eng
Test & Measurement
Контроль и измерения
V. I. Plebanovich S. M. Avakaw
Microdefect inspection tools as necessary system technology constituent Can you imagine how much harm can be done by defects in the course of IC fabrication? Some experts do not pay enough attention and lose resources. However, there is an answer to this challenge called Automatic Defect Inspection Tools and this is exactly what contemporary IC production process needs for defect-free IC fabrication.
Microdefect inspection tools as necessary system technology constituent Can you imagine how much harm can be done by defects in the course of IC fabrication? Some experts do not pay enough attention and lose resources. However, there is an answer to this challenge called Automatic Defect Inspection Tools and this is exactly what contemporary IC production process needs for defect-free IC fabrication.
В. И. Плебанович С. М. Аваков
Оборудование контроля микродефектности — необходимая составляющая системной технологии DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.604.607
Насколько вы представляете себе тот вред, который приносит дефектность в процессе производства интегральных микросхем? Некоторые специалисты не придают этому должного внимания и теряют свои ресурсы. Сегодня доступно оборудование для автоматического контроля дефектности. При производстве интегральных микросхем необходимо встраивать автоматический контроль дефектности в технологический процесс.
Оборудование контроля микродефектности — необходимая составляющая системной технологии DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.604.607
Насколько вы представляете себе тот вред, который приносит дефектность в процессе производства интегральных микросхем? Некоторые специалисты не придают этому должного внимания и теряют свои ресурсы. Сегодня доступно оборудование для автоматического контроля дефектности. При производстве интегральных микросхем необходимо встраивать автоматический контроль дефектности в технологический процесс.
K. V. Grigorash
The role of standardization in designing systems, tools and electronic component base for the development of ACS and communications of the Russian Federation Armed Forces Report on the need to standardize the process of development and production of complex and high-tech hardware and software ACS and communications and providing electronic component base (ECB) in the interests of import substitution and technological independence of the domestic market of microelectronics.
The role of standardization in designing systems, tools and electronic component base for the development of ACS and communications of the Russian Federation Armed Forces Report on the need to standardize the process of development and production of complex and high-tech hardware and software ACS and communications and providing electronic component base (ECB) in the interests of import substitution and technological independence of the domestic market of microelectronics.
К. В. Григораш
Роль стандартизации при разработке систем, средств и электронной компонентной базы в интересах развития АСУ и связи Вооруженных Сил Российской Федерации DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.608.609
Доклад о необходимости стандартизации процесса разработки и производства сложных и наукоемких аппаратно-программных средств АСУ и связи и обеспечивающей электронной компонентной базе (ЭКБ) в интересах импортозамещения и обеспечения технологической независимости отечественного рынка производства микроэлектроники.
Роль стандартизации при разработке систем, средств и электронной компонентной базы в интересах развития АСУ и связи Вооруженных Сил Российской Федерации DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.608.609
Доклад о необходимости стандартизации процесса разработки и производства сложных и наукоемких аппаратно-программных средств АСУ и связи и обеспечивающей электронной компонентной базе (ЭКБ) в интересах импортозамещения и обеспечения технологической независимости отечественного рынка производства микроэлектроники.
A. N. Alexeev S. I. Petrov V. V. Mamaev S. A. Novikov E. V. Lutsenko N. V. Rzheutskii
Advantages of using Russian ammonia MBE system for growing nitride heterostructures for microelectronics The paper deals with using an AlN buffer layer grown at extremely high temperatures (up to 1150 °C) in combination with AlN/AlGaN superlattices at the Russian STE3N MBE System using ammonia as a nitrogen source, which allows drastically improving the structural quality of active GaN layers (dislocation density reduced to 9 ⋅ 108–1 ⋅ 109 cm−2, as well as increasing the mobility of electrons in the GaN/AlGaN channel to 2000 cm2/V⋅s, and providing the device-level quality of heterostructures for microelectronics.
Advantages of using Russian ammonia MBE system for growing nitride heterostructures for microelectronics The paper deals with using an AlN buffer layer grown at extremely high temperatures (up to 1150 °C) in combination with AlN/AlGaN superlattices at the Russian STE3N MBE System using ammonia as a nitrogen source, which allows drastically improving the structural quality of active GaN layers (dislocation density reduced to 9 ⋅ 108–1 ⋅ 109 cm−2, as well as increasing the mobility of electrons in the GaN/AlGaN channel to 2000 cm2/V⋅s, and providing the device-level quality of heterostructures for microelectronics.
А. Н. Алексеев С. И. Петров В. В. Мамаев С. А. Новиков Е. В. Луценко Н. В. Ржеуцкий
Преимущества использования отечественной высокотемпературной аммиачной МЛЭ при выращивании гетероструктур на основе GaN для микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.610.614
Использование буферного слоя AlN, выращенного при экстремально высокой температуре (до 1150 °C) в сочетании со сверхрешетками AlN/AlGaN на установке молекулярно-лучевой эпитаксии STE3N российского производства с использованием аммиака в качестве источника активного азота, позволяет кардинально улучшить структурное совершенство активных слоев GaN (понизить плотность дислокаций до значений 9 ⋅ 108–1 ⋅ 109 см−2), увеличить подвижность электронов в канале GaN/AlGaN до 2000 см2/В⋅с и обеспечить приборное качество гетероструктур для микроэлектроники.
Преимущества использования отечественной высокотемпературной аммиачной МЛЭ при выращивании гетероструктур на основе GaN для микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.610.614
Использование буферного слоя AlN, выращенного при экстремально высокой температуре (до 1150 °C) в сочетании со сверхрешетками AlN/AlGaN на установке молекулярно-лучевой эпитаксии STE3N российского производства с использованием аммиака в качестве источника активного азота, позволяет кардинально улучшить структурное совершенство активных слоев GaN (понизить плотность дислокаций до значений 9 ⋅ 108–1 ⋅ 109 см−2), увеличить подвижность электронов в канале GaN/AlGaN до 2000 см2/В⋅с и обеспечить приборное качество гетероструктур для микроэлектроники.
M. G. Biryukov V. V. Odinokov
Vacuum-plasma processes and experimental equipment for optimizing technologies on O200 mm plates with topological dimensions of 180–65 nanometers level The paper highlights current vacuum-plasma processes and experimental equipment, such as atomic-layer deposition, plasma-chemical etching, shallow trench isolation technique and wafer stripping.
Vacuum-plasma processes and experimental equipment for optimizing technologies on O200 mm plates with topological dimensions of 180–65 nanometers level The paper highlights current vacuum-plasma processes and experimental equipment, such as atomic-layer deposition, plasma-chemical etching, shallow trench isolation technique and wafer stripping.
М. Г. Бирюков В. В. Одиноков
Вакуумно-плазменные процессы и экспериментальное оборудование для отработки технологий на пластинах O200 мм с топологическими размерами уровня 180–65 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.615.623
Рассмотрены актуальные вакуумно-плазменные процессы и экспериментальное оборудование: атомно-слоевое осаждение, плазмохимическое травление, формирование мелкощелевой изоляции и очистка поверхности пластин.
Вакуумно-плазменные процессы и экспериментальное оборудование для отработки технологий на пластинах O200 мм с топологическими размерами уровня 180–65 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.615.623
Рассмотрены актуальные вакуумно-плазменные процессы и экспериментальное оборудование: атомно-слоевое осаждение, плазмохимическое травление, формирование мелкощелевой изоляции и очистка поверхности пластин.
Yu. V. Gerasimenko V. F. Tupikin A. S. Ermakova N. V. Komarov V. N. Komarov A. I. Sergienko
Promising directions of developing specialized domestic equipment for wafer technochemical processing in technological process of manufacturing microcircuits, MEMS and microassemblies The paper presents a complex review of the specialized equipment for the wafers techno-chemical processing, as well as considers the main world trends in the production of special technological equipment for manufacturing integrated circuits, MEMS and microassemblies, summing up the experience of Scientific Research Institute of Semiconductor Mechanical Engineering in this field.
Promising directions of developing specialized domestic equipment for wafer technochemical processing in technological process of manufacturing microcircuits, MEMS and microassemblies The paper presents a complex review of the specialized equipment for the wafers techno-chemical processing, as well as considers the main world trends in the production of special technological equipment for manufacturing integrated circuits, MEMS and microassemblies, summing up the experience of Scientific Research Institute of Semiconductor Mechanical Engineering in this field.
Ю. В. Герасименко В. Ф. Тупикин А. С. Ермакова Н. В. Комаров В. Н. Комаров А. И. Сергиенко
Перспективные направления развития специализированного отечественного оборудования технохимической обработки пластин в технологическом процессе изготовления микросхем, МЭМС и микросборок DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.624.627
Проведен комплексный обзор специализированного оборудования для технохимической обработки пластин, рассмотрены основные мировые тенденции производства специального технологического оборудования для изготовления интегральных схем, МЭМС и микросборок, представлен опыт ОАО «НИИПМ» в этой области.
Перспективные направления развития специализированного отечественного оборудования технохимической обработки пластин в технологическом процессе изготовления микросхем, МЭМС и микросборок DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.624.627
Проведен комплексный обзор специализированного оборудования для технохимической обработки пластин, рассмотрены основные мировые тенденции производства специального технологического оборудования для изготовления интегральных схем, МЭМС и микросборок, представлен опыт ОАО «НИИПМ» в этой области.
D. S. Semichasnova V. V. Kondrashov
Automation features of surface mount technologies of printed boards in the realities of the state defense order The paper considers the problems of introducing the automation of surface mounting technologies on printed boards in the military equipment production in the realities of the state defense order.
Automation features of surface mount technologies of printed boards in the realities of the state defense order The paper considers the problems of introducing the automation of surface mounting technologies on printed boards in the military equipment production in the realities of the state defense order.
Д. С. Семичаснова В. В. Кондрашов
Особенности автоматизации процесса сборки печатных узлов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.628.630
В статье рассматриваются проблемные вопросы, возникающие при внедрении автоматизации процесса сборки печатных узлов в рамках производства составных частей военной и спецтехники в условиях гособоронзаказа.
Особенности автоматизации процесса сборки печатных узлов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.628.630
В статье рассматриваются проблемные вопросы, возникающие при внедрении автоматизации процесса сборки печатных узлов в рамках производства составных частей военной и спецтехники в условиях гособоронзаказа.
V. V. Kondrashov V. V. Chapkin A. V. Lukashenkov
Laser trimming simulation of fi lm resistors in ResModel as a basis for developing an optimal control system The paper considers the construction of a simulation system for the process of laser trimming of film resistors based on mesh circuit models. The approaches to the solution of problems arising during the trimming process development are offered.
Laser trimming simulation of fi lm resistors in ResModel as a basis for developing an optimal control system The paper considers the construction of a simulation system for the process of laser trimming of film resistors based on mesh circuit models. The approaches to the solution of problems arising during the trimming process development are offered.
В. В. Кондрашов В. В. Чапкин А. В. Лукашенков
Имитационное моделирование процесса лазерной подгонки пленочных резистивных элементов в программе ResModel как основа построения оптимальных систем управления DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.631.633
В работе описано построение системы имитационного моделирования процесса лазерной подгонки резистивных элементов на основе сеточных схемных моделей. Рассмотрены подходы к решению задач, возникающих при разработке процесса подгонки.
Имитационное моделирование процесса лазерной подгонки пленочных резистивных элементов в программе ResModel как основа построения оптимальных систем управления DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.631.633
В работе описано построение системы имитационного моделирования процесса лазерной подгонки резистивных элементов на основе сеточных схемных моделей. Рассмотрены подходы к решению задач, возникающих при разработке процесса подгонки.
V. V. Ivanov D. N. Tuzhilin A. A. Efi mov D. A. Mylnikov K. M. Khabarov P. V. Arsenov D. L. Saprykin
Developing additive technology for the production of 3D-microstructures based on aerosol nanoparticles printing with local laser sintering The paper highlights the principles of aerosol printing of 3D-microstructures, combining the processes of gas-discharge synthesis, aerosol deposition and local laser sintering of nanoparticle arrays in a single technological cycle. Laser sintering of microstructures is realized in a wide window of process speeds from 0.01 to 4 mm/s and allows coordinating the processes of aerosol deposition and sintering of nanoparticles on substrates.
Developing additive technology for the production of 3D-microstructures based on aerosol nanoparticles printing with local laser sintering The paper highlights the principles of aerosol printing of 3D-microstructures, combining the processes of gas-discharge synthesis, aerosol deposition and local laser sintering of nanoparticle arrays in a single technological cycle. Laser sintering of microstructures is realized in a wide window of process speeds from 0.01 to 4 mm/s and allows coordinating the processes of aerosol deposition and sintering of nanoparticles on substrates.
В. В. Иванов Д. Н. Тужилин А. А. Ефимов Д. А. Мыльников К. М. Хабаров П. В. Арсенов Д. Л. Сапрыкин
Развитие аддитивной технологии для производства 3D-микроструктур на основе аэрозольной печати наночастицами с локальным лазерным спеканием DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.634.636
Разработаны принципы аэрозольной печати 3D-микроструктур, объединяющей процессы газоразрядного синтеза, аэрозольного осаждения и локального лазерного спекания массивов наночастиц в едином технологическом цикле. Лазерное спекание микроструктур реализуется в широком окне скоростей процесса от 0,01 до 4 мм/с и позволяет согласовывать процессы аэрозольного осаждения и спекания наночастиц на подложках.
Развитие аддитивной технологии для производства 3D-микроструктур на основе аэрозольной печати наночастицами с локальным лазерным спеканием DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.634.636
Разработаны принципы аэрозольной печати 3D-микроструктур, объединяющей процессы газоразрядного синтеза, аэрозольного осаждения и локального лазерного спекания массивов наночастиц в едином технологическом цикле. Лазерное спекание микроструктур реализуется в широком окне скоростей процесса от 0,01 до 4 мм/с и позволяет согласовывать процессы аэрозольного осаждения и спекания наночастиц на подложках.
V. V. Vedeneev A. I. Reshmin S. K. Teplovodskii J. S. Zayko V. V. Trifonov A. V. Markin
Gas-dynamic protection of microelectronics processes and objects from external contamination The paper considers the technoloy of forming the submerged air jets of circular cross-section remaining unidirectional at the distance equal to 5–6 diameters of the jet at sufficiently high Reynolds numbers (~2000–13000). The efficiency of protection of microelectronic objects in such jets from the environment impact has been shown. The technology developed can be used for creating local clean zones not bounded by rigid walls in microelectronics production.
Gas-dynamic protection of microelectronics processes and objects from external contamination The paper considers the technoloy of forming the submerged air jets of circular cross-section remaining unidirectional at the distance equal to 5–6 diameters of the jet at sufficiently high Reynolds numbers (~2000–13000). The efficiency of protection of microelectronic objects in such jets from the environment impact has been shown. The technology developed can be used for creating local clean zones not bounded by rigid walls in microelectronics production.
В. В. Веденеев А. И. Решмин С. Х. Тепловодский Ю. С. Зайко В. В. Трифонов А. В. Маркин
Газодинамическая защита процессов и объектов микроэлектроники от внешних контаминаций DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.637.646
Разработана технология формирования затопленных струй воздуха круглого поперечного сечения, остающихся однонаправленными на длине, равной 5–6 диаметрам струи, при достаточно больших числах Рейнольдса (~2000–13000). Показана эффективность защиты объектов микроэлектроники, находящихся в подобных струях, от воздействия окружающей среды. Разработанная технология может быть использована для создания локальных чистых зон, не ограниченных твердыми стенками, в производстве микроэлектроники.
Газодинамическая защита процессов и объектов микроэлектроники от внешних контаминаций DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.637.646
Разработана технология формирования затопленных струй воздуха круглого поперечного сечения, остающихся однонаправленными на длине, равной 5–6 диаметрам струи, при достаточно больших числах Рейнольдса (~2000–13000). Показана эффективность защиты объектов микроэлектроники, находящихся в подобных струях, от воздействия окружающей среды. Разработанная технология может быть использована для создания локальных чистых зон, не ограниченных твердыми стенками, в производстве микроэлектроники.
A. V. Borodin, A. V. Veretennikov, S. V. Bozhko, S. V. Kotov, D. N. Kuzmin, V. A. Borodin
Factory of the future for developing and manufacturing customized vacuum equipment for scientifi c instrument making and high-tech industries The paper presents the scientific and technical background and activity of the Experimental Factory for Scientific Engineering with the Special Design Bureau of the Russian Academy of Sciences in the field of computer engineering, development and production of high vacuum equipment, as well as related scientific instruments and technological equipment. The project “Factories of the Future”, which is currently being implemented within the NTI (National Technology Initiative), for the development and production of customized vacuum equipment for scientific instruments and high-tech industries has been considered.
Factory of the future for developing and manufacturing customized vacuum equipment for scientifi c instrument making and high-tech industries The paper presents the scientific and technical background and activity of the Experimental Factory for Scientific Engineering with the Special Design Bureau of the Russian Academy of Sciences in the field of computer engineering, development and production of high vacuum equipment, as well as related scientific instruments and technological equipment. The project “Factories of the Future”, which is currently being implemented within the NTI (National Technology Initiative), for the development and production of customized vacuum equipment for scientific instruments and high-tech industries has been considered.
А. В. Бородин А. В. Веретенников С. В. Божко С. В. Котов Д. Н. Кузьмин В. А. Бородин
Фабрика будущего по разработке и производству кастомизированной вакуумной техники для научного приборостроения и высокотехнологичных отраслей промышленности DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.647.649
В статье представлены научно-технический задел и работы экспериментального завода научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро РАН (ФГУП ЭЗАН) по компьютерному инжинирингу, разработке и производству высоковакуумной техники, приборам и технологическому оборудованию на ее основе. Рассматривается реализуемый в настоящее время в рамках НТИ проект «Фабрики будущего» по разработке и производству кастомизированной вакуумной техники для научного приборостроения и высокотехнологичных отраслей промышленности.
Фабрика будущего по разработке и производству кастомизированной вакуумной техники для научного приборостроения и высокотехнологичных отраслей промышленности DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.647.649
В статье представлены научно-технический задел и работы экспериментального завода научного приборостроения со Специальным конструкторским бюро РАН (ФГУП ЭЗАН) по компьютерному инжинирингу, разработке и производству высоковакуумной техники, приборам и технологическому оборудованию на ее основе. Рассматривается реализуемый в настоящее время в рамках НТИ проект «Фабрики будущего» по разработке и производству кастомизированной вакуумной техники для научного приборостроения и высокотехнологичных отраслей промышленности.
V. V. Mazhulin, P. M. Matyushin, E. A. Shamaev
Test rigs for ICs: development experience and new opportunities The paper highlights the development of special test rigs and test beds for new ICs. A cooperation model in IC development and testing has been proposed, and a possible trend of development has been described.
Test rigs for ICs: development experience and new opportunities The paper highlights the development of special test rigs and test beds for new ICs. A cooperation model in IC development and testing has been proposed, and a possible trend of development has been described.
В. В. Мажулин П. М. Матюшин Е. А. Шамаев
Оснастки для проведения испытаний микросхем: опыт разработки и новые возможности DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.650
Рассмотрены задачи создания специализированных оснасток и стендов для проведения испытаний ЭКБ в свете решаемой в настоящее время в Российской Федерации задачи импортозамещения. Предложена модель взаимодействия организаций в процессе разработки микросхем.
Оснастки для проведения испытаний микросхем: опыт разработки и новые возможности DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.650
Рассмотрены задачи создания специализированных оснасток и стендов для проведения испытаний ЭКБ в свете решаемой в настоящее время в Российской Федерации задачи импортозамещения. Предложена модель взаимодействия организаций в процессе разработки микросхем.
O. Yu. Bulgakov
The state and directions of developing metrological support of tests in the ECB production The paper presents the main problems of metrological support of tests in the electronic component base production. The causes of these problems have been identified. Rational ways of solving such problems have been found.
The state and directions of developing metrological support of tests in the ECB production The paper presents the main problems of metrological support of tests in the electronic component base production. The causes of these problems have been identified. Rational ways of solving such problems have been found.
О. Ю. Булгаков
Состояние и направления развития метрологического обеспечения испытаний при производстве ЭКБ DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.651.653
В статье рассмотрены основные проблемы метрологического обеспечения испытаний при производстве электронной компонентной базы. Выявлены причины данных проблем. Построены рациональные пути решения подобных задач.
Состояние и направления развития метрологического обеспечения испытаний при производстве ЭКБ DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.651.653
В статье рассмотрены основные проблемы метрологического обеспечения испытаний при производстве электронной компонентной базы. Выявлены причины данных проблем. Построены рациональные пути решения подобных задач.
P. P. Kutsko, O. Yu. Bulgakov
The concept of creating an integrated center for organizing and conducting tests of ECB and radio electronics The article considers a number of objective and subjective problems at the radio electronic industry enterprises. The main tool for solving the problem has been identified. The main goal of the need to create an Integrated Center for organizing and conducting tests of ECB and REA has been set.
The concept of creating an integrated center for organizing and conducting tests of ECB and radio electronics The article considers a number of objective and subjective problems at the radio electronic industry enterprises. The main tool for solving the problem has been identified. The main goal of the need to create an Integrated Center for organizing and conducting tests of ECB and REA has been set.
П. П. Куцько О. Ю. Булгаков
Концепция создания Интегрированного центра организации и проведения испытаний ЭКБ и РЭА DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.654.656
В статье рассмотрен ряд как объективных, так и субъективных проблем на предприятиях радиоэлектронной отрасли. Выявлен основной инструмент решения поставленной проблематики. Поставлена главная цель необходимости создания Интегрированного центра организации и проведения испытаний ЭКБ и РЭА.
