УДК 538.956/537.226.4
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.281

sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Search:

Sign in
Nanoindustry
Editorial policy
Editorial collegium
Editorial board
Articles annotations
For authors
For reviewers
Publisher
TECHNOSPHERA
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Sign in:

Your e-mail:
Password:
 
Create your account
Forgot your password?
FOR AUTHORS:

Instruction to authors
FOR REVIEWERS:

Книги по нанотехнологиям
Мартинес-Дуарт Дж. М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф.
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Issue #9/2018
Chernikova Anna G., Krasnikov Gennady Ya., Gornev Evgenii S., Kozodayev Maksim G., Negrov Dmitriy V., Orlov Oleg M., Zenkevich Andrey V., Markeyev Andrey M.
HfO2-Based 1T-1C Ferroelectric Memory Cells and Arrays
In this work, we report on the formation of 1T-1C ferroelectric memory cell based on the fully atomic layer deposited (ALD) TiN/Hf0.5Zr0.5O2/TiN trilayers, i.e. ferroelectric capacitor. This ferroelectric capacitor based on 10nm thick Hf0.5Zr0.5O2 exhibits ferroelectric properties with the remnant polarization of 2Pr = 20 μC/cm2. It was integrated with CMOS transistors, formed by 180nm technological node. As formed fully CMOS compatible memory cells were found to demonstrate rather good endurance following 1010 switching cycles. Further, the formation of 1Mb array of such 1T-1C memory cells was successfully demonstrated. Moreover, in this work we present the further discussion of the possible ways to improve the properties of such FeRAM cells in terms of materials engineering. For this purpose ternary multicomponent HfO2-ZrO2-La2O3 system was investigated in terms of ferroelectric response in dependence of annealing temperature, which would result in the preferred ferroelectric orthorhombic polar phase formation. As a result, rather promising remnant polarization value as well as endurance characteristics of fully plasma-enhanced ALD grown TiN/HfO2-ZrO2-La2O3/TiN trilayers were demonstrated.
 
 Readers feedback
Разработка: студия Green Art