eng
Выпуск #6/2020
В.В.Амеличев, А.А.Резнев, Д.В.Васильев
Развитие технологии наноструктур со спин-туннельным магниторезистивным эффектом
Развитие технологии наноструктур со спин-туннельным магниторезистивным эффектом
Просмотры: 1962
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.6.332.337
Представлены результаты экспериментальных исследований процесса формирования многослойных наноструктур со спин-туннельным магниторезистивным (СТМР) эффектом. При формировании СТМР-наноструктур по интегральной технологии достигнут эффект на уровне 157,5%.
Представлены результаты экспериментальных исследований процесса формирования многослойных наноструктур со спин-туннельным магниторезистивным (СТМР) эффектом. При формировании СТМР-наноструктур по интегральной технологии достигнут эффект на уровне 157,5%.
Теги: microelectronics multilayer nanostructures producing with spin-tunnel magnetoresi микроэлектроника многослойные наноструктуры со спин-туннельным магниторезистивным
В.В.Амеличев1, к.т.н., начальник отдела микросистемной техники, (ORCID: 0000-0002-4204-2626), А.А.Резнев2, д.т.н., зам. руководителя ФГКУ "В/ч 68240", Д.В.Васильев1, науч. сотр. / V.Amelichev@tcen.ru
V.V.Amelichev, Cand. of Sc. (Technical), Head of Microsystem Technology Department, A.A.Reznev, Doct. of Sc. (Technical),
Deputy Head of FSOI "M/u 68240", D.V.Vasilyev, Researcher
УДК 681.586.7, 53.087.92, DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.6.332.337
Получено: 16.10.2020 г.
ВВЕДЕНИЕ
Тонкопленочные многослойные наноструктуры со спин-туннельным магниторезистивным (СТМР) эффектом применяются в ряде современных приборов: высокочувствительных преобразователях магнитного поля, считывающих головках, энергонезависимой памяти, биосенсорных и логических элементах устройств спинтроники. Овладение технологией формирования наноструктур с СТМР-эффектом открывает новые возможности для таких секторов экономики, как приборостроение, медицина, транспорт, аэрокосмическая техника и системы безопасности.
Среди наиболее востребованных применений СТМР-наноструктур в настоящее время выделяются два – энергонезависимая память и высокочувствительные датчики и преобразователи магнитного поля. Так, например, компания Everspin одной из первых реализовала магниторезистивную память с произвольным доступом (magnetoresistive random-access memory – MRAM) и в настоящее время является лидером в области перспективных энергонезависимых устройств хранения информации. Технология MRAM основана на последовательном формировании КМОП-схемы и массива СТМР-элементов. Как правило, в состав ячейки MRAM входит МОП-транзистор и СТМР-элемент. Отличительной особенностью MRAM является использование квантовых и магнитных эффектов в СТМР-элементах. Основным преимуществом MRAM является сочетание свойств, которым не обладает ни одна другая технология стандартной или энергонезависимой памяти – полная энергонезависимость, высокая скорость чтения / записи и неограниченное количество циклов чтения / записи [1].
За последнее десятилетие появилось еще несколько компаний, обладающих своими фирменными технологиями изготовления MRAM на основе СТМР-элементов [1–4]. Одной из таких компаний является "Крокус Наноэлектроника" – совместное предприятие РОСНАНО и Crocus Technology, созданное в 2011 году. Компания Crocus Technology анонсировала для магниторезистивной оперативной памяти и преобразователей магнитного поля собственную конструкцию СТМР-элемента, в которой переключение между состояниями низкого и высокого сопротивления происходит при высокой плотности тока сквозь наноструктуру СТМР-элемента [2].
Американо-китайская компания MultiDimension Technology имеет широкий ассортимент продуктов (высокочувствительные преобразователи магнитного поля, переключатели, датчики угла, датчики тока и др.), реализованных на основе СТМР-наноструктур. В линейке продуктов данной компании есть демонстрационные платы, помогающие освоить их изделия в различных приложениях [5].