Концепция создания Интегрированного центра организации и проведения испытаний ЭКБ и РЭА DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.654.656
В статье рассмотрен ряд как объективных, так и субъективных проблем на предприятиях радиоэлектронной отрасли. Выявлен основной инструмент решения поставленной проблематики. Поставлена главная цель необходимости создания Интегрированного центра организации и проведения испытаний ЭКБ и РЭА.
A. A. Kuzmin, D. V. Nacharov, Yu. P. Mikhaylyuck, V. V. Vertegel, Yu. B. Gimpilevich
System for improving the discernibility of informative regions on digital images of integrated circuits layouts The paper presents the results of developing a prototype of a technical vision system based on a field programmable gate array. A method for improving the discernibility of informative regions on digital images of integrated circuits layouts has been presented.
System for improving the discernibility of informative regions on digital images of integrated circuits layouts The paper presents the results of developing a prototype of a technical vision system based on a field programmable gate array. A method for improving the discernibility of informative regions on digital images of integrated circuits layouts has been presented.
А. А. Кузьмин Д. В. Начаров Ю. П. Михайлюк В. В. Вертегел Ю. Б. Гимпилевич
Система улучшения различимости информативных фрагментов на цифровых изображениях топологий интегральных схем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.657.669
В работе представлены результаты разработки прототипа системы технического зрения, выполненного на основе программируемой логической интегральной схемы. Изложен метод улучшения различимости информативных фрагментов на цифровых изображениях топологий интегральных схем и его аппаратная реализация.
Система улучшения различимости информативных фрагментов на цифровых изображениях топологий интегральных схем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.657.669
В работе представлены результаты разработки прототипа системы технического зрения, выполненного на основе программируемой логической интегральной схемы. Изложен метод улучшения различимости информативных фрагментов на цифровых изображениях топологий интегральных схем и его аппаратная реализация.
Стандартизация
S. V. Novichkov, D. E. Bandurin
Software and hardware VLSI verifi cation. SCE-MI standard The paper considers standard Co-Emulation Modeling Interface (SCE-MI) and advantages of using FPGA for SoC functional verification.
Software and hardware VLSI verifi cation. SCE-MI standard The paper considers standard Co-Emulation Modeling Interface (SCE-MI) and advantages of using FPGA for SoC functional verification.
С. В. Новичков, Д. Е. Бандурин
Программно-аппаратная верификация СБИС. Стандарт SCE-MI DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.333.334
В данной работе рассматривается стандарт совместной программно-аппаратной верификации SCE-MI, а также преимущества использования ПЛИС для функциональной верификации СнК.
Программно-аппаратная верификация СБИС. Стандарт SCE-MI DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.333.334
В данной работе рассматривается стандарт совместной программно-аппаратной верификации SCE-MI, а также преимущества использования ПЛИС для функциональной верификации СнК.
D. V. Kulikov
A behavioral model of pipelined ADCs The paper is devoted to the development of behavioral models of pipelined ADC by Verilog-A, providing multi-factor optimization of ADC units, including multi-channel pipelined ADC.
A behavioral model of pipelined ADCs The paper is devoted to the development of behavioral models of pipelined ADC by Verilog-A, providing multi-factor optimization of ADC units, including multi-channel pipelined ADC.
Д. В. Куликов
Поведенческая модель конвейерных АЦП DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.335.336
Работа посвящена созданию поведенческих моделей конвейерных АЦП на Verilog-A, обеспечивающих многофакторную оптимизацию блоков АЦП, в том числе для многоканальных конвейерных АЦП.
Поведенческая модель конвейерных АЦП DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.335.336
Работа посвящена созданию поведенческих моделей конвейерных АЦП на Verilog-A, обеспечивающих многофакторную оптимизацию блоков АЦП, в том числе для многоканальных конвейерных АЦП.
A. A. Glushko, M. G. Chistyakov, I. V. Kudinov, S. A. Morozov, G. A. Yashin, A. V. Amirkhanov, V. V. Makarchuk, L. A. Zinchenko
Combining radiation transport simulations with TCAD modeling to address Single Event Eff ects The paper presents a procedure that allows multi-stage description of different physical processes taking place inside irradiated microelectronic devices. It incorporates modeling of initial interactions of bombarding energetic particles with matter, 3D simulation of charge carriers generated in the affected region and circuit-level computations that provide whole-system response. Here we discuss issues related to practical implementation of the procedure. Examples concerning SEU in SRAM cells irradiated with 14 MeV neutrons have been presented.
Combining radiation transport simulations with TCAD modeling to address Single Event Eff ects The paper presents a procedure that allows multi-stage description of different physical processes taking place inside irradiated microelectronic devices. It incorporates modeling of initial interactions of bombarding energetic particles with matter, 3D simulation of charge carriers generated in the affected region and circuit-level computations that provide whole-system response. Here we discuss issues related to practical implementation of the procedure. Examples concerning SEU in SRAM cells irradiated with 14 MeV neutrons have been presented.
А. А. Глушко, М. Г. Чистяков, И. В. Кудинов, С. А. Морозов, Г. А. Яшин, А. В. Амирханов, В. В. Макарчук, Л. А. Зинченко
Методика сопряжения моделирования радиационного транспорта и приборно-технологического моделирования для исследования одиночных сбоев DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.337.341
Предложена методика, позволяющая сквозным образом описывать цепочку физических процессов, протекающих в микроэлектронных устройствах под действием ионизирующих излучений. Она включает в себя расчет первичных актов взаимодействия падающих высокоэнергетических частиц с веществом, трехмерное моделирование кинетики образовавшихся носителей заряда в пораженном элементе цепи и схемотехнический расчет отклика всей системы в целом. В докладе рассмотрены вопросы практической реализации данной методики. Приводятся примеры, относящиеся к случаю одиночных сбоев в ячейках памяти СОЗУ при облучении нейтронами с энергией 14 МэВ.
Методика сопряжения моделирования радиационного транспорта и приборно-технологического моделирования для исследования одиночных сбоев DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.337.341
Предложена методика, позволяющая сквозным образом описывать цепочку физических процессов, протекающих в микроэлектронных устройствах под действием ионизирующих излучений. Она включает в себя расчет первичных актов взаимодействия падающих высокоэнергетических частиц с веществом, трехмерное моделирование кинетики образовавшихся носителей заряда в пораженном элементе цепи и схемотехнический расчет отклика всей системы в целом. В докладе рассмотрены вопросы практической реализации данной методики. Приводятся примеры, относящиеся к случаю одиночных сбоев в ячейках памяти СОЗУ при облучении нейтронами с энергией 14 МэВ.
V. V. Alekseev, A. I. Kolyadin, A. A. Chuprinov
A system of intellectual support of the designer based on united information space (IPR) The system of intellectual support of the designer (SIPP) Concept is aimed at the ultimate goal — the creation of an “electronic” product and includes both the development of VLSI (chips) and electronic equipment and printed circuit boards. The modern approach involves the use of a unified information space at all these and subsequent stages of the life cycle of the designed product.
A system of intellectual support of the designer based on united information space (IPR) The system of intellectual support of the designer (SIPP) Concept is aimed at the ultimate goal — the creation of an “electronic” product and includes both the development of VLSI (chips) and electronic equipment and printed circuit boards. The modern approach involves the use of a unified information space at all these and subsequent stages of the life cycle of the designed product.
В. В. Алексеев, А. И. Колядин, А. А. Чупринов
Система интеллектуальной поддержки проектировщика на базе объединенного информационного пространства (ОИП) DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.342.343
Концепция системы интеллектуальной поддержки проектировщика (СИПП) направлена на конечную цель — создание «электронного» продукта, и включает в себя разработку как СБИС (чипов), так и радиоэлектронной аппаратуры и печатных плат. Современный подход предполагает использование объединенного информационного пространства на всех этих и последующих этапах жизненного цикла проектируемого продукта.
Система интеллектуальной поддержки проектировщика на базе объединенного информационного пространства (ОИП) DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.342.343
Концепция системы интеллектуальной поддержки проектировщика (СИПП) направлена на конечную цель — создание «электронного» продукта, и включает в себя разработку как СБИС (чипов), так и радиоэлектронной аппаратуры и печатных плат. Современный подход предполагает использование объединенного информационного пространства на всех этих и последующих этапах жизненного цикла проектируемого продукта.
M. M. Gourary, M. M. Zharov, L. P. Ionov, I. I. Mukhin, S. G. Rusakov, I. M. Ten, S. L. Ulyanov
PLL Phase Micromodel Considering Nonlinear Effects The paper cinsiders problems of noise analysis of fractional-N PLL circuits in the presence of nonlinear effects in the charge pump. An algorithm taking into account the current mismatch has been proposed for obtaining an equivalent quantization noise spectrum for the formation of a PLL linear phase macro-model. Simulation examples have been presented.
PLL Phase Micromodel Considering Nonlinear Effects The paper cinsiders problems of noise analysis of fractional-N PLL circuits in the presence of nonlinear effects in the charge pump. An algorithm taking into account the current mismatch has been proposed for obtaining an equivalent quantization noise spectrum for the formation of a PLL linear phase macro-model. Simulation examples have been presented.
М. М. Гурарий, М. М. Жаров, Л. П. Ионов, И. И. Мухин, С. Г. Русаков, И. М. Тен, С. Л. Ульянов
Фазовая макромодель схем ФАПЧ с учетом нелинейных эффектов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.344.345
В работе рассмотрены проблемы шумового анализа схем ФАПЧ с дробным делителем частоты при наличии нелинейных эффектов в токовом ключе. Предложен алгоритм учета рассогласования токов при получении эквивалентного спектра шума квантования для формирования линейной фазовой макромодели ФАПЧ. Приведены примеры моделирования.
Фазовая макромодель схем ФАПЧ с учетом нелинейных эффектов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.344.345
В работе рассмотрены проблемы шумового анализа схем ФАПЧ с дробным делителем частоты при наличии нелинейных эффектов в токовом ключе. Предложен алгоритм учета рассогласования токов при получении эквивалентного спектра шума квантования для формирования линейной фазовой макромодели ФАПЧ. Приведены примеры моделирования.
O. S. Pivko, A. M. Galimov
Angular dependence and averaging over full solid angle of upset cross section in modern COTS memory circuits The paper highlights angular dependence of the upset cross section in modern commercial memory circuits designed in the planar CMOS and FinFET technologies.
Angular dependence and averaging over full solid angle of upset cross section in modern COTS memory circuits The paper highlights angular dependence of the upset cross section in modern commercial memory circuits designed in the planar CMOS and FinFET technologies.
О. С. Пивко, А. М. Галимов
Угловая зависимость и усреднение по полному телесному углу сечения сбоев современных коммерческих ИМС памяти DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.346.349
В работе проведено исследование угловой зависимости сечения сбоев для современных коммерческих микросхем памяти, выполненных в базисе планарной КМОП- и FinFET-технологии.
Угловая зависимость и усреднение по полному телесному углу сечения сбоев современных коммерческих ИМС памяти DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.346.349
В работе проведено исследование угловой зависимости сечения сбоев для современных коммерческих микросхем памяти, выполненных в базисе планарной КМОП- и FinFET-технологии.
R. S. Aristov, A. A. Gladkikh, V. N. Davydov, M. O. Komakhin
Developing software Kopycat platform for emulation of complex computing systems The paper considers the development of the “Kopycat” program emulation software and gives general information about the emulator. In addition, a comparison of the developed software with existing analogues has been presented as well as advantages and disadvantages of this software solution in comparison with analogues.
Developing software Kopycat platform for emulation of complex computing systems The paper considers the development of the “Kopycat” program emulation software and gives general information about the emulator. In addition, a comparison of the developed software with existing analogues has been presented as well as advantages and disadvantages of this software solution in comparison with analogues.
Р. С. Аристов, А. А. Гладких, В. Н. Давыдов, М. О. Комахин
Разработка программной платформы Kopycat эмуляции сложных вычислительных систем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.350.352
Рассмотрена разработка программного обеспечения Kopycat, позволяющего проводить эмуляцию различных сложных систем. Приведены общие сведения по разработанному эмулятору. Кроме этого, показано сравнение разработанного программного обеспечения с существующими в настоящее время аналогами. Представлены преимущества и недостатки данного программного решения по сравнению с аналогами.
Разработка программной платформы Kopycat эмуляции сложных вычислительных систем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.350.352
Рассмотрена разработка программного обеспечения Kopycat, позволяющего проводить эмуляцию различных сложных систем. Приведены общие сведения по разработанному эмулятору. Кроме этого, показано сравнение разработанного программного обеспечения с существующими в настоящее время аналогами. Представлены преимущества и недостатки данного программного решения по сравнению с аналогами.
В. Н. Давыдов, М. О. Комахин, Ю. С. Михайлов
Достижения компании ООО «ИНФОРИОН» в области разработки и проектирования электроники и микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.353.354
Достижения компании ООО «ИНФОРИОН» в области разработки и проектирования электроники и микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.353.354
I. N. Bychkov, S. G. Lomako
Developing technology for packing VLSI This article highlights CAD for joint design of the body and VLSI chip and subsequent application in the process of assembling microchips. The developed technology of creating matrix enclosures for VLSI with a large number of outputs provides for the placement and planning of the outputs of the microcircuit chips, as well as the internal connections of the housing. The basis of the developed technology is the creation of a design automation system, which covers all the main stages of designing integrated circuit packages. The developed technology includes: formalizing the parameters of the used technological processes for manufacturing VLSI crystals, housing elements, as well as assembling chips, topological design of VLSI input / output elements, selecting the necessary matrix housing, as well as creating the optimal switching board of the housing and issuing the necessary design documentation for production.
Developing technology for packing VLSI This article highlights CAD for joint design of the body and VLSI chip and subsequent application in the process of assembling microchips. The developed technology of creating matrix enclosures for VLSI with a large number of outputs provides for the placement and planning of the outputs of the microcircuit chips, as well as the internal connections of the housing. The basis of the developed technology is the creation of a design automation system, which covers all the main stages of designing integrated circuit packages. The developed technology includes: formalizing the parameters of the used technological processes for manufacturing VLSI crystals, housing elements, as well as assembling chips, topological design of VLSI input / output elements, selecting the necessary matrix housing, as well as creating the optimal switching board of the housing and issuing the necessary design documentation for production.
И. Н. Бычков, С. Г. Ломако
САПР проектирования коммутационных плат корпусов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.355.360
В данной статье предлагается на рассмотрение САПР для совместного проектирования корпуса и кристалла СБИС и последующим применением при технологических процессах сборки микросхем. Разработанная технология создания матричных корпусов для СБИС с большим количеством выводов обеспечивает размещение и планирование выводов кристаллов микросхем, а также внутренних соединений корпуса. Основой разработанной технологии является создание системы автоматизации проектирования, которая охватывает все основные этапы проектирования корпусов интегральных схем. Разработанная технология включает: формализацию параметров используемых технологических процессов изготовления кристаллов СБИС, элементов корпуса, а также сборки микросхем, топологическое проектирование элементов ввода/вывода СБИС, подбор необходимого матричного корпуса, в том числе оптимальной коммутационной платы корпуса и выдачу необходимой конструкторской документации на производство.
САПР проектирования коммутационных плат корпусов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.355.360
В данной статье предлагается на рассмотрение САПР для совместного проектирования корпуса и кристалла СБИС и последующим применением при технологических процессах сборки микросхем. Разработанная технология создания матричных корпусов для СБИС с большим количеством выводов обеспечивает размещение и планирование выводов кристаллов микросхем, а также внутренних соединений корпуса. Основой разработанной технологии является создание системы автоматизации проектирования, которая охватывает все основные этапы проектирования корпусов интегральных схем. Разработанная технология включает: формализацию параметров используемых технологических процессов изготовления кристаллов СБИС, элементов корпуса, а также сборки микросхем, топологическое проектирование элементов ввода/вывода СБИС, подбор необходимого матричного корпуса, в том числе оптимальной коммутационной платы корпуса и выдачу необходимой конструкторской документации на производство.
A. V. Prikota, V. V. Bubnov
Modern Technologies in Electronic Circuit Simulation Released in SimOne Circuit Simulator The paper cpnsiders the problems of large electronic circuits simulation. Methods of accelerating the simulation process by using the decomposition approach to solving systems of linear algebraic equations with using technologies of parallel computing have been proposed.
Modern Technologies in Electronic Circuit Simulation Released in SimOne Circuit Simulator The paper cpnsiders the problems of large electronic circuits simulation. Methods of accelerating the simulation process by using the decomposition approach to solving systems of linear algebraic equations with using technologies of parallel computing have been proposed.
А. В. Прикота, В. В. Бубнов
Современные технологии моделирования электронных схем в системе схемотехнического моделирования SimOne DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.361.367
Рассмотрены проблемы моделирования современных электронных схем большой размерности. Предложен метод ускорения процесса моделирования за счет использования декомпозиционного подхода к решению систем линейных алгебраических уравнений и использования технологий параллельных вычислений.
Современные технологии моделирования электронных схем в системе схемотехнического моделирования SimOne DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.361.367
Рассмотрены проблемы моделирования современных электронных схем большой размерности. Предложен метод ускорения процесса моделирования за счет использования декомпозиционного подхода к решению систем линейных алгебраических уравнений и использования технологий параллельных вычислений.
K. A. Medvedev, A. V. Kuzovkov, V. V. Ivanov
Algorithm and methodology for increasing the OPC-recipe effi ciency The paper describes the OPC-recipe calibration algorithm based on the differential evolution method. A technique for improving the quality of the recipe using the proposed algorithm has been developed and an experimental study has been carried out to evaluate its effectiveness.
Algorithm and methodology for increasing the OPC-recipe effi ciency The paper describes the OPC-recipe calibration algorithm based on the differential evolution method. A technique for improving the quality of the recipe using the proposed algorithm has been developed and an experimental study has been carried out to evaluate its effectiveness.
К. А. Медведев, А. В. Кузовков, В. В. Иванов
Алгоритм и методика повышения эффективности OPC-рецепта DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.368.372
В работе рассматривается алгоритм калибровки параметров OPC-рецепта, основанный на методе дифференциальной эволюции. Разработана методика повышения качества рецепта с применением предложенного алгоритма и проведено экспериментальное исследование для оценки его эффективности.
Алгоритм и методика повышения эффективности OPC-рецепта DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.368.372
В работе рассматривается алгоритм калибровки параметров OPC-рецепта, основанный на методе дифференциальной эволюции. Разработана методика повышения качества рецепта с применением предложенного алгоритма и проведено экспериментальное исследование для оценки его эффективности.
V. I. Karagusov
Determining the optimal warm-up power of SC-cut direct heating piezoelement The paper presents the calculations results of optimal warm-up power of SC-cut quartz crystal piezoelement with direct heating for reducing warm-up time of precision quartz crystal oscillators. The results have been achieved by calculating piezoelement thermal processes dynamics in warm-up mode on space thermal model.
Determining the optimal warm-up power of SC-cut direct heating piezoelement The paper presents the calculations results of optimal warm-up power of SC-cut quartz crystal piezoelement with direct heating for reducing warm-up time of precision quartz crystal oscillators. The results have been achieved by calculating piezoelement thermal processes dynamics in warm-up mode on space thermal model.
В. И. Карагусов
Определение оптимальной мощности разогрева кварцевого пьезоэлемента ТД-среза DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.373.381
Представлены результаты расчетов оптимальной мощности разогрева кварцевого пьезоэлемента ТД-среза с прямым термостатированием для уменьшения времени установления частоты прецизионного термостатированного кварцевого генератора путем расчета динамики теплового поля пьезоэлемента в режиме разогрева на основе пространственной численно-аналитической модели.
Определение оптимальной мощности разогрева кварцевого пьезоэлемента ТД-среза DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.373.381
Представлены результаты расчетов оптимальной мощности разогрева кварцевого пьезоэлемента ТД-среза с прямым термостатированием для уменьшения времени установления частоты прецизионного термостатированного кварцевого генератора путем расчета динамики теплового поля пьезоэлемента в режиме разогрева на основе пространственной численно-аналитической модели.
A. V. Andrianov
Practical ways of optimizing regression testing of “system-on-chip” projects The article describes a set of practical ways to reduce time costs when developing and debugging test scenarios of “system-on-chip” VLSI, as well as when optimizing regression testing. The article covers issues of picking optimal hardware for the task, fine-tuning operating system, designing the testbench and using select features from Cadence Xcellium software package.
Practical ways of optimizing regression testing of “system-on-chip” projects The article describes a set of practical ways to reduce time costs when developing and debugging test scenarios of “system-on-chip” VLSI, as well as when optimizing regression testing. The article covers issues of picking optimal hardware for the task, fine-tuning operating system, designing the testbench and using select features from Cadence Xcellium software package.
А. В. Андрианов
Практические способы оптимизации процесса регрессионного тестирования СБИС «СнК» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.382.386
В статье рассмотрен ряд практических способов сокращения временных затрат при разработке и отладке программных тестов СБИС «СнК», а также при последующем регрессионном тестировании. Рассматриваются вопросы оптимального выбора аппаратного обеспечения, тонкой настройки операционной системы, особенности верификационного окружения и средства пакета ПО Cadence XCELLIUM.
Практические способы оптимизации процесса регрессионного тестирования СБИС «СнК» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.382.386
В статье рассмотрен ряд практических способов сокращения временных затрат при разработке и отладке программных тестов СБИС «СнК», а также при последующем регрессионном тестировании. Рассматриваются вопросы оптимального выбора аппаратного обеспечения, тонкой настройки операционной системы, особенности верификационного окружения и средства пакета ПО Cadence XCELLIUM.
J. Kirshman
Understanding and Correctly Predicting Critical Metrics for Wireless RF Links Three cases demonstrate how system design software NI AWR Visual System Simulator overcomes the limitations of traditional spreadsheet analysis. The paper describes the advantages of using VSS to determine system specifications due to its powerful simulation capabilities and greater insight into the design.
