eng
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
Спецвыпуск/2019
В. В. Веденеев А. И. Решмин С. Х. Тепловодский Ю. С. Зайко В. В. Трифонов А. В. Маркин
Газодинамическая защита процессов и объектов микроэлектроники от внешних контаминаций
Газодинамическая защита процессов и объектов микроэлектроники от внешних контаминаций
Просмотры: 1782
DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.637.646
Разработана технология формирования затопленных струй воздуха круглого поперечного сечения, остающихся однонаправленными на длине, равной 5–6 диаметрам струи, при достаточно больших числах Рейнольдса (~2000–13000). Показана эффективность защиты объектов микроэлектроники, находящихся в подобных струях, от воздействия окружающей среды. Разработанная технология может быть использована для создания локальных чистых зон, не ограниченных твердыми стенками, в производстве микроэлектроники.
Разработана технология формирования затопленных струй воздуха круглого поперечного сечения, остающихся однонаправленными на длине, равной 5–6 диаметрам струи, при достаточно больших числах Рейнольдса (~2000–13000). Показана эффективность защиты объектов микроэлектроники, находящихся в подобных струях, от воздействия окружающей среды. Разработанная технология может быть использована для создания локальных чистых зон, не ограниченных твердыми стенками, в производстве микроэлектроники.
Отзывы читателей