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
Спин-туннельный переход (СТП) состоит из барьерного слоя, заключенного между двумя ферромагнитными (ФМ) пленками различной коэрцитивности [6]. Ввиду того что ФМ-слои достаточно быстро окисляются, для их защиты применяются пленки Та, Ti, Ru. На рис.1 представлен эскиз структуры СТП.
В качестве барьерного слоя в основном применяется диэлектрик MgO, позволяющий получать более высокий СТМР-эффект. Тем не менее, в ряде фирм выполняются исследования СТП на основе Al2O3 [7], NaCl [8], ZnO [9] и Mg3B2O6 [10]. Для пленок ФМ1 и ФМ2, в основном, используются сплавы на основе Co (CoFe, FeNiCo, CoFeB и др.), также в последнее время активно изучаются сплавы Гейслера и редкоземельные металлы [6].
Когда спиновая ориентация ФМ-слоев совпадает, проводимость структуры возрастает, при антипараллельной конфигурации проводимость значительно уменьшается [6]. Разница сопротивлений при параллельной и антипараллельной конфигурации намагниченности ФМ-слоев определяет СТМР-эффект наноструктуры. При фиксации одного из ФМ-слоев в СТП антиферромагнетиком вид магнитной характеристики наноструктуры Fe/MgO/Fe/IrMn принимает вид, представленный на рис.2 [11]. ФМ-слой без фиксации называется свободным и перемагничивается при значительно меньших полях в сравнении с фиксированным ФМ-слоем, который перемагничивается более сильным магнитным полем.
Работа устройств спинтроники основана на изменении сопротивления в области малых полей, то есть перемагничивании свободного ФМ-слоя.
Создание эффективного СТП является основой конструирования широкого спектра приборов и устройств на основе СТМР-эффекта. Для минимизации временных и материальных затрат в процессе отработки формирования состава наноструктуры СТП применялся масочный метод [12]. В качестве трафаретных масок могут использоваться кремниевые пластины со сквозными отверстиями в виде полосок и многоугольников (рис.3).
Массивы данных фигур на пластинах кремния формируются ортогонально, так, чтобы при совмещении трафаретной и рабочей пластин, образовывался крестообразный элемент, содержащий в области пересечений нижнего и верхнего электродов ФМ-слоев СТП (рис.4).
Согласно исследованиям [13] наноструктуры вида CoFeB/MgO/CoFeB имеют высокий СТМР-эффект даже при комнатной температуре. Значительный СТМР-эффект объясняется когерентным спин-зависимым туннелированием через барьер MgO. Когерентное туннелирование возможно, к примеру, в наноструктуре Fe(001)/MgO(001)/Fe(001) [13].
ФМ-слои в наноструктуре CoFeB/MgO/CoFeB аморфны после напыления, но после термомагнитной обработки (ТМО) слои CoFeB кристаллизуются в объемноцентрированную кубическую (ОЦК) кристаллическую структуру с плоскостью (001). Следует отметить, что CoFeB в данной наноструктуре, прилегающий к барьеру MgO(001), кристаллизуется в ОЦК с плоскостью (001), а барьерный слой MgO(001) в данном случае выступает в роли затравочного слоя при кристаллизации аморфного CoFeB. Такой процесс кристаллизации известен как твердофазная эпитаксия [14]. Таким образом, ОЦК CoFeB(001) имеет полностью спин-поляризованные Δ1 блоховские состояния на уровне Ферми, наноструктура CoFeB/MgO/CoFeB может достигать значительных значений СТМР-эффекта, вплоть до 600% [15].
В процессе отработки технологии формирования наноструктуры СТП было экспериментально подтверждено влияние ТМО на СТМР-эффект в образцах, изготовленных как масочным методом (рис.5), так и с применением фотолитографических циклов (рис.6).