Understanding and Correctly Predicting Critical Metrics for Wireless RF Links Three cases demonstrate how system design software NI AWR Visual System Simulator overcomes the limitations of traditional spreadsheet analysis. The paper describes the advantages of using VSS to determine system specifications due to its powerful simulation capabilities and greater insight into the design.
Д. Киршман
Моделирование ключевых элементов беспроводных систем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.387.390
На ряде примеров показано, что с помощью специализированного программного обеспечения NI AWR Visual System Simulator можно преодолеть функциональную ограниченность расчетных таблиц при проектировании беспроводных систем. Продемонстрированы преимущества симулятора VSS, обеспечивающего значительно более точный и учитывающий множество различных факторов анализ трактов.
Моделирование ключевых элементов беспроводных систем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.387.390
На ряде примеров показано, что с помощью специализированного программного обеспечения NI AWR Visual System Simulator можно преодолеть функциональную ограниченность расчетных таблиц при проектировании беспроводных систем. Продемонстрированы преимущества симулятора VSS, обеспечивающего значительно более точный и учитывающий множество различных факторов анализ трактов.
A. M. Galimov, E. S. Shalashova, I. A. Fateev, A. V. Alexandrov
Exploring the susceptibility to dice fl ip-fl op upsets in CREME-MC The dosimetric approach to cross section and error rate calculation of the DICE flip-flop is considered. The approach is based on the simultaneous deposited charge calculation in the sensitive volumes of the flip-flop by means of the CRÈME-MC Monte Carlo simulation tool.
Exploring the susceptibility to dice fl ip-fl op upsets in CREME-MC The dosimetric approach to cross section and error rate calculation of the DICE flip-flop is considered. The approach is based on the simultaneous deposited charge calculation in the sensitive volumes of the flip-flop by means of the CRÈME-MC Monte Carlo simulation tool.
А. М. Галимов, Е. С. Шалашова, И. А. Фатеев, А. В. Александров
Исследование чувствительности к сбоям dice-триггера в инструменте CREME-MC DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.391.392
В докладе рассмотрен дозиметрический подход к расчету сечения и частоты сбоев DICE-триггера от частиц космоса на этапе проектирования. Подход основан на подсчете единовременно выделенного заряда в чувствительных областях триггера с помощью моделирования Монте-Карло в инструменте CRÈME-MC.
Исследование чувствительности к сбоям dice-триггера в инструменте CREME-MC DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.391.392
В докладе рассмотрен дозиметрический подход к расчету сечения и частоты сбоев DICE-триггера от частиц космоса на этапе проектирования. Подход основан на подсчете единовременно выделенного заряда в чувствительных областях триггера с помощью моделирования Монте-Карло в инструменте CRÈME-MC.
S. I. Bokov, V. V. Alekseev, A. A. Chuprinov, A. A. Kolyadin
Issues of managing state target programs aimed at creating radio-electronic and information technologies A brief analysis and assessment of the available reserves to increase the efficiency of R & d on radio-electronic and information technologies is presented.
Issues of managing state target programs aimed at creating radio-electronic and information technologies A brief analysis and assessment of the available reserves to increase the efficiency of R & d on radio-electronic and information technologies is presented.
С. И. Боков, В. В. Алексеев, А. А. Чупринов, А. А. Колядин
Вопросы управления государственными целевыми программами, направленными на создание радиоэлектронных и информационных технологий DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.393.398
Представлен краткий анализ и оценка имеющихся резервов увеличения эффективности проводимых НИОКР по радиоэлектронным и информационным технологиям.
Вопросы управления государственными целевыми программами, направленными на создание радиоэлектронных и информационных технологий DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.393.398
Представлен краткий анализ и оценка имеющихся резервов увеличения эффективности проводимых НИОКР по радиоэлектронным и информационным технологиям.
S. I. Bokov, V. V. Alekseev, A. A. Chuprinov, A. A. Kolyadin
Using knowledge bases in computer-aided design systems The paper presents a brief analysis and evaluation of the available reserves for increasing efficiency and product design using knowledge bases of electronic and information technologies.
Using knowledge bases in computer-aided design systems The paper presents a brief analysis and evaluation of the available reserves for increasing efficiency and product design using knowledge bases of electronic and information technologies.
С. И. Боков, В. В. Алексеев, А. А. Чупринов, А. А. Колядин
Использование баз знаний в системах автоматизированного проектирования DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.399.403
Представлен краткий анализ и оценка имеющихся резервов увеличения эффективности проектирования изделий с использованием баз знаний радиоэлектронных и информационных технологий.
Использование баз знаний в системах автоматизированного проектирования DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.399.403
Представлен краткий анализ и оценка имеющихся резервов увеличения эффективности проектирования изделий с использованием баз знаний радиоэлектронных и информационных технологий.
Plenary reports
Пленарные доклады
В. В. Шпак
Микроэлектроника — локомотив опережающего развития российской промышленности DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.17.18
Микроэлектроника — локомотив опережающего развития российской промышленности DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.17.18
А. И. Белоус, В. А. Солодуха
Современные технологии контроля безопасности в микроэлектронике DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.19.26
Современные технологии контроля безопасности в микроэлектронике DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.19.26
Navigationally connected VLSIs and modules
Навигационно-связные СБИС и модули
А. А. Алимов
Разработка навигационного модуля на отечественной радиационно-стойкой элементной базе DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.27.28
Разработка навигационного модуля на отечественной радиационно-стойкой элементной базе DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.27.28
M. Ю. Клименко
Встраиваемый модуль высокоточного спутникового трехчастотного навигационного приемника МС149.01 DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.29.31
Встраиваемый модуль высокоточного спутникового трехчастотного навигационного приемника МС149.01 DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.29.31
Т. Ю. Дубинко
Технология высокоточной навигации по сигналам ГНСС на основе коррекции эфемеридно-временной информации (технология РРР). Опыт создания, результаты испытаний и перспективы внедрения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.32
Технология высокоточной навигации по сигналам ГНСС на основе коррекции эфемеридно-временной информации (технология РРР). Опыт создания, результаты испытаний и перспективы внедрения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.32
И. Л. Корнеев, М. С. Кулаков, И. Д. Григорьев, И. А. Татарчук
Разработка отечественной ЭКБ для реализации технологий АЗН-В и АИС в РФ DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.33.36
Разработка отечественной ЭКБ для реализации технологий АЗН-В и АИС в РФ DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.33.36
И. Л. Корнеев, В. В. Егоров
Вопросы построения локальных систем навигации. Перспективы применения и потенциальные возможности проектируемых технических модулей DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.37.41
Вопросы построения локальных систем навигации. Перспективы применения и потенциальные возможности проектируемых технических модулей DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.37.41
И. Б. Чикваркин, Т. Ю. Дубинко, А. И. Левченко, В. И. Зеленский, В. О. Скворцов
Разработка высокоточной навигационной аппаратуры для с/х техники, морского и речного транспорта на отечественной ЭКБ DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.42.43
Разработка высокоточной навигационной аппаратуры для с/х техники, морского и речного транспорта на отечественной ЭКБ DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.42.43
А. Р. Попов
Методология построения мобильных многоадресных асинхронных систем связи и управления с шумоподобными сигналами DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.44.46
Методология построения мобильных многоадресных асинхронных систем связи и управления с шумоподобными сигналами DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.44.46
А. В. Александров, В. В. Ерохин
Специализированный связной вычислитель ССВ-64 для доверенной отечественной телекоммуникационной аппаратуры DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.47.48
Специализированный связной вычислитель ССВ-64 для доверенной отечественной телекоммуникационной аппаратуры DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.47.48
Д. Е. Чикрин, П. А. Савинков, П. А. Кокунин, Р. И. Шагиев
Интегрированные системы высокоточной спутниково-локально-инерциальной навигации в задачах беспилотного управления транспортными средствами DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.49.56
Интегрированные системы высокоточной спутниково-локально-инерциальной навигации в задачах беспилотного управления транспортными средствами DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.49.56
High-performance computation systems
Высокопроизводительные вычислительные системы
И. Н. Бычков, П. А. Чучко
Решения для средств вычислительной техники на основе процессора «Эльбрус-8СВ» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.57.59
Решения для средств вычислительной техники на основе процессора «Эльбрус-8СВ» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.57.59
А. С. Воробьев
Разработка корпуса многоядерного процессора на основе полимерной коммутационной платы DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.60.64
Разработка корпуса многоядерного процессора на основе полимерной коммутационной платы DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.60.64
И. Е. Билялетдинов, А. Е. Ометов, Л. С. Тимин, А. А. Виноградов
Средство удаленной отладки процессоров «Эльбрус» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.65.69
Средство удаленной отладки процессоров «Эльбрус» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.65.69
А. В. Колотов
Особенности внесения изменений при перепроизводстве ИС в технологических процессах с нормами 28 и 16 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.70.72
Особенности внесения изменений при перепроизводстве ИС в технологических процессах с нормами 28 и 16 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.70.72
С. В. Мушкаев, И. В. Жиленков
Архитектура NeuroMatrix в трехмерной графике: возможности и перспективы DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.73.77
Архитектура NeuroMatrix в трехмерной графике: возможности и перспективы DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.73.77
С. И. Аряшев, П. С. Зубковский
64-разрядные системы на кристалле с архитектурой «КОМДИВ» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.78.79
64-разрядные системы на кристалле с архитектурой «КОМДИВ» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.78.79
С. Г. Елизаров, Г. А. Лукьянченко, Д. С. Марков, А. М. Монахов, В. А. Роганов
Тестирование многоядерных вычислительных систем на основе идей алгоритма RSA DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.80.81
Тестирование многоядерных вычислительных систем на основе идей алгоритма RSA DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.80.81
С. В. Юрлин, А. С. Воробьев
Масштабируемая система эмуляции сложных вычислительных систем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.82.88
Масштабируемая система эмуляции сложных вычислительных систем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.82.88
Б. Ю. Рогаткин, Ю. Б. Рогаткин
Блок мониторинга СБИС микропроцессора для технологии 28 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.89.92
Блок мониторинга СБИС микропроцессора для технологии 28 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.89.92
П. С. Зубковский
Методика создания моделей арифметических сопроцессоров DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.93.98
Методика создания моделей арифметических сопроцессоров DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.93.98
С. И. Аряшев, А. В. Корниленко, П. С. Зубковский, О. И. Эсула
Проектирование подсистемы памяти для обеспечения быстродействия при решении задач трехмерной графики DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.99.101
Проектирование подсистемы памяти для обеспечения быстродействия при решении задач трехмерной графики DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.99.101
М. С. Ладнушкин, С. И. Аряшев
Особенности проектирования систем скан-тестирования с компрессией DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.102.106
Особенности проектирования систем скан-тестирования с компрессией DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.102.106
Н. А. Бочаров, Р. В. Елисеев, Н. Б. Парамонов, Д. В. Янко
Катастрофоустойчивость бортовых вычислительных систем на базе микропроцессоров «Эльбрус» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.107.112
Катастрофоустойчивость бортовых вычислительных систем на базе микропроцессоров «Эльбрус» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.107.112
Я. Н. Мороз
Физическое проектирование видеокодеков для микропроцессоров семейства «Эльбрус» на технологии 16 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.113.119
Физическое проектирование видеокодеков для микропроцессоров семейства «Эльбрус» на технологии 16 нм DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.113.119
А. В. Бумагин, А. В. Гондарь, С. А. Савельев
Разработка сложно-функционального блока приемопередатчика интерфейса Serial RapidIO 2,5 Гбит/с на основе отечественного технологического процесса для применения в составе радиационно-стойких интегральных микросхем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.120.125
Разработка сложно-функционального блока приемопередатчика интерфейса Serial RapidIO 2,5 Гбит/с на основе отечественного технологического процесса для применения в составе радиационно-стойких интегральных микросхем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.120.125
Information-management systems
Информационно-управляющие системы
С. Ф. Горбунов, В. Ю. Гришин, П. М. Еремеев
Сетевые интерфейсы космических аппаратов: перспективы развития и проблемы внедрения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.128.130
Сетевые интерфейсы космических аппаратов: перспективы развития и проблемы внедрения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.128.130
Е. А. Новожилов, Ю. Б. Рогаткин, А. В. Ларионов, С. О. Задябин
Реализация высокоскоростных интерфейсов в процессорах ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН для космических DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.126.127
Реализация высокоскоростных интерфейсов в процессорах ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН для космических DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.126.127
А. Л. Переверзев, А. А. Бирюк, В. И. Орешкин, И. А. Кузьмин, К. С. Лялин, Т. А. Довгаль
Стенд имитационного моделирования радара с синтезированной апертурой DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.131.134
Стенд имитационного моделирования радара с синтезированной апертурой DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.131.134
С. И. Боков, А. А. Чупринов
О роли обеспечения системы управления цифровой экономикой России на основе организации единого информационного пространства DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.135.139
О роли обеспечения системы управления цифровой экономикой России на основе организации единого информационного пространства DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.135.139
А. В. Зуйков, А. А. Воробьев, С. Е. Серяков
Обеспечение теплоотвода модулей 6U в магистрально-модульных системах на базе высокоскоростных DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.140.146
Обеспечение теплоотвода модулей 6U в магистрально-модульных системах на базе высокоскоростных DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.140.146
Е. В. Гусев, С. Н. Тихонов
Организация программного обеспечения бортовых вычислительных машин космических аппаратов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.147.148
Организация программного обеспечения бортовых вычислительных машин космических аппаратов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.147.148
А. Л. Переверзев, А. А. Бирюк, В. И. Орешкин, К. С. Лялин, Ю. М. Мелёшин
Аппаратные и алгоритмические решения при проектировании РСА DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.149.155
Аппаратные и алгоритмические решения при проектировании РСА DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.149.155
Н. В. Костулин, Е. С. Янакова
Быстрый алгоритм обнаружения и распознавания лиц для семантического анализа изображений на DSP-ядрах ELcore DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.156.158
Быстрый алгоритм обнаружения и распознавания лиц для семантического анализа изображений на DSP-ядрах ELcore DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.156.158
А. Д. Листопадов
Нагрузочное тестирование в маршруте разработки СБИС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.159.161
Нагрузочное тестирование в маршруте разработки СБИС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.159.161
П. А. Тарабаров, П. М. Еремеев, В. Ю. Гришин
Отказоустойчивая управляющая вычислительная система с аппаратной поддержкой взаимного информационного согласования и автоматической реконфигурацией DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.162.163
Отказоустойчивая управляющая вычислительная система с аппаратной поддержкой взаимного информационного согласования и автоматической реконфигурацией DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.162.163
Т. А. Мадумаров, А. В. Стефанцов
Система автоматизации испытаний бортового СВЧ-оборудования DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.164.165
Система автоматизации испытаний бортового СВЧ-оборудования DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.164.165
Т. Робинсон, Р. Рджиба, А. Котюр, Ф. Нюн, Д. Керр-Манслоу, С. Казаченко
Приемопередатчик с низким энергопотреблением Cortus CIoT25 для приложений Интернета вещей DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.166.171
Приемопередатчик с низким энергопотреблением Cortus CIoT25 для приложений Интернета вещей DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.166.171
В. А. Баскин, И. А. Соколов, Ю. К. Калинников
Разработка радиочастотных модулей для бортовых акустооптических приборов космического назначения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.172.174
Разработка радиочастотных модулей для бортовых акустооптических приборов космического назначения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.172.174
Techologies and micro- and nanoelectronics components
Технологии и компоненты микро- и наноэлектроники
V. P. Bokarev, G. Ya. Krasnikov, E. S. Gornev
Anisotropy of Crystals Surface Properties and its Role in Microelectronic Technology Anisotropy of the surface energy of crystal materials used in the silicon technology has been calculated with a model of coordination melting. Based on these calculations and some experimental data, anisotropies of electron work function on different faces of Al, Cu, Au, Ni, Ta, Cr, W crystals and their surface melting temperature have been evaluated. The paper highlights the relation between physical-chemical properties of crystallographicaly different metals surfaces of the cubic crystal system and the surface arrangement of atoms in the first coordination spheres.
Anisotropy of Crystals Surface Properties and its Role in Microelectronic Technology Anisotropy of the surface energy of crystal materials used in the silicon technology has been calculated with a model of coordination melting. Based on these calculations and some experimental data, anisotropies of electron work function on different faces of Al, Cu, Au, Ni, Ta, Cr, W crystals and their surface melting temperature have been evaluated. The paper highlights the relation between physical-chemical properties of crystallographicaly different metals surfaces of the cubic crystal system and the surface arrangement of atoms in the first coordination spheres.
В. П. Бокарев, Г. Я. Красников, Е. С. Горнев
Анизотропия поверхностных свойств кристаллов и ее роль в технологии микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.175.179
С использованием модели координационного плавления кристаллов проведены расчеты анизотропии поверхностной энергии кристаллических материалов, используемых в кремниевой технологии. На основе проведенных расчетов и экспериментальных данных рассчитана анизотропия работы выхода электрона из разных граней кристаллов Al, Cu, Au, Ni, Ta, Cr, W и температура их поверхностного плавления. Показана связь между физико-химическими свойствами кристаллографически разных поверхностей металлов кубической сингонии с поверхностным расположением атомов, входящих в первые координационные сферы.
Анизотропия поверхностных свойств кристаллов и ее роль в технологии микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.175.179
С использованием модели координационного плавления кристаллов проведены расчеты анизотропии поверхностной энергии кристаллических материалов, используемых в кремниевой технологии. На основе проведенных расчетов и экспериментальных данных рассчитана анизотропия работы выхода электрона из разных граней кристаллов Al, Cu, Au, Ni, Ta, Cr, W и температура их поверхностного плавления. Показана связь между физико-химическими свойствами кристаллографически разных поверхностей металлов кубической сингонии с поверхностным расположением атомов, входящих в первые координационные сферы.
P. I. Kozlov, N. A. Nagaev
Trends in the development of metal-ceramic packages: import substitution, tooling, components The paper considers tendencies of microelectronics development and formulates requirements to modern metal-ceramic packages. Besides, it presents the experience of the domestic factory in creating modern metal-ceramic packages.
Trends in the development of metal-ceramic packages: import substitution, tooling, components The paper considers tendencies of microelectronics development and formulates requirements to modern metal-ceramic packages. Besides, it presents the experience of the domestic factory in creating modern metal-ceramic packages.
П. И. Козлов, Н. А. Нагаев
Тенденции развития металлокерамических корпусов: импортозамещение, оснастка, комплектующие DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.180.185
Рассмотрены тенденции развития микроэлектроники. Сформулированы требования к современным металлокерамическим корпусам. Определен опыт отечественного предприятия по созданию современных металлокерамических корпусов.
Тенденции развития металлокерамических корпусов: импортозамещение, оснастка, комплектующие DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.180.185
Рассмотрены тенденции развития микроэлектроники. Сформулированы требования к современным металлокерамическим корпусам. Определен опыт отечественного предприятия по созданию современных металлокерамических корпусов.
D. A. Sukhanov
Modernizing thin-fi lm HIC production The paper analyses the problems encountered in the production of thin-film hybrid integrated circuits (TF HIC) and compares production technologies, using the contact photolithography method and laser exposure, as well as different ways of forming thin films. A comprehensive solution for modernizing TF HIC production has been found.
Modernizing thin-fi lm HIC production The paper analyses the problems encountered in the production of thin-film hybrid integrated circuits (TF HIC) and compares production technologies, using the contact photolithography method and laser exposure, as well as different ways of forming thin films. A comprehensive solution for modernizing TF HIC production has been found.
Д. А. Суханов
Модернизация производства тонкопленочных ГИС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.186.188
Проведен анализ проблем, возникающих при производстве тонкопленочных гибридных интегральных схем (ТП ГИС). Проведено сравнение технологий производства, использующих метод контактной фотолитографии и метод прямого лазерного экспонирования, а также различных способов формирования тонких пленок. Подготовлено комплексное решение для модернизации производства ТП ГИС.
Модернизация производства тонкопленочных ГИС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.186.188
Проведен анализ проблем, возникающих при производстве тонкопленочных гибридных интегральных схем (ТП ГИС). Проведено сравнение технологий производства, использующих метод контактной фотолитографии и метод прямого лазерного экспонирования, а также различных способов формирования тонких пленок. Подготовлено комплексное решение для модернизации производства ТП ГИС.
A. V. Kuzovkov, V. V. Ivanov
MPW reticle floorplanning method for low-volume production The paper describes reticle floorplanning method for MPW projects. The method allows minimizing dicing conflicts count between dies and thus minimizes wafer consumption for production.
MPW reticle floorplanning method for low-volume production The paper describes reticle floorplanning method for MPW projects. The method allows minimizing dicing conflicts count between dies and thus minimizes wafer consumption for production.
А. В. Кузовков, В. В. Иванов
Метод расстановки кристаллов в MPW в условиях мелкосерийного производства DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.189.191
В работе рассматривается метод расстановки кристаллов в MPW-проектах, позволяющий минимизировать число конфликтов при резке пластин и, таким образом, снижающий число пластин, используемых для выпуска заданного объема микросхем.
Метод расстановки кристаллов в MPW в условиях мелкосерийного производства DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.189.191
В работе рассматривается метод расстановки кристаллов в MPW-проектах, позволяющий минимизировать число конфликтов при резке пластин и, таким образом, снижающий число пластин, используемых для выпуска заданного объема микросхем.
N. A. Kuznetsova
Application of new FN-16U photoresist to create semiconductor devices Photoresist FN-16U is a new material for the creation of metal contacts and conductive paths in semiconductor devices by “lift-off” photolithography.
Application of new FN-16U photoresist to create semiconductor devices Photoresist FN-16U is a new material for the creation of metal contacts and conductive paths in semiconductor devices by “lift-off” photolithography.
