ полевых транзисторов в зависимости от структурных и электрофизических характеристик ультратонкого кремния на сапфире
Изучение подвижности электронов и ВАХ полевых транзисторов в зависимости от структурных и электрофизических характеристик ультратонкого кремния на сапфире
Просмотры: 1312
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.586.590
Представлено сравнение характеристик гетероэпитаксиальных структур КНС (производства РФ и импортных) д. 150 мм до и после процедуры твердофазной рекристаллизации слоя Si. Получены ультратонкие (≤100 нм) рекристаллизованные слои Si (400) на сапфире со значением FWHM ~0,27° (РФ) и FWHM ~0,30° (импорт). Результаты электронографии и ПЭМ показали отсутствие рефлексов от двойников и снижение объемной плотности дефектов более чем на два порядка для ультратонкого КНС после процедур имплантации Si+ и твердофазной рекристаллизации. Контроль подвижности электронов n-канальных тестовых транзисторов на ультратонком КНС показал, что применение метода твердофазной рекристаллизации позволяет увеличить подвижность в канале на >50 % относительно стандартных структур. Обнаружено, что при возрастании концентрации носителей до ~3,13 · 1012 см−2 подвижность электронов падает до ~150–160 см2/В∙с, а пороговое напряжение n-канального транзистора меняется в диапазоне 0,25–0,75 В, причем ток открытого состояния слабо зависит от уровня легирования.
Представлено сравнение характеристик гетероэпитаксиальных структур КНС (производства РФ и импортных) д. 150 мм до и после процедуры твердофазной рекристаллизации слоя Si. Получены ультратонкие (≤100 нм) рекристаллизованные слои Si (400) на сапфире со значением FWHM ~0,27° (РФ) и FWHM ~0,30° (импорт). Результаты электронографии и ПЭМ показали отсутствие рефлексов от двойников и снижение объемной плотности дефектов более чем на два порядка для ультратонкого КНС после процедур имплантации Si+ и твердофазной рекристаллизации. Контроль подвижности электронов n-канальных тестовых транзисторов на ультратонком КНС показал, что применение метода твердофазной рекристаллизации позволяет увеличить подвижность в канале на >50 % относительно стандартных структур. Обнаружено, что при возрастании концентрации носителей до ~3,13 · 1012 см−2 подвижность электронов падает до ~150–160 см2/В∙с, а пороговое напряжение n-канального транзистора меняется в диапазоне 0,25–0,75 В, причем ток открытого состояния слабо зависит от уровня легирования.
Отзывы читателей