Интегральная технология изготовления СТМР-наноструктур состоит из пяти фотолитографических циклов, включающих формирование определенной последовательности наноразмерных слоев Ta/FeNiCo/CoFeB/MgO/CoFeB/FeNiCo/FeMn/Ta в едином технологическом процессе. В интегральной СТМР-наноструктуре после проведения ТМО достигнутый СТМР-эффект составил 108%. Дальнейшее повышение величины магниторезистивного эффекта было возможно при повышенной температуре ТМО.
Следующим этапом в развитии интегральной СТМР-наноструктуры являлась замена антиферромагнитного слоя FeMn на слой IrMn, обладающий более высокой температурой Нееля.
Дальнейшие исследования показали, что применение в составе СТМР-наноструктуры синтетического антиферромагнетика (САФ) позволяет обеспечить более высокую термостабильность, симметричность петли перемагничивания свободного слоя относительно нуля, повышенное значение величины СТМР-эффекта (рис.7) [14]. Как правило, САФ представляет собой два ФМ-слоя, разделенных немагнитным слоем (Ru, Ag, Au), для которых характерно взаимодействие Рудермана – Киттеля – Касуя – Иосиды (РККИ-взаимодействие).
На рис.8 показано влияние слоя Ru на процесс кристаллизации аморфного слоя CoFeB в СТП. После ТМО границы раздела CoFeB/MgO/CoFeB образца с Ru имеют более упорядоченную структуру, что значительно повышает СТМР-эффект [16].
В результате ряда модификаций и отработки технологического процесса СТМР-наноструктура приняла вид Та/CoFe/CoFeB/MgО/CoFeB/Ru/CoFe/IrMn/Ta. После отработки технологического процесса формирования данной СТМР-наноструктуры и подбора оптимального режима ТМО достигнут СТМР-эффект на уровне 157,5% (рис.9).
Полученные экспериментальные и теоретические данные способствуют разработке и изготовлению устройств на основе СТМР-наноструктур: высокочувствительных преобразователей магнитного поля, энергонезависимой магниторезистивной памяти с произвольным доступом.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Масочное формирование СТМР-наноструктур значительно сократило технологический цикл изготовления экспериментальных образцов СТП при подборе материалов и толщин пленок, входящих в состав многослойной наноструктуры. Замена антиферромагнитного слоя FeMn на IrMn в наноструктуре позволило повысить температуру ТМО, что повлекло за собой увеличение СТМР-эффекта. Применение САФ-структуры в фиксированном слое обеспечило температурную стабильность СТП, повышение СТМР-эффекта, снижение магнитостатического поля опорного слоя и его влияния на свободный слой. САФ в фиксированном слое применяется для создания скрещенной магнитной конфигурации, необходимой для создания преобразователей магнитного поля. После проведения нескольких стадий ТМО СТМР-наноструктур с САФ в фиксированном слое при различных режимах коэрцитивность свободного слоя значительно снижается.
Минимизация влияния шероховатости на свойства фиксирующего антиферромагнитного слоя в СТМР-наноструктуре реализуется путем его формирования в области верхнего электрода СТП. Величина полученного СТМР-эффекта при данной конфигурации наноструктуры находится на уровне, достигнутом зарубежными исследователями [17].
Исследование параметров сформированных наноструктур осуществлялось с использованием уникального оборудования ЦКП "Функциональный контроль и диагностика микро- и наносистемной техники" на базе НПК "Технологический центр".
ЛИТЕРАТУРА / REFERENCES
Материалы компании Everspin Technologies [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://www.everspin.com/ (дата обращения: 29.06.2020).
Материалы компании Крокус Наноэлектроника [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://crocusnano.com/magneto (дата обращения: 29.06.2020).
Материалы компании IBM [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://www.ibm.com/ru-ru (дата обращения: 29.06.2020).
Материалы компании Honeywell International [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://aerospace.honeywell.com/en/learn/products/microelectronics/ memories (дата обращения: 29.06.2020).
Материалы компании MultiDimension Technology [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://www.dowaytech.com/en/modules/demo_boards.html (дата обращения: 04.09.2020).
Advanced Applications in Manufacturing Engineering / Ed. by M.Ram, J.P.Davim. 2019. PP. 53–77.