Н. А. Кузнецова
Применение нового фоторезиста ФН-16У для создания полупроводниковых приборов и устройств DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.192.193
Фоторезист ФН-16У — новый материал для создания металлических контактов и токопроводящих дорожек в полупроводниковых приборах и устройствах методом «взрывной» фотолитографии.
Применение нового фоторезиста ФН-16У для создания полупроводниковых приборов и устройств DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.192.193
Фоторезист ФН-16У — новый материал для создания металлических контактов и токопроводящих дорожек в полупроводниковых приборах и устройствах методом «взрывной» фотолитографии.
A. L. Potapov, I. B. Yashanin
Optimization and prospects of introducing the process of radiation rejection of microcircuits To ensure the resistance microcircuits to special factors, radiation rejection (RR) is used. An analysis of changes in the criteria parameters in the RR process has shown a possibility of optimizing the RR process. The possibility and expediency of expanding the number of parameters measured at RR have been shown.
Optimization and prospects of introducing the process of radiation rejection of microcircuits To ensure the resistance microcircuits to special factors, radiation rejection (RR) is used. An analysis of changes in the criteria parameters in the RR process has shown a possibility of optimizing the RR process. The possibility and expediency of expanding the number of parameters measured at RR have been shown.
А. Л. Потапов, И. Б. Яшанин
Оптимизация и перспективы внедрения процесса радиационной отбраковки микросхем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.194.196
Для обеспечения стойкости микросхем к воздействию специальных факторов используется радиационная отбраковка (РО). Анализ изменения критериальных параметров в процессе РО показал возможность оптимизации процесса РО. Показаны возможность и целесообразность расширения количества измеряемых при РО параметров.
Оптимизация и перспективы внедрения процесса радиационной отбраковки микросхем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.194.196
Для обеспечения стойкости микросхем к воздействию специальных факторов используется радиационная отбраковка (РО). Анализ изменения критериальных параметров в процессе РО показал возможность оптимизации процесса РО. Показаны возможность и целесообразность расширения количества измеряемых при РО параметров.
Yu. M. Moskovskaya
Microelectronic parts’ radiation hardness assurance within fabrication process: guidelines to rational methodical approach selection criteria The approach has been developed for choosing a rational test volume and method to confirm the correspondence of a microelectronic part to the technical requirements, depending on particular radiation hardness category and based on a statistical analysis of radiation-sensitive parameters reserve and range values as well as of technological processes used.
Microelectronic parts’ radiation hardness assurance within fabrication process: guidelines to rational methodical approach selection criteria The approach has been developed for choosing a rational test volume and method to confirm the correspondence of a microelectronic part to the technical requirements, depending on particular radiation hardness category and based on a statistical analysis of radiation-sensitive parameters reserve and range values as well as of technological processes used.
Ю. М. Московская
Контроль радиационной стойкости изделий микроэлектроники в процессе серийного производства: DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.197.201
Обоснованы критерии выбора рационального объема и методического подхода к контролю соответствия изделий микроэлектроники требованиям в зависимости от категории радиационной стойкости (РС) на основе статистического анализа запасов и разбросов радиационно-чувствительных параметров изделий и реализующих технологических процессов для каждой категории.
Контроль радиационной стойкости изделий микроэлектроники в процессе серийного производства: DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.197.201
Обоснованы критерии выбора рационального объема и методического подхода к контролю соответствия изделий микроэлектроники требованиям в зависимости от категории радиационной стойкости (РС) на основе статистического анализа запасов и разбросов радиационно-чувствительных параметров изделий и реализующих технологических процессов для каждой категории.
Yu. M. Gerasimov, N. G. Grigoryev, A. V. Kobylyatskiy, Ya. Ya. Petrichkovich
Test chips for experiment-based radiation hardness calculation of nanometer systems-on-chip The paper highlights a concept of the test chip (TC) design as well as basic requirements for structures and blocks on the TC. The typical TC composition has been proposed for studying the technology capabilities in terms of radiation hardness and characterization thereof. It has been shown that the results of TC examination make it possible to predict the radiation hardness of systems-on-chip or SRAM chips by calculation and experimental methods.
Test chips for experiment-based radiation hardness calculation of nanometer systems-on-chip The paper highlights a concept of the test chip (TC) design as well as basic requirements for structures and blocks on the TC. The typical TC composition has been proposed for studying the technology capabilities in terms of radiation hardness and characterization thereof. It has been shown that the results of TC examination make it possible to predict the radiation hardness of systems-on-chip or SRAM chips by calculation and experimental methods.
Ю. М. Герасимов, Н. Г. Григорьев, А. В. Кобыляцкий, Я. Я. Петричкович
Тестовые кристаллы для расчетно-экспериментальной оценки радиационной стойкости нанометровых КМОП СБИС СнК DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.202.210
Предложена концепция создания тестовых кристаллов (ТК), сформулированы основные требования к структурам и блокам на ТК. Предложен типовой состав ТК для исследования возможностей и характеризации технологии по радиационной стойкости. Показано, что результаты исследований ТК позволяют прогнозировать радиационную стойкость СБИС расчетно-экспериментальными методами.
Тестовые кристаллы для расчетно-экспериментальной оценки радиационной стойкости нанометровых КМОП СБИС СнК DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.202.210
Предложена концепция создания тестовых кристаллов (ТК), сформулированы основные требования к структурам и блокам на ТК. Предложен типовой состав ТК для исследования возможностей и характеризации технологии по радиационной стойкости. Показано, что результаты исследований ТК позволяют прогнозировать радиационную стойкость СБИС расчетно-экспериментальными методами.
И. В. Кулинич, В. А. Кагадей, Р. Н. Мухтеев
A method of packaging RF MEMs switch on GaAs wafer using a frame system The paper studies several methods of packaging the microwave MEMS-switch on a GaAs wafer. The method with a framework system has been chosen. With the help of mathematical modeling, the optimal geometry of the cell of the framework system has been determined, which corresponds to mechanical and hydrodynamic requirements. The technology of packaging has been developed.
A method of packaging RF MEMs switch on GaAs wafer using a frame system The paper studies several methods of packaging the microwave MEMS-switch on a GaAs wafer. The method with a framework system has been chosen. With the help of mathematical modeling, the optimal geometry of the cell of the framework system has been determined, which corresponds to mechanical and hydrodynamic requirements. The technology of packaging has been developed.
И. В. Кулинич, В. А. Кагадей, Р. Н. Мухтеев
Метод корпусирования СВЧ МЭМ-ключа на пластине GaAs с использованием каркасной системы DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.211.215
Проведено исследование нескольких методов корпусирования СВЧ МЭМ-ключа на пластине GaAs, выбран метод с применением каркасной системы. С помощью математического моделирования определена оптимальная геометрия ячейки каркаса, отвечающая механическим и гидродинамическим требованиям. Разработана технология корпусирования.
Метод корпусирования СВЧ МЭМ-ключа на пластине GaAs с использованием каркасной системы DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.211.215
Проведено исследование нескольких методов корпусирования СВЧ МЭМ-ключа на пластине GaAs, выбран метод с применением каркасной системы. С помощью математического моделирования определена оптимальная геометрия ячейки каркаса, отвечающая механическим и гидродинамическим требованиям. Разработана технология корпусирования.
E. L. Kharchenko, A. V. Kuzovkov, V. V. Ivanov
Optimizing SRAF placement to increase photolithography resolution The paper presents the optimization method of SRAF placement with a view to expanding the process window and as a result increasing the resolution of photolithography.
Optimizing SRAF placement to increase photolithography resolution The paper presents the optimization method of SRAF placement with a view to expanding the process window and as a result increasing the resolution of photolithography.
Е. Л. Харченко, А. В. Кузовков, В. В. Иванов
Оптимизация размещения SRAF для увеличения разрешающей способности фотолитографии DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.216.218
В данной работе рассмотрен метод оптимизации правил размещения непечатаемых вспомогательных структур в целях увеличения окна процесса и, как следствие, повышения разрешающей способности в фотолитографии.
Оптимизация размещения SRAF для увеличения разрешающей способности фотолитографии DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.216.218
В данной работе рассмотрен метод оптимизации правил размещения непечатаемых вспомогательных структур в целях увеличения окна процесса и, как следствие, повышения разрешающей способности в фотолитографии.
I. N. Alekseev, V. D. Baykov, A. V. Glushkov, D. A. Domozhakov, A. V. Dubinskiy, N. Yu. Rannev
Problems of increasing speed characteristics of SpaceFibre transceivers The article analyses architectural and circuit design solutions for high-speed physical medium attachment (PMA) for SpaceFibre and GigaSpaceWire ports. Besides, it identifies optimal sets of programmable standard bit frequencies and proposes a universal transceiver.
Problems of increasing speed characteristics of SpaceFibre transceivers The article analyses architectural and circuit design solutions for high-speed physical medium attachment (PMA) for SpaceFibre and GigaSpaceWire ports. Besides, it identifies optimal sets of programmable standard bit frequencies and proposes a universal transceiver.
И. Н. Алексеев, В. Д. Байков, А. В. Глушков, Д. А. Доможаков, А. В. Дубинский, Н. Ю. Раннев
Проблемы повышения скоростных характеристик приемопередатчиков портов SpaceFibre DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.219.230
В работе выполнен анализ архитектурных и схемотехнических решений разрабатываемых скоростных приемопередатчиков физического уровня (PMA) для портов SpaceFibre и GigaSpaceWire. Определены оптимальные наборы программируемых стандартных битовых частот. Предложена универсальная архитектура приемопередатчика.
Проблемы повышения скоростных характеристик приемопередатчиков портов SpaceFibre DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.219.230
В работе выполнен анализ архитектурных и схемотехнических решений разрабатываемых скоростных приемопередатчиков физического уровня (PMA) для портов SpaceFibre и GigaSpaceWire. Определены оптимальные наборы программируемых стандартных битовых частот. Предложена универсальная архитектура приемопередатчика.
V. A. Chetverikov, G. V. Baranov, A. G. Italyantsev, A. S. Klyuchnikov
The eff ect of pore formation at thermal growth of metal silicides on the surface of bulk nanoscale Si structures The paper deals with the experimentally found effect of pore formation on the surface of silicon structures, as well as the phenomenological model of porosity formation in the process of silicidation reaction on the surface of silicon fin-structure.
The eff ect of pore formation at thermal growth of metal silicides on the surface of bulk nanoscale Si structures The paper deals with the experimentally found effect of pore formation on the surface of silicon structures, as well as the phenomenological model of porosity formation in the process of silicidation reaction on the surface of silicon fin-structure.
В. А. Четвериков, Г. В. Баранов, А. Г. Итальянцев, А. С. Ключников
Эффект порообразования при термическом росте силицидов металлов на поверхности объемных DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.231
Экспериментально обнаружен эффект образования пор на поверхности кремниевых структур. Представлена феноменологическая модель порообразования в процессе реакции силицидирования на поверхности кремниевой fin-структуры.
Эффект порообразования при термическом росте силицидов металлов на поверхности объемных DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.231
Экспериментально обнаружен эффект образования пор на поверхности кремниевых структур. Представлена феноменологическая модель порообразования в процессе реакции силицидирования на поверхности кремниевой fin-структуры.
A. A. Sharapov, G. V. Baranov
Analyzing factors infl uencing the roughness of Si microelectronics topological structures We investigated the physics of the phenomena that cause the appearance and modification of the side surfaces roughness of nanoscale topological structures. We considered various technological techniques that allow reducing the roughness value in Si structures, and we proposed a number of methods to control the roughness of micro- and nanoelectronic structures.
Analyzing factors infl uencing the roughness of Si microelectronics topological structures We investigated the physics of the phenomena that cause the appearance and modification of the side surfaces roughness of nanoscale topological structures. We considered various technological techniques that allow reducing the roughness value in Si structures, and we proposed a number of methods to control the roughness of micro- and nanoelectronic structures.
А. А. Шарапов, Г. В. Баранов
Анализ факторов воздействия на шероховатость топологических структур Si микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.232.233
Исследованы физические основы явлений, приводящих к возникновению и модификации шероховатости боковых поверхностей наноразмерных топологических структур. Рассмотрены технологические приемы, позволяющие снизить уровень шероховатости в Si-структурах, а также выдвинуты предложения о методах управления шероховатостью в структурах микро- и наноэлектроники.
Анализ факторов воздействия на шероховатость топологических структур Si микроэлектроники DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.232.233
Исследованы физические основы явлений, приводящих к возникновению и модификации шероховатости боковых поверхностей наноразмерных топологических структур. Рассмотрены технологические приемы, позволяющие снизить уровень шероховатости в Si-структурах, а также выдвинуты предложения о методах управления шероховатостью в структурах микро- и наноэлектроники.
A. A. Konarev, S. O. Ranchin, D. A. Varlamov
Electrochemical synthesis of tetramethylammonium hydroxide concentrate To develop a technology for making tetramethylammonium hydroxide concentrate, we have chosen a direction of research including a membrane electrolysis of a tetramethylammonium chloride solution. Based on the research, an experimental production of a tetramethylammonium hydroxide solution with a concentration of at least 20 % and a PP-051MS nonmetallic developer corresponding to the technical specifications of TU 2638-083-05784466-2015 and TU 2496-085-05784466-2015 has been created.
Electrochemical synthesis of tetramethylammonium hydroxide concentrate To develop a technology for making tetramethylammonium hydroxide concentrate, we have chosen a direction of research including a membrane electrolysis of a tetramethylammonium chloride solution. Based on the research, an experimental production of a tetramethylammonium hydroxide solution with a concentration of at least 20 % and a PP-051MS nonmetallic developer corresponding to the technical specifications of TU 2638-083-05784466-2015 and TU 2496-085-05784466-2015 has been created.
А. А. Конарев, С. О. Ранчин, Д. А. Варламов
Электрохимический синтез концентрата тетраметиламмония гидроксида DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.234.236
Для разработки технологии получения концентрата тетраметиламмония гидроксида выбрано направление исследований, заключающееся в мембранном электролизе раствора хлорида тетраметиламмония. На основании проведенных исследований создано опытно-промышленное производство раствора тетраметиламмония гидроксида с концентрацией не ниже 20 % и безметалльного проявителя ПП-051МС, соответствующих требованиям ТУ 2638-083-05784466-2015 и ТУ 2496-085-05784466-2015.
Электрохимический синтез концентрата тетраметиламмония гидроксида DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.234.236
Для разработки технологии получения концентрата тетраметиламмония гидроксида выбрано направление исследований, заключающееся в мембранном электролизе раствора хлорида тетраметиламмония. На основании проведенных исследований создано опытно-промышленное производство раствора тетраметиламмония гидроксида с концентрацией не ниже 20 % и безметалльного проявителя ПП-051МС, соответствующих требованиям ТУ 2638-083-05784466-2015 и ТУ 2496-085-05784466-2015.
N. A. Tulina, A. N. Rossolenko, I. M. Shmytko, А. A. Ivanov, А. М. Ionov, S. I. Bozhko, V. V. Sirotkin, I. Yu. Borisenko,
Functional properties of anisotropic perovskite compounds in memristor structures for application in electronics The paper highlights bipolar resistive switching in Bi2Sr2CaCu2O8+y, Ва0.6K0.4BiO3−x single crystal- and Nd1.86Ce0.14CuO4 and YBa2Cu3O7−d epitaxial film-based heterostructures. The results are discussed in terms of fundamental properties of the parent HTSC compounds — antiferromagnetic metal-insulator due to oxygen doping. The formation and decay of a percolation channel during switching has been numerically simulated.
Functional properties of anisotropic perovskite compounds in memristor structures for application in electronics The paper highlights bipolar resistive switching in Bi2Sr2CaCu2O8+y, Ва0.6K0.4BiO3−x single crystal- and Nd1.86Ce0.14CuO4 and YBa2Cu3O7−d epitaxial film-based heterostructures. The results are discussed in terms of fundamental properties of the parent HTSC compounds — antiferromagnetic metal-insulator due to oxygen doping. The formation and decay of a percolation channel during switching has been numerically simulated.
Н. А. Тулина, А. Н. Россоленко, И. М. Шмытько, А. А. Иванов, А. М. Ионов, С. И. Божко, В. В. Сироткин,
Функциональные свойства анизотропных перовскитных соединений в мемристорных структурах для применения в электронике DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.237.240
На примере исследования биполярного эффекта резистивных переключений в гетеропереходах на основе четырех классов высокотемпературных сверхпроводников (втсп): Bi2Sr2CaCu2O8+y (BSCCO), YBa2Cu3O7−d (YBCO), Ва0,6K0,4BiO3−x (KBBO), Nd1,86Ce0,14CuO4 (NCCO), показано, как, используя функциональные свойства ВТСП, формировать мемристорные структуры на их основе. Такие свойства, как претерпевать переход металл – диэлектрик при кислородном допировании, анизотропия электронного транспорта, существование резервуаров заряда, через которые осуществлется допирование проводящих медь-кислородных областей, — это те главные функциональные свойства ВТСП, которые позволяют их использовать в мемристорах.
Функциональные свойства анизотропных перовскитных соединений в мемристорных структурах для применения в электронике DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.237.240
На примере исследования биполярного эффекта резистивных переключений в гетеропереходах на основе четырех классов высокотемпературных сверхпроводников (втсп): Bi2Sr2CaCu2O8+y (BSCCO), YBa2Cu3O7−d (YBCO), Ва0,6K0,4BiO3−x (KBBO), Nd1,86Ce0,14CuO4 (NCCO), показано, как, используя функциональные свойства ВТСП, формировать мемристорные структуры на их основе. Такие свойства, как претерпевать переход металл – диэлектрик при кислородном допировании, анизотропия электронного транспорта, существование резервуаров заряда, через которые осуществлется допирование проводящих медь-кислородных областей, — это те главные функциональные свойства ВТСП, которые позволяют их использовать в мемристорах.
A. N. Belov, A. M. Mastinin, A. A. Perevalov, V. I. Shevyakov
Specifics of forming memristors based on copper sulfide The paper presents the results of research into specifics of making memristors based on copper sulfide. The copper sulfidization process in chemical bath has been demonstrated in detail. It has been shown that increasing reagents concentration has significant influence on sulfide surface morphology.
Specifics of forming memristors based on copper sulfide The paper presents the results of research into specifics of making memristors based on copper sulfide. The copper sulfidization process in chemical bath has been demonstrated in detail. It has been shown that increasing reagents concentration has significant influence on sulfide surface morphology.
А. Н. Белов, А. М. Мастинин, А. А. Перевалов, В. И. Шевяков
Особенности создания мемристорных структур на основе сульфида меди DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.241.243
Представлены результаты исследования особенностей создания мемристорных структур на основе сульфида меди как одного из перспективных материалов, обеспечивающих повышенную работоспособность структур. Детально рассмотрен процесс сульфидизации меди в «химической ванне». Показано влияние концентраций исходных химических реагентов на шероховатость поверхности слоя сульфида.
Особенности создания мемристорных структур на основе сульфида меди DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.241.243
Представлены результаты исследования особенностей создания мемристорных структур на основе сульфида меди как одного из перспективных материалов, обеспечивающих повышенную работоспособность структур. Детально рассмотрен процесс сульфидизации меди в «химической ванне». Показано влияние концентраций исходных химических реагентов на шероховатость поверхности слоя сульфида.
A. A. Golishnikov, M. G. Putrya, V. I. Shevyakov
Researching silicon deep plasma etching process for producing 3D-TSV structures The paper presents the results of studies of one of the fundamental processes in the 3D ICs technology — the silicon deep plasma etching for 3D-TSV structures producing. Besides, the work studies the influence of operating parameters in Si etching cycle on the process characteristics in high-density transformer coupled plasma (TCP). The ion-stimulated mechanism of the fluoride-carbon film deposition has been shown.
Researching silicon deep plasma etching process for producing 3D-TSV structures The paper presents the results of studies of one of the fundamental processes in the 3D ICs technology — the silicon deep plasma etching for 3D-TSV structures producing. Besides, the work studies the influence of operating parameters in Si etching cycle on the process characteristics in high-density transformer coupled plasma (TCP). The ion-stimulated mechanism of the fluoride-carbon film deposition has been shown.
А. А. Голишников, М. Г. Путря, В. И. Шевяков
Исследование процесса глубокого плазменного травления кремния для создания 3D-TSV-структур DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.244.245
Представлены результаты исследования особенностей процесса глубокого плазменного травления кремния для создания 3D-TSV-структур как одного из основополагающих в технологии изготовления 3D-ИС. В работе исследовано влияние операционных параметров плазменного травления кремния на технологические характеристики процесса в источнике высокоплотной трансформаторно-связанной плазмы. Показан ионностимулированный характер осаждения фторуглеродной пленки.
Исследование процесса глубокого плазменного травления кремния для создания 3D-TSV-структур DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.244.245
Представлены результаты исследования особенностей процесса глубокого плазменного травления кремния для создания 3D-TSV-структур как одного из основополагающих в технологии изготовления 3D-ИС. В работе исследовано влияние операционных параметров плазменного травления кремния на технологические характеристики процесса в источнике высокоплотной трансформаторно-связанной плазмы. Показан ионностимулированный характер осаждения фторуглеродной пленки.
V. I. Egorkin, M. N. Zhuravlev, V. E. Zemlyakov
Heterobipolar transistor with high breakdown voltage based on GaAs compounds nanoheterostructures The paper highlights the possibility of increasing the breakdown voltage of a heterobipolar transistor on the basis of gallium arsenide compounds. The breakdown voltage increase has been achieved due to the use of anisotropic chemical etching and plasma-chemical treatment with deposition of Si3N4. The value of the breakdown voltage is more than 25 V.
Heterobipolar transistor with high breakdown voltage based on GaAs compounds nanoheterostructures The paper highlights the possibility of increasing the breakdown voltage of a heterobipolar transistor on the basis of gallium arsenide compounds. The breakdown voltage increase has been achieved due to the use of anisotropic chemical etching and plasma-chemical treatment with deposition of Si3N4. The value of the breakdown voltage is more than 25 V.
В. И. Егоркин, М. Н. Журавлёв, В. Е. Земляков
Гетеробиполярный транзистор с высоким напряжением пробоя на основе наногетероструктур соединений DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.246.247
Проведены исследования возможности повышения пробивного напряжения гетеробиполярного транзистора на основе соединений арсенида галлия. Повышение пробивного напряжения достигается за счет использования анизотропного химического травления и плазмохимической обработки с осаждением Si3N4. Получены значения пробивного напряжения более 25 В.
Гетеробиполярный транзистор с высоким напряжением пробоя на основе наногетероструктур соединений DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.246.247
Проведены исследования возможности повышения пробивного напряжения гетеробиполярного транзистора на основе соединений арсенида галлия. Повышение пробивного напряжения достигается за счет использования анизотропного химического травления и плазмохимической обработки с осаждением Si3N4. Получены значения пробивного напряжения более 25 В.
A. O. Lebedev, S. V. Ivanov, O. M. Orlov
Functional methods of VSET and ROFF stabilization for RеRAM memory cells based on hafnium oxide This paper presents the results of applying functional methods of stabilization for main characteristics of ReRAM non-volatile memory cells. Two group of methods have been examined: impulse and DC-methods, it is shown that all methods from both groups lead to stabilization of Vset, and impulse methods also reduce the scatter of Roff. Advantages and disadvantages of every method are represented, statistical analysis of results has been carried out. Then the efficiency of all methods have been compared as well as phenomenological model illustrating processes in MIM during reset.
Functional methods of VSET and ROFF stabilization for RеRAM memory cells based on hafnium oxide This paper presents the results of applying functional methods of stabilization for main characteristics of ReRAM non-volatile memory cells. Two group of methods have been examined: impulse and DC-methods, it is shown that all methods from both groups lead to stabilization of Vset, and impulse methods also reduce the scatter of Roff. Advantages and disadvantages of every method are represented, statistical analysis of results has been carried out. Then the efficiency of all methods have been compared as well as phenomenological model illustrating processes in MIM during reset.
А. О. Лебедев, С. В. Иванов, О. М. Орлов
Функциональные методы стабилизации параметров VSET И ROFF для ячеек памяти RеRAM на основе оксида гафния DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.248.249
В работе представлены результаты применения функциональных методов стабилизации для основных характеристик ячеек энергонезависимой памяти ReRAM. Рассмотрены две группы методов: импульсные и DC-методы; показано, что методы из каждой группы приводят к стабилизации параметра Vset, импульсные методы также уменьшают разброс параметра Roff. Приведены преимущества и недостатки циклирования при каждом методе стирания ячейки, проведен статистический анализ результатов, после которого эффективности всех методов сравнены между собой. Предложена феноменологическая модель стирания, иллюстрирующая процессы в МИМ-структуре при стирании ячейки.
Функциональные методы стабилизации параметров VSET И ROFF для ячеек памяти RеRAM на основе оксида гафния DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.248.249
В работе представлены результаты применения функциональных методов стабилизации для основных характеристик ячеек энергонезависимой памяти ReRAM. Рассмотрены две группы методов: импульсные и DC-методы; показано, что методы из каждой группы приводят к стабилизации параметра Vset, импульсные методы также уменьшают разброс параметра Roff. Приведены преимущества и недостатки циклирования при каждом методе стирания ячейки, проведен статистический анализ результатов, после которого эффективности всех методов сравнены между собой. Предложена феноменологическая модель стирания, иллюстрирующая процессы в МИМ-структуре при стирании ячейки.
E. V. Ipatova, E. L. Kharchenko
Generating random configuration topology for OPC-model testing It is necessary to select test structures with a variety of topological forms. That is why the task of automated creation of a random configuration topology is relevant. This paper presents the developed method of generating a random configuration
topology.
Generating random configuration topology for OPC-model testing It is necessary to select test structures with a variety of topological forms. That is why the task of automated creation of a random configuration topology is relevant. This paper presents the developed method of generating a random configuration
topology.
Е. В. Ипатова, Е. Л. Харченко
Генерация топологии случайной конфигурации для отработки OPC-модели DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.250.253
Для оценки эффективности OPC-решения необходимо подбирать тестовые структуры, имеющие разнообразные топологические формы. В связи с этим актуальной является задача автоматизированного создания топологии случайной конфигурации. В данной работе представлены разработанная методика генерации топологии случайной конфигурации, программная реализация и исследование эффективности ее применения.
Генерация топологии случайной конфигурации для отработки OPC-модели DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.250.253
Для оценки эффективности OPC-решения необходимо подбирать тестовые структуры, имеющие разнообразные топологические формы. В связи с этим актуальной является задача автоматизированного создания топологии случайной конфигурации. В данной работе представлены разработанная методика генерации топологии случайной конфигурации, программная реализация и исследование эффективности ее применения.
Microelectronics products of general and dedicated purposes
Изделия микроэлектроники общего и специализированного назначения
S. A. Ilin, O. V. Lastochkin, A. S. Nadin, A. A. Novikov, D. S. Shipitsin
Design platform for CMOS RHBD 90 nm technology The article describes the design-technological platform for 90 nm CMOS RHBD technology, its composition, including a set of digital element libraries and I/O interface libraries, as well as a test crystal (TC) manufactured in the framework of research work, and analyzes the results of testing the TC and element base.
Design platform for CMOS RHBD 90 nm technology The article describes the design-technological platform for 90 nm CMOS RHBD technology, its composition, including a set of digital element libraries and I/O interface libraries, as well as a test crystal (TC) manufactured in the framework of research work, and analyzes the results of testing the TC and element base.
С. А. Ильин, О. В. Ласточкин, А. С. Надин, А. А. Новиков, Д. С. Шипицин
Конструкторско-технологическая платформа проектирования радиационно-стойких СБИС на базе DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.254.257
В статье описывается конструкторско-технологическая платформа проектирования для технологии КМОП 90 нм, ее состав, включая комплект библиотек цифровых элементов и библиотеки интерфейсных элементов ввода-вывода; описан тестовый кристалл (ТК), изготовленный в рамках исследовательской работы; проанализированы результаты испытаний ТК и элементной базы.
Конструкторско-технологическая платформа проектирования радиационно-стойких СБИС на базе DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.254.257
В статье описывается конструкторско-технологическая платформа проектирования для технологии КМОП 90 нм, ее состав, включая комплект библиотек цифровых элементов и библиотеки интерфейсных элементов ввода-вывода; описан тестовый кристалл (ТК), изготовленный в рамках исследовательской работы; проанализированы результаты испытаний ТК и элементной базы.
Yu. M. Gerasimov, N. G. Grigoryev, A. V. Kobylyatskiy, L. V. Menshenin
SRAM and register fi le IP-blocks for nanometer radiation-hardened systems on chip The paper considers the basic principles of SRAM and register files IP-blocks creation, its architectural, schematic and topological features of radiation-hardening-by-design for the use in the system-on-chip. The main requirements for synthesis and compilation software have been formulated. SRAM IP-blocks compilers have been developed on this basis.
SRAM and register fi le IP-blocks for nanometer radiation-hardened systems on chip The paper considers the basic principles of SRAM and register files IP-blocks creation, its architectural, schematic and topological features of radiation-hardening-by-design for the use in the system-on-chip. The main requirements for synthesis and compilation software have been formulated. SRAM IP-blocks compilers have been developed on this basis.
Ю. М. Герасимов, Н. Г. Григорьев, А. В. Кобыляцкий, Л. В. Меньшенин
Сложно-функциональные блоки ОЗУ и регистровых файлов для нанометровых радиационно-стойких КМОП СБИС СнК DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.258.267
Рассмотрены базовые принципы создания, архитектурные, схемотехнические и конструктивно-топологические особенности радиационно-стойких СФ-блоков ОЗУ и регистровых файлов для использования в составе СБИС типа «система на кристалле». Сформулированы основные требования для программных средств синтеза и компиляции, на основе которых разработаны компиляторы СФ-блоков ОЗУ.
Сложно-функциональные блоки ОЗУ и регистровых файлов для нанометровых радиационно-стойких КМОП СБИС СнК DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.258.267
Рассмотрены базовые принципы создания, архитектурные, схемотехнические и конструктивно-топологические особенности радиационно-стойких СФ-блоков ОЗУ и регистровых файлов для использования в составе СБИС типа «система на кристалле». Сформулированы основные требования для программных средств синтеза и компиляции, на основе которых разработаны компиляторы СФ-блоков ОЗУ.
Yu. M. Gerasimov, N. G. Grigoryev, A. V. Kobylyatskiy, Ya. Ya. Petrichkovich, T. V. Solokhina
From The First CMOS Transistors To The Radiation-Hardened Nanometer CMOS Systems-on-chip The paper highlights the main questions of radiation-hardened CMOS IC design — from the first CMOS transistors in 1968 to modern nanometer “systems-on-chip” (SoC). The modern radiation-hardened CMOS IC are designed on bulk CMOS technologies ranging from 250 nm to 90 nm. The features of the VLSI radiation-hardness-by-design have been analyzed. A number of competitive systems-on-chip and SRAM chips have been designed based on radiation-hardened standard cell and IO libraries and IP-blocks.
From The First CMOS Transistors To The Radiation-Hardened Nanometer CMOS Systems-on-chip The paper highlights the main questions of radiation-hardened CMOS IC design — from the first CMOS transistors in 1968 to modern nanometer “systems-on-chip” (SoC). The modern radiation-hardened CMOS IC are designed on bulk CMOS technologies ranging from 250 nm to 90 nm. The features of the VLSI radiation-hardness-by-design have been analyzed. A number of competitive systems-on-chip and SRAM chips have been designed based on radiation-hardened standard cell and IO libraries and IP-blocks.
Ю. М. Герасимов, Н. Г. Григорьев, А. В. Кобыляцкий, Я. Я. Петричкович, Т. В. Солохина
От первых КМОП-транзисторов до радиационно-стойких нанометровых КМОП СБИС СнК DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.268.274
Рассмотрены вопросы создания отечественных радиационно-стойких КМОП ИС и СБИC с момента появления первых микронных КМОП-транзисторов в 1968 г. до современных нанометровых СБИС типа «систем на кристалле» (СнК), изготавливаемых по технологиям объемного кремния уровня 250–90 нм. Проанализированы особенности радиационно-стойкого проектирования таких СБИС. На основе разработанных библиотек элементов и СФ-блоков создан ряд конкурентоспособных СБИС СнК и ОЗУ.
От первых КМОП-транзисторов до радиационно-стойких нанометровых КМОП СБИС СнК DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.268.274
Рассмотрены вопросы создания отечественных радиационно-стойких КМОП ИС и СБИC с момента появления первых микронных КМОП-транзисторов в 1968 г. до современных нанометровых СБИС типа «систем на кристалле» (СнК), изготавливаемых по технологиям объемного кремния уровня 250–90 нм. Проанализированы особенности радиационно-стойкого проектирования таких СБИС. На основе разработанных библиотек элементов и СФ-блоков создан ряд конкурентоспособных СБИС СнК и ОЗУ.
A. B. Boruzdina, A. A. Pechenkin, A. V. Yanenko, A. I. Chumakov, A. N. Egorov
Rational composition and features of practical application of test methods and installations for estimating microelectronic devices resistance to SEE It has been substantiated that a rational combination of reliability, informativeness and technical effectiveness of experimental evaluation of IC resistance to the SEE (heavy charged particles and high-energy cosmic protons, as well as single neutrons) is provided by a complex joint application of heavy ion cyclotrons, focused laser sources, protons accelerators and neutron generators, which do not compete, but complement each other.
Rational composition and features of practical application of test methods and installations for estimating microelectronic devices resistance to SEE It has been substantiated that a rational combination of reliability, informativeness and technical effectiveness of experimental evaluation of IC resistance to the SEE (heavy charged particles and high-energy cosmic protons, as well as single neutrons) is provided by a complex joint application of heavy ion cyclotrons, focused laser sources, protons accelerators and neutron generators, which do not compete, but complement each other.
А. Б. Боруздина, А. А. Печенкин, А. В. Яненко, А. И. Чумаков, А. Н. Егоров
Рациональный состав и особенности практического применения испытательных методов и установок для DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.275.277
Обосновано, что рациональное сочетание достоверности, информативности и технико-экономической эффективности экспериментальной оценки стойкости ЭКБ к воздействию отдельных ядерных частиц (тяжелых заряженных частиц и высокоэнергетичных протонов космического пространства, а также одиночных нейтронов) обеспечивается комплексным совместным применением циклотронов тяжелых ионов, сфокусированных лазерных источников, ускорителей протонов и генераторов нейтронов, которые не конкурируют, а взаимно дополняют друг друга.
Рациональный состав и особенности практического применения испытательных методов и установок для DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.275.277
Обосновано, что рациональное сочетание достоверности, информативности и технико-экономической эффективности экспериментальной оценки стойкости ЭКБ к воздействию отдельных ядерных частиц (тяжелых заряженных частиц и высокоэнергетичных протонов космического пространства, а также одиночных нейтронов) обеспечивается комплексным совместным применением циклотронов тяжелых ионов, сфокусированных лазерных источников, ускорителей протонов и генераторов нейтронов, которые не конкурируют, а взаимно дополняют друг друга.
A. V. Ulanova, A. I. Chumakov, A. V. Sogoyan, A. A. Smolin, A. O. Ahmetov
Estimating single event rate using two-parameter model The paper discusses existing approaches to single event rate estimation and describes their main limitations when applied to modern devices. A new alternative approach has been proposed and comparison to existing methods of single event rate estimation has been made.
Estimating single event rate using two-parameter model The paper discusses existing approaches to single event rate estimation and describes their main limitations when applied to modern devices. A new alternative approach has been proposed and comparison to existing methods of single event rate estimation has been made.
А. В. Уланова, А. И. Чумаков, А. В. Согоян, А. А. Смолин, А. О. Ахметов
Оценка частоты одиночных радиационных эффектов при воздействии тяжелых заряженных частиц на основе двухпараметрической модели DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.278.281
В настоящей работе рассмотрены основные существующие подходы к оценке частоты одиночных радиационных эффектов при воздействии тяжелых заряженных частиц и проанализированы их основные ограничения. Предложен альтернативный подход к оценке частоты одиночных радиационных эффектов и описаны его преимущества по сравнению с существующими подходами.
Оценка частоты одиночных радиационных эффектов при воздействии тяжелых заряженных частиц на основе двухпараметрической модели DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.278.281
В настоящей работе рассмотрены основные существующие подходы к оценке частоты одиночных радиационных эффектов при воздействии тяжелых заряженных частиц и проанализированы их основные ограничения. Предложен альтернативный подход к оценке частоты одиночных радиационных эффектов и описаны его преимущества по сравнению с существующими подходами.
A. A. Antonov, A. G. Prozorova, L. A. Solovyeva, A. A. Krasnyuk
Software and hardware methods of locating errors and failures for redundant and multichannel IP-blocks The paper presents conclusions about circuit and methodological solutions for determinants (locators) of errors and failures implemented as specialized components of microprocessors.
Software and hardware methods of locating errors and failures for redundant and multichannel IP-blocks The paper presents conclusions about circuit and methodological solutions for determinants (locators) of errors and failures implemented as specialized components of microprocessors.
А. А. Антонов, А. Г. Прозорова, Л. А. Соловьева, А. А. Краснюк
Программно-аппаратные методы локации ошибок и сбоев для резервированных и многоканальных СФ-блоков DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.282.286
Представлены выводы о схемотехнических и методологических решениях для определителей (локаторов) ошибок и сбоев, реализуемых как специализированные узлы микропроцессоров.
Программно-аппаратные методы локации ошибок и сбоев для резервированных и многоканальных СФ-блоков DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.282.286
Представлены выводы о схемотехнических и методологических решениях для определителей (локаторов) ошибок и сбоев, реализуемых как специализированные узлы микропроцессоров.
V. D. Baykov, D. A. Domozhakov, A. V. Dubinskiy
Estimating BER in SpaceFibre transceivers The article considers a method for estimating bit error ratio (BER) in multispeed transceivers of the serial channel at the design stage. A model of critical nodes of the path has been given.
Estimating BER in SpaceFibre transceivers The article considers a method for estimating bit error ratio (BER) in multispeed transceivers of the serial channel at the design stage. A model of critical nodes of the path has been given.
В. Д. Байков, Д. А. Доможаков, А. В. Дубинский
Методика оценки вероятности возникновения битовых ошибок в приемопередатчиках SpaceFibre DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.287.296
В статье предложена методика оценки частоты возникновения битовых ошибок (BER) в мультискоростных приемопередатчиках последовательного канала на этапе проектирования. Приведена модель критичных узлов тракта передатчик — приемник.
Методика оценки вероятности возникновения битовых ошибок в приемопередатчиках SpaceFibre DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.287.296
В статье предложена методика оценки частоты возникновения битовых ошибок (BER) в мультискоростных приемопередатчиках последовательного канала на этапе проектирования. Приведена модель критичных узлов тракта передатчик — приемник.
D. V. Matveev, A. M. Galimov, I. A. Fateev, D. V. Kulikov
Integrated solution for parrying thyristor eff ect for VLSI SoC The paper considers hardware SEL parry techniques. Test circuits have been developed to obtain characteristics of parasitic latch and to study methods of detecting thyristor effect.
Integrated solution for parrying thyristor eff ect for VLSI SoC The paper considers hardware SEL parry techniques. Test circuits have been developed to obtain characteristics of parasitic latch and to study methods of detecting thyristor effect.
Д. В. Матвеев, А. М. Галимов, И. А. Фатеев, Д. В. Куликов
Интегрированное решение парирования тиристорного эффекта для СБИС СнК DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.297.298
В работе рассматриваются аппаратные способы парирования тиристорного эффекта. Для исследования характеристик и способов обнаружения тиристорного эффекта разработаны тестовые схемы.
Интегрированное решение парирования тиристорного эффекта для СБИС СнК DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.297.298
В работе рассматриваются аппаратные способы парирования тиристорного эффекта. Для исследования характеристик и способов обнаружения тиристорного эффекта разработаны тестовые схемы.
A. A. Sapeghin, M. Yu. Barabanenkov, A. G. Italyantsev, M. E. Makarov
Principles of designing photon ADC and prospects for their implementation in integral performance The paper reviews researches in photonic analog-to-digital converters (ADC), as well as the current state and fundamental limits in resolution and sampling frequency of photonic ADCs. In addition, it discusses possibilities and prospects for embedding photonic ADCs in silicon technology.
Principles of designing photon ADC and prospects for their implementation in integral performance The paper reviews researches in photonic analog-to-digital converters (ADC), as well as the current state and fundamental limits in resolution and sampling frequency of photonic ADCs. In addition, it discusses possibilities and prospects for embedding photonic ADCs in silicon technology.
А. А. Сапегин, М. Ю. Барабаненков, А. Г. Итальянцев, М. Э. Макаров
Принципы построения фотонных АЦП и перспективы их реализации в интегральном исполнении DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.299.300
Приведен обзор работ в области фотонного аналого-цифрового преобразования (АЦП), рассмотрено современное состояние и фундаментальные пределы скорости преобразования и разрядности фотонных АЦП, обсуждаются возможности и перспективы встраивания фотонных АЦП в кремниевую технологию.
Принципы построения фотонных АЦП и перспективы их реализации в интегральном исполнении DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.299.300
Приведен обзор работ в области фотонного аналого-цифрового преобразования (АЦП), рассмотрено современное состояние и фундаментальные пределы скорости преобразования и разрядности фотонных АЦП, обсуждаются возможности и перспективы встраивания фотонных АЦП в кремниевую технологию.
Ф. А. Умурзаков
Особенности маршрута схемотехнического синтеза комбинированной цифровой схемы СБИС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.301
В статье рассматривается адаптированный маршрут схемотехнического синтеза уровня регистровых передач и схемотехнической структуры макроблока на цифровых библиотечных элементах.
Особенности маршрута схемотехнического синтеза комбинированной цифровой схемы СБИС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.301
В статье рассматривается адаптированный маршрут схемотехнического синтеза уровня регистровых передач и схемотехнической структуры макроблока на цифровых библиотечных элементах.
Ya. V. Antimirov, Yu. A. Ivanova, D. V. Kukushkin, A. O. Ovchinnikov, E. V. Chemodanov
Peculiarities of developing the Wi-Fi 802.11ah interface IP-core A model of wireless data transmission channel has been constructed; a demodulator based on simultaneous usage of auto- and crosscorrelators has been proposed; IEEE 802.11ah wireless communication IP-core has been developed.
Peculiarities of developing the Wi-Fi 802.11ah interface IP-core A model of wireless data transmission channel has been constructed; a demodulator based on simultaneous usage of auto- and crosscorrelators has been proposed; IEEE 802.11ah wireless communication IP-core has been developed.
Я. В. Антимиров, Ю. А. Иванова, Д. В. Кукушкин, А. О. Овчинников, Е. В. Чемоданов
Особенности разработки СФ-блока интерфейса Wi-Fi 802.11ah DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.302.308
Построена модель беспроводного канала передачи данных; предложена модель реализации синхронизатора на основе совмещения авто- и кросс-корреляторов; проведена разработка цифрового СФ-блока для беспроводного канала обмена в соответствии со стандартом IEEE 802.11ah.
Особенности разработки СФ-блока интерфейса Wi-Fi 802.11ah DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.302.308
Построена модель беспроводного канала передачи данных; предложена модель реализации синхронизатора на основе совмещения авто- и кросс-корреляторов; проведена разработка цифрового СФ-блока для беспроводного канала обмена в соответствии со стандартом IEEE 802.11ah.