Buchanan J.D.R., Hase T.P.A., Tanner B.K. et al.Determination of the thickness of Al2O3 barriers in magnetic tunnel junctions // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. No. 4. PP. 751–753.
Nakazumi M., Yoshioka D., Yanagihara H., Kita E. et al. Fabrication of magnetic tunneling junctions with NaCl barriers // J. Appl. Phys. 2002. V. 46. No. 10A. 2007. PP. 6618–6620.
Yang Z., Zhan Q., Zhu X. et al. Tunneling magnetoresistance induced by controllable formation of Co filaments in resistive switching Co/ZnO/Fe structures // Europhys. Lett. 2014. V. 108. No. 5. 58004-p1-p6.
Stewart D.A. New type of magnetic tunnel junction based on spin filtering through a reduced symmetry oxide: FeCo/Mg3B2O6/FeCo // Nano Lett. 2010. V. 10. No. 1. PP. 263–267.
Yuasa S., Nagahama T., Fukushima A., Suzuki Y., Ando K. Giant room-temperature magnetoresistance in single-crystal Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions // Nature. 2004. No. 3. PP. 868–871.
Абанин И.Е., Амеличев В.В., Беляков П.А. [и др.] Исследование спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с барьерным слоем из оксида магния (MgO), полученных масочным методом // Нано- и микросистемная техника. 2015. No. 4. PP. 10–14.
Tsunekawa K., Djayaprawira D.D., Nagai M. et al. 230% room-temperature magnetoresistance in CoFeB/ MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions // Appl. Phys. Lett. 2005. No. 87. P. 072503.
Dieny B., Goldfarb R.B., Lee K.-J. Introduction to magnetic random-access memory. – IEEE Magnetics, 2017. 255 p.
Ikeda S., Hayakawa J., Ashizawa Y. et al. Tunnel magnetoresistance of 604% at 300 K by suppression of Ta diffusion in CoFeB/MgO/CoFeB pseudo-spin-valves annealed at high temperature // Appl. Phys. Lett. 2008. No. 93. P. 082508.
Lee Y.M., Hayakawa J., Ikeda Sh. et al. Giant tunnel magnetoresistance and high annealing stability in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions with synthetic pinned layer // Appl. Phys. Lett. 2006. No. 89. P. 042506.
Jin Zh., Oogane M., Fujiwara K., Ando Ya. Magnetic sensor based on serial magnetic tunnel junctions for highly sensitive detection of surface cracks // Journal of applied physics. 2017. No. 122. P. 174502.
V.V.Amelichev, Cand. of Sc. (Technical), Head of Microsystem Technology Department, A.A.Reznev, Doct. of Sc. (Technical),
Deputy Head of FSOI "M/u 68240", D.V.Vasilyev, Researcher
УДК 681.586.7, 53.087.92, DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.6.332.337
Получено: 16.10.2020 г.
ВВЕДЕНИЕ
Тонкопленочные многослойные наноструктуры со спин-туннельным магниторезистивным (СТМР) эффектом применяются в ряде современных приборов: высокочувствительных преобразователях магнитного поля, считывающих головках, энергонезависимой памяти, биосенсорных и логических элементах устройств спинтроники. Овладение технологией формирования наноструктур с СТМР-эффектом открывает новые возможности для таких секторов экономики, как приборостроение, медицина, транспорт, аэрокосмическая техника и системы безопасности.
Среди наиболее востребованных применений СТМР-наноструктур в настоящее время выделяются два – энергонезависимая память и высокочувствительные датчики и преобразователи магнитного поля. Так, например, компания Everspin одной из первых реализовала магниторезистивную память с произвольным доступом (magnetoresistive random-access memory – MRAM) и в настоящее время является лидером в области перспективных энергонезависимых устройств хранения информации. Технология MRAM основана на последовательном формировании КМОП-схемы и массива СТМР-элементов. Как правило, в состав ячейки MRAM входит МОП-транзистор и СТМР-элемент. Отличительной особенностью MRAM является использование квантовых и магнитных эффектов в СТМР-элементах. Основным преимуществом MRAM является сочетание свойств, которым не обладает ни одна другая технология стандартной или энергонезависимой памяти – полная энергонезависимость, высокая скорость чтения / записи и неограниченное количество циклов чтения / записи [1].