N. I. Plis, R. G. Zakirov
Actions of Angstrem JSC on diversifying electronic components production for civilian usage The paper presents proposals on measures of State support for the development of civil products with military and civil quality control in military-industrial complex enterprises.
Actions of Angstrem JSC on diversifying electronic components production for civilian usage The paper presents proposals on measures of State support for the development of civil products with military and civil quality control in military-industrial complex enterprises.
Н. И. Плис, Р. Г. Закиров
Действия АО «Ангстрем» по диверсификации производства ЭКБ гражданского назначения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.309
Предложения по мерам государственной поддержки, направленные на развитие гражданской продукции с приемкой ВП и ОТК на предприятиях ОПК.
Действия АО «Ангстрем» по диверсификации производства ЭКБ гражданского назначения DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.309
Предложения по мерам государственной поддержки, направленные на развитие гражданской продукции с приемкой ВП и ОТК на предприятиях ОПК.
D. V. Malygin
“Inter” telemetry control system based on “Synergy” platform The paper considers the economic analysis of high-tech products — nanosatellites. A technology of design and architecture “Inter” telemetry control system of “Synergy” multi-purpose block-modular platform for assembling nanosatellites has been presented.
“Inter” telemetry control system based on “Synergy” platform The paper considers the economic analysis of high-tech products — nanosatellites. A technology of design and architecture “Inter” telemetry control system of “Synergy” multi-purpose block-modular platform for assembling nanosatellites has been presented.
Д. В. Малыгин
Система телеметрического контроля «Интер» платформы «Синергия» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.310.312
В работе представлен анализ наукоемкой продукции — малых космических аппаратов, в частности наноспутников. Представлена технология построения и архитектура системы телеметрического контроля «Гидра» многоцелевой платформы «Синергия» блочно-модульного типа.
Система телеметрического контроля «Интер» платформы «Синергия» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.310.312
В работе представлен анализ наукоемкой продукции — малых космических аппаратов, в частности наноспутников. Представлена технология построения и архитектура системы телеметрического контроля «Гидра» многоцелевой платформы «Синергия» блочно-модульного типа.
M. G. Chistyakov, A. A. Glushko, S. А. Morozov, G. A. Yashin, S. V. Rumyantsev
Methods of determining on-chip variation coefficients for automated design of extra large digital integrated circuits The paper analyses changes in the time parameters of the basic elements for the technological process of the SOI with a minimum design size of 0.35 mm. A comparison of the results has been made with the aim of choosing the coefficient of technological reserve.
Methods of determining on-chip variation coefficients for automated design of extra large digital integrated circuits The paper analyses changes in the time parameters of the basic elements for the technological process of the SOI with a minimum design size of 0.35 mm. A comparison of the results has been made with the aim of choosing the coefficient of technological reserve.
М. Г. Чистяков, А. А. Глушко, С. А. Морозов, Г. А. Яшин, С. В. Румянцев
Методика определения коэффициентов запаса для автоматизированного проектирования цифровых DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.313.320
В ходе работы был оценен технологический разброс параметров активных и пассивных элементов и проведен анализ связанных с ним изменений временных параметров базовых библиотечных элементов для технологического процесса КНИ с минимальным проектным размером 0,35 мкм. Проведен анализ результатов, по которым был выбран коэффициент технологического запаса.
Методика определения коэффициентов запаса для автоматизированного проектирования цифровых DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.313.320
В ходе работы был оценен технологический разброс параметров активных и пассивных элементов и проведен анализ связанных с ним изменений временных параметров базовых библиотечных элементов для технологического процесса КНИ с минимальным проектным размером 0,35 мкм. Проведен анализ результатов, по которым был выбран коэффициент технологического запаса.
A. E. Agafonov, S. I. Boroshko, P. G. Kirichenko, O. V. Sysoeva, I. V. Tarasov, A. G. Khokhlova
A 65-nm videocontroller synthesizer for monitors with resolution up to 4K The paper highlights the design process of clock synthesizer for videocontroller implementation based on phase-locked loop (PLL) with autoshifting circuit and programmable charge pump (CP). An architecture of synthesizer for interface clock frequency with step 250 kHz and less without delta-sigma modulator, phase interpolator and randomizator in the feedback loop has been proposed.
A 65-nm videocontroller synthesizer for monitors with resolution up to 4K The paper highlights the design process of clock synthesizer for videocontroller implementation based on phase-locked loop (PLL) with autoshifting circuit and programmable charge pump (CP). An architecture of synthesizer for interface clock frequency with step 250 kHz and less without delta-sigma modulator, phase interpolator and randomizator in the feedback loop has been proposed.
А. Е. Агафонов, С. И. Борошко, П. Г. Кириченко, О. В. Сысоева, И. В. Тарасов, А. Г. Хохлова
Синтезатор видеоконтроллера по технологии 65 нм для мониторов с разрешением до 4К DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.321.324
Рассмотрен процесс разработки синтезатора частот с блоком фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ) со схемой автосмещения и программируемым блоком накачки заряда (БНЗ) для видеоконтроллера. Предложена архитектура синтезатора, позволяющая получить тактовую частоту интерфейса с шагом 250 кГц и менее без применения дельта-сигма-модулятора, фазового интерполятора и рандомизатора в петле обратной связи.
Синтезатор видеоконтроллера по технологии 65 нм для мониторов с разрешением до 4К DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.321.324
Рассмотрен процесс разработки синтезатора частот с блоком фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ) со схемой автосмещения и программируемым блоком накачки заряда (БНЗ) для видеоконтроллера. Предложена архитектура синтезатора, позволяющая получить тактовую частоту интерфейса с шагом 250 кГц и менее без применения дельта-сигма-модулятора, фазового интерполятора и рандомизатора в петле обратной связи.
В. В. Алексеев, П. В. Бурдуковский
Методология расчетно-экспериментального способа проведения испытаний ЭКБ на воздействие DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.325.326
Методология расчетно-экспериментального способа проведения испытаний ЭКБ на воздействие DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.325.326
E. S. Shalashova, O. S. Pivko, I. A. Fateyev, A. M. Galimov, D. V. Matveev, D. V. Kulikov, A. V. Aleksandrov
Designing test crystals for studying methods of ensuring radiation hardness This work presents a test chip concept aimed at studying the mitigation techniques against the space radiation impact on digital circuits. To provide the radiation hardness, the basic logic library with design hardening has been developed. Hardened flip-flops and DICE-like clock-gating cells have been designed.
Designing test crystals for studying methods of ensuring radiation hardness This work presents a test chip concept aimed at studying the mitigation techniques against the space radiation impact on digital circuits. To provide the radiation hardness, the basic logic library with design hardening has been developed. Hardened flip-flops and DICE-like clock-gating cells have been designed.
Е. С. Шалашова, О. С. Пивко, И. А. Фатеев, А. М. Галимов, Д. В. Матвеев, Д. В. Куликов, А. В. Александров
Проектирование тестового кристалла для исследования методов обеспечения радиационной стойкости DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.327
Данная работа посвящена разработке концепции тестового кристалла с целью сравнения методов защиты от факторов космического пространства. Для обеспечения радиационной стойкости разработаны базисные элементы библиотеки с использованием схемотехнических и топологических методов защиты, разработаны триггеры и clock gating-ячейка с использованием DICE-схемотехники.
Проектирование тестового кристалла для исследования методов обеспечения радиационной стойкости DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.327
Данная работа посвящена разработке концепции тестового кристалла с целью сравнения методов защиты от факторов космического пространства. Для обеспечения радиационной стойкости разработаны базисные элементы библиотеки с использованием схемотехнических и топологических методов защиты, разработаны триггеры и clock gating-ячейка с использованием DICE-схемотехники.
A. V. Nuykin, A. S. Kravtsov, K. Ya. Mytnik
Developing ultra-low power universal protected software and hardware platform for IoT devices The authors consider the requirements for the development of a universal hardware and software platform for various devices of IoT. Particular attention has been paid to the security of the platform at the hardware and software implementation level.
Developing ultra-low power universal protected software and hardware platform for IoT devices The authors consider the requirements for the development of a universal hardware and software platform for various devices of IoT. Particular attention has been paid to the security of the platform at the hardware and software implementation level.
А. В. Нуйкин, А. С. Кравцов, К. Я. Мытник
Перспективы развития универсальной защищенной программно-аппаратной платформы со сверхнизким DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.328.329
В рамках работы рассматриваются требования к разработке универсальной аппаратно-программной платформы для использования в устройствах Интернета вещей различного назначения. Особое внимание уделяется обеспечению безопасности платформы на аппаратном и программном уровне реализации.
Перспективы развития универсальной защищенной программно-аппаратной платформы со сверхнизким DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.328.329
В рамках работы рассматриваются требования к разработке универсальной аппаратно-программной платформы для использования в устройствах Интернета вещей различного назначения. Особое внимание уделяется обеспечению безопасности платформы на аппаратном и программном уровне реализации.
V. V. Blagodatov, A. S. Kravtsov, A. S. Rudnitskiy, A. V. Nuykin
Estimating actual IC’s resistance to engineering attacks The paper highlights requirements for security elements and trusted environments, as well as ways to ensure their security and the possibility of analyzing the adequacy of the applied methods of protection.
Estimating actual IC’s resistance to engineering attacks The paper highlights requirements for security elements and trusted environments, as well as ways to ensure their security and the possibility of analyzing the adequacy of the applied methods of protection.
В. В. Благодатов, А. С. Кравцов, А. С. Рудницкий, А. В. Нуйкин
Оценка стойкости современных микросхем к инженерным атакам DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.330
В рамках работы рассматриваются требования к элементам безопасности и доверенным средам, способы обеспечения их безопасности, возможности анализа достаточности применяемых методов защиты.
Оценка стойкости современных микросхем к инженерным атакам DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.330
В рамках работы рассматриваются требования к элементам безопасности и доверенным средам, способы обеспечения их безопасности, возможности анализа достаточности применяемых методов защиты.
A. I. Rychkov
Low-power controller of OLED microdisplay The article considers implementation of low-power circuitry for VLSI of OLED microdisplay control. It is a part of an integral microdisplay with the matrix of organic light-emitting diodes applied to the surface of the VLSI crystal.
Low-power controller of OLED microdisplay The article considers implementation of low-power circuitry for VLSI of OLED microdisplay control. It is a part of an integral microdisplay with the matrix of organic light-emitting diodes applied to the surface of the VLSI crystal.
А. И. Рычков
СБИС управления микродисплеем на органических светодиодах с низким энергопотреблением DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.331.332
В статье рассмотрена разработка схемотехники СБИС управления микродисплеем с низким энергопотреблением, которая является составной частью интегрального микродисплея совместно с наносимой на поверхность кристалла СБИС матрицей органических светоизлучающих диодов.
СБИС управления микродисплеем на органических светодиодах с низким энергопотреблением DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.331.332
В статье рассмотрена разработка схемотехники СБИС управления микродисплеем с низким энергопотреблением, которая является составной частью интегрального микродисплея совместно с наносимой на поверхность кристалла СБИС матрицей органических светоизлучающих диодов.
Microwave integrated circuits and modules
СВЧ интегральные схемы и модули
И. Ф. Филиппов, И. В. Кравченко, Д. А. Снегур, В. А. Будняев, В. В. Вертегел, Ю. Б. Гимпилевич
Исследование и разработка интегральных приемопередающих модулей АФАР DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.404.414
Исследование и разработка интегральных приемопередающих модулей АФАР DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.404.414
A. V. Volosov, M. I. Klychnikov, G. Ya. Krasnikov, S. V. Nefediev, P. V. Nefediev, N. A. Shcherbakov, M. D. Pyatochkin
Features of technology for manufacturing silicon commutation boards for microwave modules The work summarizes the experience of developing and designing silicon switching boards for manufacturing microwave transceiver modules. The main features of the topology and design of silicon switching boards and ways to solve the problems associated with their manufacture have been described.
Features of technology for manufacturing silicon commutation boards for microwave modules The work summarizes the experience of developing and designing silicon switching boards for manufacturing microwave transceiver modules. The main features of the topology and design of silicon switching boards and ways to solve the problems associated with their manufacture have been described.
А. В. Волосов, М. И. Клычников, Г. Я. Красников, С. В. Нефедьев, П. В. Нефедьев, Н. А. Щербаков, М. Д. Пяточкин
Особенности технологии изготовления кремниевых коммутационных плат для СВЧ-модулей DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.415.416
В работе обобщается опыт разработки и проектирования кремниевых коммутационных плат для изготовления приемопередающих модулей СВЧ-диапазона. Описаны основные особенности топологии и конструкции кремниевых коммутационных плат и пути решения проблем, связанных с их изготовлением.
Особенности технологии изготовления кремниевых коммутационных плат для СВЧ-модулей DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.415.416
В работе обобщается опыт разработки и проектирования кремниевых коммутационных плат для изготовления приемопередающих модулей СВЧ-диапазона. Описаны основные особенности топологии и конструкции кремниевых коммутационных плат и пути решения проблем, связанных с их изготовлением.
S. V. Zozulya, A. P. Babkovsky, I. Yu. Michin, E. S. Balobanov
Experience of using modern domestic hardware components in the development of Rosatom State Corporation The paper highlights the possibility of creating equipment with digital signal modulation on modern domestic hardware components.
Experience of using modern domestic hardware components in the development of Rosatom State Corporation The paper highlights the possibility of creating equipment with digital signal modulation on modern domestic hardware components.
С. В. Зозуля, А. П. Бабковский, И. Ю. Мишин, Е. С. Балобанов
Опыт применения современной отечественной ЭКБ в разработках ГК «Росатом» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.417.419
Рассмотрена возможность создания аппаратуры с цифровым формированием модуляции сигнала на современной отечественной ЭКБ.
Опыт применения современной отечественной ЭКБ в разработках ГК «Росатом» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.417.419
Рассмотрена возможность создания аппаратуры с цифровым формированием модуляции сигнала на современной отечественной ЭКБ.
V. P. Timoshenkov, A. I. Khlybov, D. V. Rodionov, A. I. Panteleev, P. V. Timoshenkov
X-band RF T/R-module heat balance The paper highlights thermal modes research of X-band 10W PA (GaAs), LNA (GaAs) and CoreChip (GaAs) using two approaches: computer simulation and experiment (IR camera). All mentionaed blocks are part of T/R AESA module. Power amplifier die surface temperature as function of pulse width and power supply duty cycle has been determined.
X-band RF T/R-module heat balance The paper highlights thermal modes research of X-band 10W PA (GaAs), LNA (GaAs) and CoreChip (GaAs) using two approaches: computer simulation and experiment (IR camera). All mentionaed blocks are part of T/R AESA module. Power amplifier die surface temperature as function of pulse width and power supply duty cycle has been determined.
В. П. Тимошенков, А. И. Хлыбов, Д. В. Родионов, А. И. Пантелеев, П. В. Тимошенков
Тепловой баланс СВЧ T/R-модуля Х-диапазона DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.420.426
Экспериментально и на основе компьютерного моделирования проведены исследования тепловых режимов СВЧ ИМС Х-диапазона для модуля АФАР, изготовленных по технологии GaAs, включающих 10-ваттный усилитель мощности, МШУ и устройства управления фазой и амплитудой сигнала. Для усилителя мощности приведены зависимости максимальной температуры кристалла от длительности и скважности импульсов питания.
Тепловой баланс СВЧ T/R-модуля Х-диапазона DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.420.426
Экспериментально и на основе компьютерного моделирования проведены исследования тепловых режимов СВЧ ИМС Х-диапазона для модуля АФАР, изготовленных по технологии GaAs, включающих 10-ваттный усилитель мощности, МШУ и устройства управления фазой и амплитудой сигнала. Для усилителя мощности приведены зависимости максимальной температуры кристалла от длительности и скважности импульсов питания.
N. A. Usachev, D. I. Sotskov, V. V. Elesin, G. N. Nazarova, I. O. Metelkin, G. V. Chukov, A. G. Kuznetsov
Radiation hardening technique for mitigating displacement damage eff ects in A3B5 HBTs microwave functional blocks The paper presents radiation hardening by design technique for mitigating displacement damage effects in A3B5 HBTs frequency divider and buffer amplifier with operating frequency up to 10 GHz.
Radiation hardening technique for mitigating displacement damage eff ects in A3B5 HBTs microwave functional blocks The paper presents radiation hardening by design technique for mitigating displacement damage effects in A3B5 HBTs frequency divider and buffer amplifier with operating frequency up to 10 GHz.
Н. А. Усачев, Д. И. Сотсков, В. В. Елесин, Г. Н. Назарова, И. О. Метелкин, Г. В. Чуков, А. Г. Кузнецов
Радиационно-ориентированное проектирование СВЧ функциональных блоков приемопередающих БИС на основе гетероструктурных биполярных транзисторов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.427.429
Представлены результаты радиационно-ориентированного проектирования СВЧ функциональных блоков статического делителя и буферного усилителя с рабочими частотами до 10 ГГц, предназначенных для изготовления по технологии на основе А3В5 гетероструктурных биполярных транзисторов.
Радиационно-ориентированное проектирование СВЧ функциональных блоков приемопередающих БИС на основе гетероструктурных биполярных транзисторов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.427.429
Представлены результаты радиационно-ориентированного проектирования СВЧ функциональных блоков статического делителя и буферного усилителя с рабочими частотами до 10 ГГц, предназначенных для изготовления по технологии на основе А3В5 гетероструктурных биполярных транзисторов.
K. A. Tsarik, S. D. Fedotov, V. N. Statsenko, E. M. Sokolov, N. V. Turnev
Investigating molecular-beam growth process of heteroepitaxial Ga(Al)N layers on 3C-SiC/Si(111) virtual substrates with on-axis and 4° off -axis orientation The paper presents the results of surface morphology and crystalline structure for Ga(Al)N layers grown by MBE on 3С-SiC/Si(111) virtual substrates with on-axis and 4° off-axis orientation. RMS values increased up to ~7 nm for on-axis and to ~5 nm for 4° off-axis after 560 nm deposition of GaN. Monocrystalline GaN(0002) was verified by ω-rocking curve measurement with FWHM about 0.61–0.76° for on-axis and about 0.55–0.65° for 4° off-axis. After GaN layer formation wafer bow ascended up to ~18 μm for on-axis and ~12 μm for 4° off-axis and tensile strain for all samples was confirmed.
Investigating molecular-beam growth process of heteroepitaxial Ga(Al)N layers on 3C-SiC/Si(111) virtual substrates with on-axis and 4° off -axis orientation The paper presents the results of surface morphology and crystalline structure for Ga(Al)N layers grown by MBE on 3С-SiC/Si(111) virtual substrates with on-axis and 4° off-axis orientation. RMS values increased up to ~7 nm for on-axis and to ~5 nm for 4° off-axis after 560 nm deposition of GaN. Monocrystalline GaN(0002) was verified by ω-rocking curve measurement with FWHM about 0.61–0.76° for on-axis and about 0.55–0.65° for 4° off-axis. After GaN layer formation wafer bow ascended up to ~18 μm for on-axis and ~12 μm for 4° off-axis and tensile strain for all samples was confirmed.
К. А. Царик, С. Д. Федотов, В. Н. Стаценко, Е. М. Соколов, Н. В. Тюрнев
Исследование процесса молекулярно-лучевого роста гетероэпитаксиальных слоев Ga(Al)N на темплейтах 3С-SiC/Si(111) с on-axis- и 4° off -axis-разориентацией DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.430.434
Представлены результаты изучения морфологии поверхности и структуры слоев Ga(Al)N, сформированных МЛЭ на темплейтах 3С-SiC/Si(111) on-axis- и 4° off-axis-разориентации. После формирования 560 нм GaN-слоя RMS поверхности составила ~7 нм на темплейтах on-axis и ~5 нм на 4° off-axis. На 3С-SiC/Si были получены монокристаллические слои GaN(0002) со значениями FWHM (ω-геометрия) ~0,61–0,76° для on-axis и ~0,55–0,65° для 4° off-axis. Прогиб поверхности после формирования GaN-слоя увеличился до ~18 мкм на темплейтах on-axis и до ~12 мкм на 4° off-axis, геометрия прогиба указывала на наличие деформации растяжения.
Исследование процесса молекулярно-лучевого роста гетероэпитаксиальных слоев Ga(Al)N на темплейтах 3С-SiC/Si(111) с on-axis- и 4° off -axis-разориентацией DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.430.434
Представлены результаты изучения морфологии поверхности и структуры слоев Ga(Al)N, сформированных МЛЭ на темплейтах 3С-SiC/Si(111) on-axis- и 4° off-axis-разориентации. После формирования 560 нм GaN-слоя RMS поверхности составила ~7 нм на темплейтах on-axis и ~5 нм на 4° off-axis. На 3С-SiC/Si были получены монокристаллические слои GaN(0002) со значениями FWHM (ω-геометрия) ~0,61–0,76° для on-axis и ~0,55–0,65° для 4° off-axis. Прогиб поверхности после формирования GaN-слоя увеличился до ~18 мкм на темплейтах on-axis и до ~12 мкм на 4° off-axis, геометрия прогиба указывала на наличие деформации растяжения.
N. E. Ivanova, N. V. Zenchenko, N. V. Shchavruk, E. B. Evlampieva
Features of manufacturing microwave MICs using photolac at formation of ground plane above the crystal active surface The work is devoted to the solution of the problem of forming a ground plane in a microwave system based on GaN on sapphire substrates. A technological solution for the formation of the ground plane has been proposed using the domestic analogue of polyimide over the active part of the MIS. The results of tests of the manufactured instruments have been presented.
Features of manufacturing microwave MICs using photolac at formation of ground plane above the crystal active surface The work is devoted to the solution of the problem of forming a ground plane in a microwave system based on GaN on sapphire substrates. A technological solution for the formation of the ground plane has been proposed using the domestic analogue of polyimide over the active part of the MIS. The results of tests of the manufactured instruments have been presented.