За последнее десятилетие появилось еще несколько компаний, обладающих своими фирменными технологиями изготовления MRAM на основе СТМР-элементов [1–4]. Одной из таких компаний является "Крокус Наноэлектроника" – совместное предприятие РОСНАНО и Crocus Technology, созданное в 2011 году. Компания Crocus Technology анонсировала для магниторезистивной оперативной памяти и преобразователей магнитного поля собственную конструкцию СТМР-элемента, в которой переключение между состояниями низкого и высокого сопротивления происходит при высокой плотности тока сквозь наноструктуру СТМР-элемента [2].
Американо-китайская компания MultiDimension Technology имеет широкий ассортимент продуктов (высокочувствительные преобразователи магнитного поля, переключатели, датчики угла, датчики тока и др.), реализованных на основе СТМР-наноструктур. В линейке продуктов данной компании есть демонстрационные платы, помогающие освоить их изделия в различных приложениях [5].
ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
Спин-туннельный переход (СТП) состоит из барьерного слоя, заключенного между двумя ферромагнитными (ФМ) пленками различной коэрцитивности [6]. Ввиду того что ФМ-слои достаточно быстро окисляются, для их защиты применяются пленки Та, Ti, Ru. На рис.1 представлен эскиз структуры СТП.
В качестве барьерного слоя в основном применяется диэлектрик MgO, позволяющий получать более высокий СТМР-эффект. Тем не менее, в ряде фирм выполняются исследования СТП на основе Al2O3 [7], NaCl [8], ZnO [9] и Mg3B2O6 [10]. Для пленок ФМ1 и ФМ2, в основном, используются сплавы на основе Co (CoFe, FeNiCo, CoFeB и др.), также в последнее время активно изучаются сплавы Гейслера и редкоземельные металлы [6].
Когда спиновая ориентация ФМ-слоев совпадает, проводимость структуры возрастает, при антипараллельной конфигурации проводимость значительно уменьшается [6]. Разница сопротивлений при параллельной и антипараллельной конфигурации намагниченности ФМ-слоев определяет СТМР-эффект наноструктуры. При фиксации одного из ФМ-слоев в СТП антиферромагнетиком вид магнитной характеристики наноструктуры Fe/MgO/Fe/IrMn принимает вид, представленный на рис.2 [11]. ФМ-слой без фиксации называется свободным и перемагничивается при значительно меньших полях в сравнении с фиксированным ФМ-слоем, который перемагничивается более сильным магнитным полем.
Работа устройств спинтроники основана на изменении сопротивления в области малых полей, то есть перемагничивании свободного ФМ-слоя.
Создание эффективного СТП является основой конструирования широкого спектра приборов и устройств на основе СТМР-эффекта. Для минимизации временных и материальных затрат в процессе отработки формирования состава наноструктуры СТП применялся масочный метод [12]. В качестве трафаретных масок могут использоваться кремниевые пластины со сквозными отверстиями в виде полосок и многоугольников (рис.3).
Массивы данных фигур на пластинах кремния формируются ортогонально, так, чтобы при совмещении трафаретной и рабочей пластин, образовывался крестообразный элемент, содержащий в области пересечений нижнего и верхнего электродов ФМ-слоев СТП (рис.4).
Согласно исследованиям [13] наноструктуры вида CoFeB/MgO/CoFeB имеют высокий СТМР-эффект даже при комнатной температуре. Значительный СТМР-эффект объясняется когерентным спин-зависимым туннелированием через барьер MgO. Когерентное туннелирование возможно, к примеру, в наноструктуре Fe(001)/MgO(001)/Fe(001) [13].