Н. Е. Иванова, Н. В. Зенченко, Н. В. Щаврук, Е. Б. Евлампиева
Особенности изготовления СВЧ МИС с применением фотолака при формировании заземляющей плоскости над активной поверхностью кристалла DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.435.438
Работа посвящена решению задачи формирования заземляющей плоскости в СВЧ МИС на основе GaN на подложках сапфира. Предложено технологическое решение формирования заземляющей плоскости с использованием отечественного аналога полиимида над актитвной частью МИС. Проведены результаты испытаний изготовленных приборов.
Особенности изготовления СВЧ МИС с применением фотолака при формировании заземляющей плоскости над активной поверхностью кристалла DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.435.438
Работа посвящена решению задачи формирования заземляющей плоскости в СВЧ МИС на основе GaN на подложках сапфира. Предложено технологическое решение формирования заземляющей плоскости с использованием отечественного аналога полиимида над актитвной частью МИС. Проведены результаты испытаний изготовленных приборов.
Yu. S. Tsyplenkov, V. G. Ovchinnikov
Developing a radar receiver with a large dynamic range for UAV detection The requirements for a multi-beam radar receiver used for detecting small-scale low-visible low-speed targets at short range against the background of reflections from the earth’s surface and local objects, are extremely high in terms of providing a large dynamic range for 1 dB of compression, low noise and low power consumption. The present paper is devoted to the solution of the outlined problem in the space of diametrically contradictory parameters, where the problem of structural-parametric synthesis is formulated, methods for optimizing the structure and its elements are considered, and basic algorithms for finding general and particular solutions of the synthesis problem are determined.
Developing a radar receiver with a large dynamic range for UAV detection The requirements for a multi-beam radar receiver used for detecting small-scale low-visible low-speed targets at short range against the background of reflections from the earth’s surface and local objects, are extremely high in terms of providing a large dynamic range for 1 dB of compression, low noise and low power consumption. The present paper is devoted to the solution of the outlined problem in the space of diametrically contradictory parameters, where the problem of structural-parametric synthesis is formulated, methods for optimizing the structure and its elements are considered, and basic algorithms for finding general and particular solutions of the synthesis problem are determined.
Ю. С. Цыпленков, В. Г. Овчинников
Разработка радиолокационного приемника с большим динамическим диапазоном для обнаружения БПЛА DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.439.447
Для обнаружения малоразмерных малозаметных низкоскоростных целей на малой дальности на фоне отражений от земной поверхности и местных предметов требования к приемному устройству многолучевого радиолокатора оказываются крайне высокими в части обеспечения большого динамического диапазона по компрессии 1 дБ, низкого коэффициента шума и малого энергопотребления. Решению очерченной проблемы в пространстве диаметрально противоречивых параметров посвящена данная работа, где формулируется задача структурно-параметрического синтеза, рассматриваются методы оптимизации структуры и входящих в нее элементов, определяются базовые алгоритмы для поиска общего и частного решений задачи синтеза.
Разработка радиолокационного приемника с большим динамическим диапазоном для обнаружения БПЛА DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.439.447
Для обнаружения малоразмерных малозаметных низкоскоростных целей на малой дальности на фоне отражений от земной поверхности и местных предметов требования к приемному устройству многолучевого радиолокатора оказываются крайне высокими в части обеспечения большого динамического диапазона по компрессии 1 дБ, низкого коэффициента шума и малого энергопотребления. Решению очерченной проблемы в пространстве диаметрально противоречивых параметров посвящена данная работа, где формулируется задача структурно-параметрического синтеза, рассматриваются методы оптимизации структуры и входящих в нее элементов, определяются базовые алгоритмы для поиска общего и частного решений задачи синтеза.
I. A. Dovbysh, V. A. Shokirov
Developing Q-band power amplifier The paper presents a Q-band 10W power amplifier based on the 1in8 power divider/combiner with 76 % efficiency and commercial availability GaAs die chips. The construction requirements for power amplifier assembly have been determined. As an example, a power amplifier has been designed, fabricated and measured.
Developing Q-band power amplifier The paper presents a Q-band 10W power amplifier based on the 1in8 power divider/combiner with 76 % efficiency and commercial availability GaAs die chips. The construction requirements for power amplifier assembly have been determined. As an example, a power amplifier has been designed, fabricated and measured.
И. А. Довбыш, В. А. Шокиров
Разработка усилителя мощности Q-диапазона DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.448.449
Построена модель модульного 10-Вт усилителя мощности в Q-диапазоне на коммерчески доступных GaAs-микросхемах с помощью волноводного делителя/сумматора мощности 1в8 c эффективностью сложения 76 %, конструктивно выполненного в виде фрезерованных каналов в металлическом основании. Определены требования к монтажу и сборке компонентов усилителя. В качестве примера был разработан, изготовлен и измерен макет усилителя мощности.
Разработка усилителя мощности Q-диапазона DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.448.449
Построена модель модульного 10-Вт усилителя мощности в Q-диапазоне на коммерчески доступных GaAs-микросхемах с помощью волноводного делителя/сумматора мощности 1в8 c эффективностью сложения 76 %, конструктивно выполненного в виде фрезерованных каналов в металлическом основании. Определены требования к монтажу и сборке компонентов усилителя. В качестве примера был разработан, изготовлен и измерен макет усилителя мощности.
D. A. Sukhanov
Modernizing microwave MIC production The paper presents the analysis of the production market of microelectronic components and compares production technologies based on GaAs and GaN and their capabilities for expanding the operating frequency range of products. Besides, it analyzes the advantages and emerging problems when using microwave MIС in the production of microelectronics. A comprehensive solution for microwave MIC production modernization has been prepared.
Modernizing microwave MIC production The paper presents the analysis of the production market of microelectronic components and compares production technologies based on GaAs and GaN and their capabilities for expanding the operating frequency range of products. Besides, it analyzes the advantages and emerging problems when using microwave MIС in the production of microelectronics. A comprehensive solution for microwave MIC production modernization has been prepared.
Д. А. Суханов
Модернизация производства СВЧ МИС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.450.452
Проведен анализ производственного рынка микроэлектронных компонентов. Сделано сравнение технологий производства на основе GaAs и GaN и их возможностей для расширения рабочего частотного диапазона изделий. Проведен анализ преимуществ и возникающих проблем при применении СВЧ МИС на производстве микроэлектроники. Подготовлено комплексное решение для модернизации производства СВЧ МИС.
Модернизация производства СВЧ МИС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.450.452
Проведен анализ производственного рынка микроэлектронных компонентов. Сделано сравнение технологий производства на основе GaAs и GaN и их возможностей для расширения рабочего частотного диапазона изделий. Проведен анализ преимуществ и возникающих проблем при применении СВЧ МИС на производстве микроэлектроники. Подготовлено комплексное решение для модернизации производства СВЧ МИС.
I. M. Dobush, A. S. Salnikov, A. A. Kalentyev, A. E. Goryainov, A. A. Popov, D. V. Bilevich
Developing techniques and software for microwave monolithic integrated circuit element automatic modeling The paper deals with developing active and passive microwave monolithic integrated circuit components automatic modeling techniques which allow one to significantly reduce modeling time preserving acceptable accuracy. The proposed techniques are implemented in the 50ohm Tech M3-Suite software to make technique usage easier.
Developing techniques and software for microwave monolithic integrated circuit element automatic modeling The paper deals with developing active and passive microwave monolithic integrated circuit components automatic modeling techniques which allow one to significantly reduce modeling time preserving acceptable accuracy. The proposed techniques are implemented in the 50ohm Tech M3-Suite software to make technique usage easier.
И. М. Добуш, А. С. Сальников, А. А. Калентьев, А. Е. Горяинов, А. А. Попов, Д. В. Билевич
Разработка методик и программного обеспечения для автоматического построения моделей базовых элементов СВЧ монолитных интегральных схем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.453.462
Приведены результаты разработки методик для автоматического построения моделей активных и пассивных элементов СВЧ монолитных интегральных схем (МИС), позволяющих значительно сократить время их построения при сохранении приемлемой точности. Для удобства применения разработчиками СВЧ МИС предложенные методики реализованы в программном комплексе 50ohm Tech M3-Suite.
Разработка методик и программного обеспечения для автоматического построения моделей базовых элементов СВЧ монолитных интегральных схем DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.453.462
Приведены результаты разработки методик для автоматического построения моделей активных и пассивных элементов СВЧ монолитных интегральных схем (МИС), позволяющих значительно сократить время их построения при сохранении приемлемой точности. Для удобства применения разработчиками СВЧ МИС предложенные методики реализованы в программном комплексе 50ohm Tech M3-Suite.
A. A. Glybin, Yu. V. Burtsev, A. Yu. Lychagin, D. V. Cherevan, O. A. Fuzhenko, A. V. Moroz
Flight Testing Research Method for Analyzing Performance of Active Antenna Modules of the Earth Remote Sensing Spacecraft Active Electronically Scanned Antenna Array This paper highlights the results of the flight testing research of the active antenna module, designed for synthetic aperture radar of a spacecraft onboard special complex. Signals with linear frequency modulation were used as ranging signals. A technique for conducting flight testing research of synthesized aperture radars has been suggested.
Flight Testing Research Method for Analyzing Performance of Active Antenna Modules of the Earth Remote Sensing Spacecraft Active Electronically Scanned Antenna Array This paper highlights the results of the flight testing research of the active antenna module, designed for synthetic aperture radar of a spacecraft onboard special complex. Signals with linear frequency modulation were used as ranging signals. A technique for conducting flight testing research of synthesized aperture radars has been suggested.
А. А. Глыбин, Ю. В. Бурцев, А. Ю. Лычагин, Д. В. Черевань, О. А. Фуженко, А. В. Мороз
Технология комплексных натурных испытаний антенных модулей АФАР DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.463.469
В статье представлены результаты летно-экспериментальных исследований модуля антенного активного, разработанного для радиолокатора с синтезированной апертурой бортового специального комплекса космического аппарата. В качестве зондирующих сигналов использовались сигналы с линейной частотной модуляцией. Представлена методика проведения летно-экспериментальных исследований бортовых радиолокаторов с синтезированной апертурой.
Технология комплексных натурных испытаний антенных модулей АФАР DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.463.469
В статье представлены результаты летно-экспериментальных исследований модуля антенного активного, разработанного для радиолокатора с синтезированной апертурой бортового специального комплекса космического аппарата. В качестве зондирующих сигналов использовались сигналы с линейной частотной модуляцией. Представлена методика проведения летно-экспериментальных исследований бортовых радиолокаторов с синтезированной апертурой.
A. A. Shabanov, A. V. Korovin
Evaluating main provisions of methodology for estimating electronic component base critical parameters by comparison of modulators As a result of the comparative analysis of the quadrature modulator 1327MA015 and its foreign analogue ADL5375, the main characteristics of the examined integrated circuits have been determined, as well as the main characteristics of the AMSTs, which may be affected by the data of the microcircuit. A methodical approach has been adopted for assessing the critical parameters of the electronic component base.
Evaluating main provisions of methodology for estimating electronic component base critical parameters by comparison of modulators As a result of the comparative analysis of the quadrature modulator 1327MA015 and its foreign analogue ADL5375, the main characteristics of the examined integrated circuits have been determined, as well as the main characteristics of the AMSTs, which may be affected by the data of the microcircuit. A methodical approach has been adopted for assessing the critical parameters of the electronic component base.
А. А. Шабанов, А. В. Коровин
Апробация основных положений методики оценки критических параметров электронной компонентной базы на примере сравнения модуляторов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.470.473
В статье был апробирован методический подход по оценке критических параметров электронной компонентной базы путем сравнительного анализа квадратурного модулятора 1327МА015 и зарубежного аналога ADL5375. Были определены основные характеристики рассмотренных интегральных микросхем, основные характеристики ВВСТ, на которые могут оказывать влияние данные микросхемы.
Апробация основных положений методики оценки критических параметров электронной компонентной базы на примере сравнения модуляторов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.470.473
В статье был апробирован методический подход по оценке критических параметров электронной компонентной базы путем сравнительного анализа квадратурного модулятора 1327МА015 и зарубежного аналога ADL5375. Были определены основные характеристики рассмотренных интегральных микросхем, основные характеристики ВВСТ, на которые могут оказывать влияние данные микросхемы.
I. I. Mukhin, R. S. Shabardin, L. V. Nedashkovskiy, D. N. Morozov, N. V. Shabardina, I. S. Solovyev
Research into prospects of correcting RF quadrature modulators and demodulators parameters The article presents methods and results of designing RF quadrature modulators and demodulators which contain integrated correction circuits with digital control of parameters, such as phase and amplitude unbalances of quadrature signals, as well as tuning operating currents in mixers.
Research into prospects of correcting RF quadrature modulators and demodulators parameters The article presents methods and results of designing RF quadrature modulators and demodulators which contain integrated correction circuits with digital control of parameters, such as phase and amplitude unbalances of quadrature signals, as well as tuning operating currents in mixers.
И. И. Мухин, Р. С. Шабардин, Л. В. Недашковский, Д. Н. Морозов, Н. В. Шабардина, И. С. Соловьёв
Исследование возможности коррекции параметров СВЧ квадратурных модуляторов и демодуляторов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.474.475
В данной работе рассматриваются методы и результаты проектирования СВЧ квадратурных модуляторов и демодуляторов, содержащих интегрированные узлы с цифровым управлением для коррекции таких параметров, как фазовый и амплитудный разбалансы квадратурных сигналов, а также подстройки рабочих токов цепей смесителей.
Исследование возможности коррекции параметров СВЧ квадратурных модуляторов и демодуляторов DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.474.475
В данной работе рассматриваются методы и результаты проектирования СВЧ квадратурных модуляторов и демодуляторов, содержащих интегрированные узлы с цифровым управлением для коррекции таких параметров, как фазовый и амплитудный разбалансы квадратурных сигналов, а также подстройки рабочих токов цепей смесителей.
A. P. Babkovsky, A. V. Baranov, V. S. Vasiliev, A. N. Mochanov
Airborne radio-transmitting device The paper considers prospects of designing a new generation on-board D-band radio-transmitting system based on domestic electronic components.
Airborne radio-transmitting device The paper considers prospects of designing a new generation on-board D-band radio-transmitting system based on domestic electronic components.
А. П. Бабковский, А. В. Баранов, В. С. Васильев, А. Н. Мочанов
Бортовое радиопередающее устройство с фазовой манипуляцией DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.476.479
Рассмотрена возможность создания бортового радиопередающего устройства дециметрового диапазона с фазовой манипуляцией для радиотелеметрической системы нового поколения на отечественных электронных компонентах.
Бортовое радиопередающее устройство с фазовой манипуляцией DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.476.479
Рассмотрена возможность создания бортового радиопередающего устройства дециметрового диапазона с фазовой манипуляцией для радиотелеметрической системы нового поколения на отечественных электронных компонентах.
Microsystems
Микросистемы
S. P. Timoshenkov, V. V. Kalugin, S. A. Anchutin, N. M. Zariankin, E. S. Kochurina
Features of designing and manufacturing a microaccelerometer sensing device The paper highlights the developed microaccelerometer sensing device design, as well as the results of modal and static analysis carried out using the method of terminating ultimate analysis. The mode of etching deep flutes in silicon using Bosch-process has been proposed. Photos of the sensing devices made are given.
Features of designing and manufacturing a microaccelerometer sensing device The paper highlights the developed microaccelerometer sensing device design, as well as the results of modal and static analysis carried out using the method of terminating ultimate analysis. The mode of etching deep flutes in silicon using Bosch-process has been proposed. Photos of the sensing devices made are given.
С. П. Тимошенков, В. В. Калугин, С. А. Анчутин, Н. М. Зарянкин, Е. С. Кочурина
Особенности конструкции и технологии изготовления чувствительного элемента микроакселерометра DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.480.483
В статье рассматривается разработанная конструкция чувствительного элемента микроакселерометра. Приведены результаты модального и статического анализа, проведенные методом конечно-элементного анализа. Предложен режим травления глубоких канавок в кремнии с использованием Bosch-процесса. Предложены фотографии изготовленных чувствительных элементов.
Особенности конструкции и технологии изготовления чувствительного элемента микроакселерометра DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.480.483
В статье рассматривается разработанная конструкция чувствительного элемента микроакселерометра. Приведены результаты модального и статического анализа, проведенные методом конечно-элементного анализа. Предложен режим травления глубоких канавок в кремнии с использованием Bosch-процесса. Предложены фотографии изготовленных чувствительных элементов.
A. A. Kovalev, O. Yu. Yakovlev, V. I. Zuev, A. S. Kovalev, Ya. V. Belyaev, S. P. Timoshenkov
Design and technological features of manufacturing micromechanical systems of inertial MEMS sensors The article presents design and technological features of manufacturing inertial MEMS sensors based on the technological platform for direct connection of silicon wafers with SOI structures.
Design and technological features of manufacturing micromechanical systems of inertial MEMS sensors The article presents design and technological features of manufacturing inertial MEMS sensors based on the technological platform for direct connection of silicon wafers with SOI structures.
А. А. Ковалев, О. Ю. Яковлев, В. И. Зуев, А. С. Ковалев, Я. В. Беляев, С. П. Тимошенков
Конструктивно-технологические особенности изготовления микромеханических систем инерциальных МЭМС-датчиков DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.484.490
В статье представлены конструктивные и технологические особенности изготовления инерционных МЭМС-датчиков на основе технологической платформы прямого соединения кремниевых пластин с КНИ-структурами.
Конструктивно-технологические особенности изготовления микромеханических систем инерциальных МЭМС-датчиков DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.484.490
В статье представлены конструктивные и технологические особенности изготовления инерционных МЭМС-датчиков на основе технологической платформы прямого соединения кремниевых пластин с КНИ-структурами.
S. Yu. Ivanov, V. E. Turkov, S. A. Ulyanov
Developing digital control system for microelectromechanical gyroscope with ring resonator The paper highlights principles of control system development for a microelectromechanical gyroscope with ring resonator with unlimited usage of digital technologies. The description of the proposed control system and results of its numerical modeling have been provided. It has been shown that the frequency of drive mode motion can be used for precise temperature measurements. Results of gyroscope testing with automated test bench, which fully confirm the functionality of the developed control system, have been given.
Developing digital control system for microelectromechanical gyroscope with ring resonator The paper highlights principles of control system development for a microelectromechanical gyroscope with ring resonator with unlimited usage of digital technologies. The description of the proposed control system and results of its numerical modeling have been provided. It has been shown that the frequency of drive mode motion can be used for precise temperature measurements. Results of gyroscope testing with automated test bench, which fully confirm the functionality of the developed control system, have been given.
С. Ю. Иванов, В. Е. Турков, С. А. Ульянов
Цифровая система управления гироскопа с кольцевым чувствительным элементом DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.491.493
Рассмотрены принципы разработки системы управления для микроэлектромеханического (МЭМ) гироскопа с кольцевым резонатором с максимально широким применением цифровых технологий. Приведены описание предложенной системы управления и результаты численного моделирования ее работы. Показана возможность использования значения частоты первичных колебаний для высокоточного измерения температуры. Представлены результаты испытаний на автоматизированном испытательном стенде макетного образца гироскопа, полностью подтверждающие работоспособность разработанной цифровой системы управления.
Цифровая система управления гироскопа с кольцевым чувствительным элементом DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.491.493
Рассмотрены принципы разработки системы управления для микроэлектромеханического (МЭМ) гироскопа с кольцевым резонатором с максимально широким применением цифровых технологий. Приведены описание предложенной системы управления и результаты численного моделирования ее работы. Показана возможность использования значения частоты первичных колебаний для высокоточного измерения температуры. Представлены результаты испытаний на автоматизированном испытательном стенде макетного образца гироскопа, полностью подтверждающие работоспособность разработанной цифровой системы управления.
E. F. Pevtsov, A. V. Chuiko, K. A. Grishunin
Simulating solid-state wave gyroscope The paper presents the route of design and technique of simulating a wave solid-state gyroscope with a ring resonator. Simulation of gyroscope characteristics dependences on design data and their optimization for the job of the necessary mode of movement have been executed in particular, resonance frequency of excitation of the second mode. Besides, the paper offers a technique of compensating for mass defects resulting from admissions on technological operations of production of a wave solid-state gyroscope (technological defects) and leading to the shift of initial provision of nodal points.
Simulating solid-state wave gyroscope The paper presents the route of design and technique of simulating a wave solid-state gyroscope with a ring resonator. Simulation of gyroscope characteristics dependences on design data and their optimization for the job of the necessary mode of movement have been executed in particular, resonance frequency of excitation of the second mode. Besides, the paper offers a technique of compensating for mass defects resulting from admissions on technological operations of production of a wave solid-state gyroscope (technological defects) and leading to the shift of initial provision of nodal points.
Е. Ф. Певцов, А. В. Чуйко, К. А. Гришунин
Моделирование волнового твердотельного гироскопа DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.494.501
Разработаны методики моделирования волнового твердотельного гироскопа с кольцевым резонатором. Получены зависимости характеристик гироскопа от конструктивных параметров и предложены способы оптимизации для задания необходимого режима движения, в частности резонансной частоты возбуждения второй моды. Разработана методика компенсации дефектов масс, возникающих в результате допусков на технологические операции изготовления волнового твердотельного гироскопа (технологических дефектов) и приводящих к смещению начального положения узловых точек.
Моделирование волнового твердотельного гироскопа DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.494.501
Разработаны методики моделирования волнового твердотельного гироскопа с кольцевым резонатором. Получены зависимости характеристик гироскопа от конструктивных параметров и предложены способы оптимизации для задания необходимого режима движения, в частности резонансной частоты возбуждения второй моды. Разработана методика компенсации дефектов масс, возникающих в результате допусков на технологические операции изготовления волнового твердотельного гироскопа (технологических дефектов) и приводящих к смещению начального положения узловых точек.