ФМ-слои в наноструктуре CoFeB/MgO/CoFeB аморфны после напыления, но после термомагнитной обработки (ТМО) слои CoFeB кристаллизуются в объемноцентрированную кубическую (ОЦК) кристаллическую структуру с плоскостью (001). Следует отметить, что CoFeB в данной наноструктуре, прилегающий к барьеру MgO(001), кристаллизуется в ОЦК с плоскостью (001), а барьерный слой MgO(001) в данном случае выступает в роли затравочного слоя при кристаллизации аморфного CoFeB. Такой процесс кристаллизации известен как твердофазная эпитаксия [14]. Таким образом, ОЦК CoFeB(001) имеет полностью спин-поляризованные Δ1 блоховские состояния на уровне Ферми, наноструктура CoFeB/MgO/CoFeB может достигать значительных значений СТМР-эффекта, вплоть до 600% [15].
В процессе отработки технологии формирования наноструктуры СТП было экспериментально подтверждено влияние ТМО на СТМР-эффект в образцах, изготовленных как масочным методом (рис.5), так и с применением фотолитографических циклов (рис.6).
Интегральная технология изготовления СТМР-наноструктур состоит из пяти фотолитографических циклов, включающих формирование определенной последовательности наноразмерных слоев Ta/FeNiCo/CoFeB/MgO/CoFeB/FeNiCo/FeMn/Ta в едином технологическом процессе. В интегральной СТМР-наноструктуре после проведения ТМО достигнутый СТМР-эффект составил 108%. Дальнейшее повышение величины магниторезистивного эффекта было возможно при повышенной температуре ТМО.
Следующим этапом в развитии интегральной СТМР-наноструктуры являлась замена антиферромагнитного слоя FeMn на слой IrMn, обладающий более высокой температурой Нееля.
Дальнейшие исследования показали, что применение в составе СТМР-наноструктуры синтетического антиферромагнетика (САФ) позволяет обеспечить более высокую термостабильность, симметричность петли перемагничивания свободного слоя относительно нуля, повышенное значение величины СТМР-эффекта (рис.7) [14]. Как правило, САФ представляет собой два ФМ-слоя, разделенных немагнитным слоем (Ru, Ag, Au), для которых характерно взаимодействие Рудермана – Киттеля – Касуя – Иосиды (РККИ-взаимодействие).
На рис.8 показано влияние слоя Ru на процесс кристаллизации аморфного слоя CoFeB в СТП. После ТМО границы раздела CoFeB/MgO/CoFeB образца с Ru имеют более упорядоченную структуру, что значительно повышает СТМР-эффект [16].
В результате ряда модификаций и отработки технологического процесса СТМР-наноструктура приняла вид Та/CoFe/CoFeB/MgО/CoFeB/Ru/CoFe/IrMn/Ta. После отработки технологического процесса формирования данной СТМР-наноструктуры и подбора оптимального режима ТМО достигнут СТМР-эффект на уровне 157,5% (рис.9).
Полученные экспериментальные и теоретические данные способствуют разработке и изготовлению устройств на основе СТМР-наноструктур: высокочувствительных преобразователей магнитного поля, энергонезависимой магниторезистивной памяти с произвольным доступом.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Масочное формирование СТМР-наноструктур значительно сократило технологический цикл изготовления экспериментальных образцов СТП при подборе материалов и толщин пленок, входящих в состав многослойной наноструктуры. Замена антиферромагнитного слоя FeMn на IrMn в наноструктуре позволило повысить температуру ТМО, что повлекло за собой увеличение СТМР-эффекта. Применение САФ-структуры в фиксированном слое обеспечило температурную стабильность СТП, повышение СТМР-эффекта, снижение магнитостатического поля опорного слоя и его влияния на свободный слой. САФ в фиксированном слое применяется для создания скрещенной магнитной конфигурации, необходимой для создания преобразователей магнитного поля. После проведения нескольких стадий ТМО СТМР-наноструктур с САФ в фиксированном слое при различных режимах коэрцитивность свободного слоя значительно снижается.
Минимизация влияния шероховатости на свойства фиксирующего антиферромагнитного слоя в СТМР-наноструктуре реализуется путем его формирования в области верхнего электрода СТП. Величина полученного СТМР-эффекта при данной конфигурации наноструктуры находится на уровне, достигнутом зарубежными исследователями [17].
Исследование параметров сформированных наноструктур осуществлялось с использованием уникального оборудования ЦКП "Функциональный контроль и диагностика микро- и наносистемной техники" на базе НПК "Технологический центр".
ЛИТЕРАТУРА / REFERENCES
Материалы компании Everspin Technologies [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://www.everspin.com/ (дата обращения: 29.06.2020).
Материалы компании Крокус Наноэлектроника [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://crocusnano.com/magneto (дата обращения: 29.06.2020).
Материалы компании IBM [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://www.ibm.com/ru-ru (дата обращения: 29.06.2020).
Материалы компании Honeywell International [Электронный ресурс]. Режим доступа: https://aerospace.honeywell.com/en/learn/products/microelectronics/ memories (дата обращения: 29.06.2020).
Материалы компании MultiDimension Technology [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://www.dowaytech.com/en/modules/demo_boards.html (дата обращения: 04.09.2020).
Advanced Applications in Manufacturing Engineering / Ed. by M.Ram, J.P.Davim. 2019. PP. 53–77.
Buchanan J.D.R., Hase T.P.A., Tanner B.K. et al.Determination of the thickness of Al2O3 barriers in magnetic tunnel junctions // Appl. Phys. Lett. 2002. V. 81. No. 4. PP. 751–753.
Nakazumi M., Yoshioka D., Yanagihara H., Kita E. et al. Fabrication of magnetic tunneling junctions with NaCl barriers // J. Appl. Phys. 2002. V. 46. No. 10A. 2007. PP. 6618–6620.
Yang Z., Zhan Q., Zhu X. et al. Tunneling magnetoresistance induced by controllable formation of Co filaments in resistive switching Co/ZnO/Fe structures // Europhys. Lett. 2014. V. 108. No. 5. 58004-p1-p6.
Stewart D.A. New type of magnetic tunnel junction based on spin filtering through a reduced symmetry oxide: FeCo/Mg3B2O6/FeCo // Nano Lett. 2010. V. 10. No. 1. PP. 263–267.
Yuasa S., Nagahama T., Fukushima A., Suzuki Y., Ando K. Giant room-temperature magnetoresistance in single-crystal Fe/MgO/Fe magnetic tunnel junctions // Nature. 2004. No. 3. PP. 868–871.
Абанин И.Е., Амеличев В.В., Беляков П.А. [и др.] Исследование спин-туннельных магниторезистивных наноструктур с барьерным слоем из оксида магния (MgO), полученных масочным методом // Нано- и микросистемная техника. 2015. No. 4. PP. 10–14.
Tsunekawa K., Djayaprawira D.D., Nagai M. et al. 230% room-temperature magnetoresistance in CoFeB/ MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions // Appl. Phys. Lett. 2005. No. 87. P. 072503.
Dieny B., Goldfarb R.B., Lee K.-J. Introduction to magnetic random-access memory. – IEEE Magnetics, 2017. 255 p.
Ikeda S., Hayakawa J., Ashizawa Y. et al. Tunnel magnetoresistance of 604% at 300 K by suppression of Ta diffusion in CoFeB/MgO/CoFeB pseudo-spin-valves annealed at high temperature // Appl. Phys. Lett. 2008. No. 93. P. 082508.
Lee Y.M., Hayakawa J., Ikeda Sh. et al. Giant tunnel magnetoresistance and high annealing stability in CoFeB/MgO/CoFeB magnetic tunnel junctions with synthetic pinned layer // Appl. Phys. Lett. 2006. No. 89. P. 042506.
Jin Zh., Oogane M., Fujiwara K., Ando Ya. Magnetic sensor based on serial magnetic tunnel junctions for highly sensitive detection of surface cracks // Journal of applied physics. 2017. No. 122. P. 174502.
Отзывы читателей