S. Yu. Suzdaltsev, D. Yu. Obizhaev, S. Yu. Ivanov, S. A. Zhukova, V. E. Turkov
Applying silicon wafer direct bonding for creating sealed connector of MEMS sensing devices The paper considers the features of thermal annealing of Si and PECVD SiO2 surfaces which allows achieving high-quality direct bonding. Tentative annealing at 1000 °C and basic annealing at 800 °C of plates with PECVD SiO2 layers lead to high-quality bonding as plates after thermal oxidation.
Applying silicon wafer direct bonding for creating sealed connector of MEMS sensing devices The paper considers the features of thermal annealing of Si and PECVD SiO2 surfaces which allows achieving high-quality direct bonding. Tentative annealing at 1000 °C and basic annealing at 800 °C of plates with PECVD SiO2 layers lead to high-quality bonding as plates after thermal oxidation.
С. Ю. Суздальцев, Д. Ю. Обижаев, С. Ю. Иванов, С. А. Жукова, В. Е. Турков
Применение прямого сращивания кремниевых пластин для формирования вакуумплотных электрических выводов чувствительных элементов МЭМС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.502.505
В настоящем докладе рассмотрены особенности термического отжига поверхностей Si и PECVD SiO2, позволяющего добиться качественного сращивания пластин кремния. Показано, что после применения подготовительного отжига при 1000 °C и основного отжига при 800 °C пластин со слоями PECVD SiO2 качество сращивания сравнимо с пластинами после термического окисления.
Применение прямого сращивания кремниевых пластин для формирования вакуумплотных электрических выводов чувствительных элементов МЭМС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.502.505
В настоящем докладе рассмотрены особенности термического отжига поверхностей Si и PECVD SiO2, позволяющего добиться качественного сращивания пластин кремния. Показано, что после применения подготовительного отжига при 1000 °C и основного отжига при 800 °C пластин со слоями PECVD SiO2 качество сращивания сравнимо с пластинами после термического окисления.
V. V. Amelichev, D. V. Kostyuk, D. V. Vasil’ev, Yu. V. Kazakov, D. A. Zhukov, E. P. Orlov, P. A. Belyakov
Thin-film magnetoresistive microsystems with high steepness of transformation The paper presents the results of the development of thin-film magnetoresistive microsystems with even and odd transfer characteristics. Besides, it considers the prospects of creating highly sensitive microsystems for converting the magnetic field and nonvolatile memory with arbitrary sampling based on the spin-tunnel magnetoresistive effect.
Thin-film magnetoresistive microsystems with high steepness of transformation The paper presents the results of the development of thin-film magnetoresistive microsystems with even and odd transfer characteristics. Besides, it considers the prospects of creating highly sensitive microsystems for converting the magnetic field and nonvolatile memory with arbitrary sampling based on the spin-tunnel magnetoresistive effect.
В. В. Амеличев, Д. В. Костюк, Д. В. Васильев, Ю. В. Казаков, Д. А. Жуков, Е. П. Орлов, П. А. Беляков
Тонкопленочные магниторезистивные микросистемы с высокой крутизной преобразования DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.506.508
Представлены результаты разработки тонкопленочных магниторезистивных микросистем с четной и нечетной передаточной характеристикой. Показаны перспективы создания высокочувствительных микросистем преобразования магнитного поля и энергонезависимой памяти с произвольной выборкой на основе спин-туннельного магниторезистивного эффекта.
Тонкопленочные магниторезистивные микросистемы с высокой крутизной преобразования DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.506.508
Представлены результаты разработки тонкопленочных магниторезистивных микросистем с четной и нечетной передаточной характеристикой. Показаны перспективы создания высокочувствительных микросистем преобразования магнитного поля и энергонезависимой памяти с произвольной выборкой на основе спин-туннельного магниторезистивного эффекта.
S. S. Generalov, V. V. Amelichev, I. V. Godovitsyn, S. A. Polomoshnov, S. V. Nikiforov, D. M. Grigoryev, A. V. Il’kov
Microsystems for transforming acoustic pressure The paper presents the results of development and research on capacitive type acoustic pressure transducers (APT), as well as the main principal specifications of APT capacitor and membranous modules.
Microsystems for transforming acoustic pressure The paper presents the results of development and research on capacitive type acoustic pressure transducers (APT), as well as the main principal specifications of APT capacitor and membranous modules.
С. С. Генералов, В. В. Амеличев, И. В. Годовицын, С. А. Поломошнов, С. В. Никифоров, Д. М. Григорьев, А. В. Ильков
Микросистемы преобразования акустического давления DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.509.510
Представлены результаты разработки и исследований преобразователей акустического давления (ПАД) емкостного типа. Представлены основные технические характеристики емкостных ПАД и мембранных модулей.
Микросистемы преобразования акустического давления DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.509.510
Представлены результаты разработки и исследований преобразователей акустического давления (ПАД) емкостного типа. Представлены основные технические характеристики емкостных ПАД и мембранных модулей.
N. A. Dyuzhev, E. E. Gusev, A. A. Dedkova, P. Yu. Glagolev
Investigating mechanical strength of two-layer SiO2/Si3N4 membranes A study has been made of the mechanical strength of a membrane element. The element is a two-layer structure of silicon oxide and silicon nitride on a silicon substrate. The critical pressure of a circular membrane is experimentally determined for various diameters. The elastic deformation has been shown as well as the distribution of mechanical stresses along the membrane diameter by numerical simulation in the COMSOL program. The area of critical deformation of membrane has been indicated. A comparison of the results of analytical calculation, numerical simulation and experiment has been made.
Investigating mechanical strength of two-layer SiO2/Si3N4 membranes A study has been made of the mechanical strength of a membrane element. The element is a two-layer structure of silicon oxide and silicon nitride on a silicon substrate. The critical pressure of a circular membrane is experimentally determined for various diameters. The elastic deformation has been shown as well as the distribution of mechanical stresses along the membrane diameter by numerical simulation in the COMSOL program. The area of critical deformation of membrane has been indicated. A comparison of the results of analytical calculation, numerical simulation and experiment has been made.
Н. А. Дюжев, Е. Э. Гусев, А. А. Дедкова, П. Ю. Глаголев
Исследование механической прочности двухслойных мембран SiO2/Si3N4 DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.511.514
Проведено исследование механической прочности мембранного элемента, представляющего собой двухслойную структуру из оксида и нитрида кремния на кремниевой подложке. Экспериментально определено критическое давление разрыва круглой мембраны для различных диаметров. Показана упругая деформация. Результаты численного моделирования в среде COMSOL показывают распределение механических напряжений по диаметру мембраны. Указана область разрыва мембраны. Приведено сравнение результатов аналитического расчета, численного моделирования и эксперимента.
Исследование механической прочности двухслойных мембран SiO2/Si3N4 DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.511.514
Проведено исследование механической прочности мембранного элемента, представляющего собой двухслойную структуру из оксида и нитрида кремния на кремниевой подложке. Экспериментально определено критическое давление разрыва круглой мембраны для различных диаметров. Показана упругая деформация. Результаты численного моделирования в среде COMSOL показывают распределение механических напряжений по диаметру мембраны. Указана область разрыва мембраны. Приведено сравнение результатов аналитического расчета, численного моделирования и эксперимента.
D. V. Vertyanov, V. N. Sidorenko, M. M. Burakov, I. A. Belyakov
Technologies of Inter-level Interconnection Formation for Manufacturing 3D Microassemblies The paper considers methods for inter-level interconnection formation in microassemblies using plated through-silicon vias and edge interconnection traces on the compound as well as describes samples of high-density silicon boards. Besides, it presents the results of studies on the processes of compounds plating and laser-induced ablation from the surface of the dielectric.
Technologies of Inter-level Interconnection Formation for Manufacturing 3D Microassemblies The paper considers methods for inter-level interconnection formation in microassemblies using plated through-silicon vias and edge interconnection traces on the compound as well as describes samples of high-density silicon boards. Besides, it presents the results of studies on the processes of compounds plating and laser-induced ablation from the surface of the dielectric.
Д. В. Вертянов, В. Н. Сидоренко, М. М. Бураков, И. А. Беляков
Технологии формирования межуровневой коммутации для изготовления трехмерных микросборок DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.515.526
В статье рассмотрены способы формирования межуровневой коммутации в микросборках с использованием сквозных металлизированных отверстий в кремнии и с помощью торцевых коммутационных дорожек на компаунде. Описаны образцы высокоплотных кремниевых плат. Представлены результаты исследований процессов металлизации компаундов и лазерного испарения металла с поверхности диэлектриков.
Технологии формирования межуровневой коммутации для изготовления трехмерных микросборок DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.515.526
В статье рассмотрены способы формирования межуровневой коммутации в микросборках с использованием сквозных металлизированных отверстий в кремнии и с помощью торцевых коммутационных дорожек на компаунде. Описаны образцы высокоплотных кремниевых плат. Представлены результаты исследований процессов металлизации компаундов и лазерного испарения металла с поверхности диэлектриков.
D. N. Ivanov
Magnetic fi eld transducer with functional integrated structure Изобретение посвящено проблеме создания высокоточных сенсоров магнитного поля с чувствительностью до долей нанотесла. Создание таких приборов резко расширит область их применения, особенно в медицине. Высокая чувствительность и координатное разрешение сенсора достигаются применением функционально-интегрированной структуры в конструкции сенсора и возможностью минимизировать уровень шумов при использовании последовательного соединения цепочек пикселей сенсора магнитного поля.
Magnetic fi eld transducer with functional integrated structure Изобретение посвящено проблеме создания высокоточных сенсоров магнитного поля с чувствительностью до долей нанотесла. Создание таких приборов резко расширит область их применения, особенно в медицине. Высокая чувствительность и координатное разрешение сенсора достигаются применением функционально-интегрированной структуры в конструкции сенсора и возможностью минимизировать уровень шумов при использовании последовательного соединения цепочек пикселей сенсора магнитного поля.
Д. Н. Иванов
Преобразователь магнитного поля с функционально-интегрированной структурой DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.527.529
Изобретение посвящено проблеме создания высокоточных сенсоров магнитного поля с чувствительностью до долей нанотесла. Создание таких приборов резко расширит область их применения, особенно в медицине. Высокая чувствительность и координатное разрешение сенсора достигаются применением функционально-интегрированной структуры в конструкции сенсора и возможностью минимизировать уровень шумов при использовании последовательного соединения цепочек пикселей сенсора магнитного поля.
Преобразователь магнитного поля с функционально-интегрированной структурой DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.527.529
Изобретение посвящено проблеме создания высокоточных сенсоров магнитного поля с чувствительностью до долей нанотесла. Создание таких приборов резко расширит область их применения, особенно в медицине. Высокая чувствительность и координатное разрешение сенсора достигаются применением функционально-интегрированной структуры в конструкции сенсора и возможностью минимизировать уровень шумов при использовании последовательного соединения цепочек пикселей сенсора магнитного поля.
V. A. Butuzov A. E. Nazarenko N. Yu. Dmitriev A. V. Trofi mov E. A. Smirnov T. V. Smirnova Yu. I. Bocharov V. Yu. Prokopyev O. N. Kus
Digital isolator based on integrated transformer The paper presents the results of developing a digital insulator based on an integral transformer. The isolator is realized as a microassembly of a transceiver chip and an integrated transformer. According to the test results, the maximum data transmission rate speed of the developed digital insulator is not less than 30 Mbit/s.
Digital isolator based on integrated transformer The paper presents the results of developing a digital insulator based on an integral transformer. The isolator is realized as a microassembly of a transceiver chip and an integrated transformer. According to the test results, the maximum data transmission rate speed of the developed digital insulator is not less than 30 Mbit/s.
В. А. Бутузов, А. Е. Назаренко, Н. Ю. Дмитриев, А. В. Трофимов, Е. А. Смирнов, Т. В. Смирнова, Ю. И. Бочаров, В. Ю. Прокопьев, О. Н. Кусь
Цифровой изолятор на основе интегрального трансформатора DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.530.534
Представлены результаты разработки цифрового изолятора на основе интегрального трансформатора. Изолятор реализован в виде микросборки, состоящей из кристаллов приемопередатчика и интегрального трансформатора. Согласно результатам испытаний тестовых образцов максимальная скорость передачи данных разработанного цифрового изолятора — не менее 30 Мбит/с.
Цифровой изолятор на основе интегрального трансформатора DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.530.534
Представлены результаты разработки цифрового изолятора на основе интегрального трансформатора. Изолятор реализован в виде микросборки, состоящей из кристаллов приемопередатчика и интегрального трансформатора. Согласно результатам испытаний тестовых образцов максимальная скорость передачи данных разработанного цифрового изолятора — не менее 30 Мбит/с.
N. V. Volkov N. I. Kargin A. S. Timoshenkov
Features of FIB technology application for MEMS nano elements fabrication The paper considers the possibility of using ion raster microscopy (FIB-Focused Ion Beam) as a processing system for the creation of elements of microelectronic mechanical systems (MEMS) on silicon substrates with characteristic dimensions of less than 1 µm.
Features of FIB technology application for MEMS nano elements fabrication The paper considers the possibility of using ion raster microscopy (FIB-Focused Ion Beam) as a processing system for the creation of elements of microelectronic mechanical systems (MEMS) on silicon substrates with characteristic dimensions of less than 1 µm.
Н. В. Волков, Н. И. Каргин, А. С. Тимошенков
Особенности применения FIB-технологии для изготовления наноэлементов МЭМС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.535.538
В работе рассмотрены возможности применения методов ионной растровой микроскопии (FIB — Focused Ion Beam) в качестве обрабатывающей системы для создания элементов микроэлектронных механических систем (МЭМС) на кремниевых подложках с характерными размерами менее 1 мкм.
Особенности применения FIB-технологии для изготовления наноэлементов МЭМС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.535.538
В работе рассмотрены возможности применения методов ионной растровой микроскопии (FIB — Focused Ion Beam) в качестве обрабатывающей системы для создания элементов микроэлектронных механических систем (МЭМС) на кремниевых подложках с характерными размерами менее 1 мкм.
V. F. Tupikin Yu. V. Gerasimenko A. S. Ermakova N. V. Komarov V. N. Komarov A. I. Sergienko
Technological features of technochemical wafer processing in technological process of manufacturing MEMS and microassemblies and promising design solutions for their implementation The paper considers features of bulk and surface chemical processing of plates and the formation of a photoresist mask in the creation of MEMS. The requirements for technological equipment have been determined. The design solutions of special technological equipment for manufacturing MEMS have been presented.
Technological features of technochemical wafer processing in technological process of manufacturing MEMS and microassemblies and promising design solutions for their implementation The paper considers features of bulk and surface chemical processing of plates and the formation of a photoresist mask in the creation of MEMS. The requirements for technological equipment have been determined. The design solutions of special technological equipment for manufacturing MEMS have been presented.
В. Ф. Тупикин, Ю. В. Герасименко, А. С. Ермакова, Н. В. Комаров, В. Н. Комаров, А. И. Сергиенко
Технологические особенности технохимической обработки пластин в технологическом процессе изготовления МЭМС и микросборок и перспективные конструктивные решения для их реализации DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.539.542
Рассмотрены особенности процессов объемной и поверхностной химической обработки пластин и формирование фоторезистивной маски при создании МЭМС. Определены требования, предъявляемые к технологическому оборудованию. Представлены конструктивные решения специального технологического оборудования для изготовлении МЭМС.
Технологические особенности технохимической обработки пластин в технологическом процессе изготовления МЭМС и микросборок и перспективные конструктивные решения для их реализации DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.539.542
Рассмотрены особенности процессов объемной и поверхностной химической обработки пластин и формирование фоторезистивной маски при создании МЭМС. Определены требования, предъявляемые к технологическому оборудованию. Представлены конструктивные решения специального технологического оборудования для изготовлении МЭМС.
I. M. Malay V. P. Timoshenkov A. M. Rulev
On the necessity of creating microwave power measurement tools based on MEMS technology The paper highlights the necessity of creating microwave power measurement tools based on microelectromechanical systems technology. Besides, it considers methodical steps for research to identify options for designing a microwave power sensor, as well as prospects for manufacturing experimental samples.
On the necessity of creating microwave power measurement tools based on MEMS technology The paper highlights the necessity of creating microwave power measurement tools based on microelectromechanical systems technology. Besides, it considers methodical steps for research to identify options for designing a microwave power sensor, as well as prospects for manufacturing experimental samples.
И. М. Малай, В. П. Тимошенков, А. М. Рулев
О необходимости создания средств измерений мощности СВЧ на базе технологии МЭМС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.543.545
Обозначена необходимость создания средств измерений мощности СВЧ на базе технологии микроэлектромеханических систем. Рассмотрены методические шаги по проведению исследований в целях выявления вариантов конструкции датчика мощности СВЧ. Рассмотрена возможность изготовления экспериментальных образцов.
О необходимости создания средств измерений мощности СВЧ на базе технологии МЭМС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.543.545
Обозначена необходимость создания средств измерений мощности СВЧ на базе технологии микроэлектромеханических систем. Рассмотрены методические шаги по проведению исследований в целях выявления вариантов конструкции датчика мощности СВЧ. Рассмотрена возможность изготовления экспериментальных образцов.
A. N. Boyko L. R. Boev S. P. Timoshenkov A. V. Brykin
Studying activation process of TiV getter films The paper presents the results of studying thermal activation influence on the elemental composition of Ti-V getter films. It has been shown that heating of the samples is accompanied by diffusion of oxygen deep into the solid and decrease in oxygen surface concentration. The results of the work can be used to create getters based on Ti-V alloy.
Studying activation process of TiV getter films The paper presents the results of studying thermal activation influence on the elemental composition of Ti-V getter films. It has been shown that heating of the samples is accompanied by diffusion of oxygen deep into the solid and decrease in oxygen surface concentration. The results of the work can be used to create getters based on Ti-V alloy.
А. Н. Бойко, Л. Р. Боев, С. П. Тимошенков, А. В. Брыкин
Исследование процесса активации газопоглощающих пленок Ti-V DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.546.548
Представлены результаты исследований влияния термической активации на элементный состав газопоглощающих пленок Ti-V. Показано, что нагрев образцов сопровождается диффузией кислорода вглубь материала и снижением концентрации кислорода на поверхности. Результаты работы могут быть использованы при создании газопоглощающих материалов на основе сплава Ti-V.
Исследование процесса активации газопоглощающих пленок Ti-V DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.546.548
Представлены результаты исследований влияния термической активации на элементный состав газопоглощающих пленок Ti-V. Показано, что нагрев образцов сопровождается диффузией кислорода вглубь материала и снижением концентрации кислорода на поверхности. Результаты работы могут быть использованы при создании газопоглощающих материалов на основе сплава Ti-V.
L. I. Dolgovykh A. I. Vinogradov N. M. Zaryankin M. S. Mikhailova A. V. Brykin
Features of eutectic bonding MEMS technology The paper presents the process of eutectic silicon wafers bonding using a thin gold layer deposited on one of bonding wafers. When testing samples after the process, there occurred the problem of uneven gold distribution across the substrate. To avoid the gold spreading effect after bonding, a damping air clamp has been developed.
Features of eutectic bonding MEMS technology The paper presents the process of eutectic silicon wafers bonding using a thin gold layer deposited on one of bonding wafers. When testing samples after the process, there occurred the problem of uneven gold distribution across the substrate. To avoid the gold spreading effect after bonding, a damping air clamp has been developed.
Л. И. Долговых, А. И. Виноградов, Н. М. Зарянкин, М. С. Михайлова, А. В. Брыкин
Особенности технологии эвтектического сращивания МЭМС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.549.550
Для сращивания кремниевых пластин в данной работе использовался процесс эвтектической пайки через напыленный на одну из сращиваемых пластин тонкий слой золота. При проверке образцов после процесса была обнаружена проблема неравномерного распределения золота по пластине. Чтобы избежать эффекта расползания золота по пластине в процессе сращивания, была разработана демпфирующая воздушная подушка.
Особенности технологии эвтектического сращивания МЭМС DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.549.550
Для сращивания кремниевых пластин в данной работе использовался процесс эвтектической пайки через напыленный на одну из сращиваемых пластин тонкий слой золота. При проверке образцов после процесса была обнаружена проблема неравномерного распределения золота по пластине. Чтобы избежать эффекта расползания золота по пластине в процессе сращивания, была разработана демпфирующая воздушная подушка.
G. V. Prokofiev V. G. Stakhin M. A. Kosolapov
Developing a specialized microcircuit for magnetic precision position sensor based on multipolar magnetic technology The article presents the development of an absolute position sensor using a multipolar two-track magnetic system and a specialized signal processing chip. The sensor design is based on the nonius principle of obtaining the absolute position code from the magnetic sensor system on the Hall effect with tracking angle-code converters. The results of studying the developed system model have been presented, confirming its operability.
Developing a specialized microcircuit for magnetic precision position sensor based on multipolar magnetic technology The article presents the development of an absolute position sensor using a multipolar two-track magnetic system and a specialized signal processing chip. The sensor design is based on the nonius principle of obtaining the absolute position code from the magnetic sensor system on the Hall effect with tracking angle-code converters. The results of studying the developed system model have been presented, confirming its operability.
Г. В. Прокофьев, В. Г. Стахин, М. А. Косолапов
Разработка специализированной микросхемы магнитного прецизионного датчика положения на основе многополюсной магнитной технологии DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.551.555
В статье представлена разработка абсолютного датчика положения с использованием многополюсной двухтрековой магнитной системы и специализированной микросхемы обработки сигнала. Конструкция датчика основывается на нониусном принципе получения кода абсолютного положения от магнитной сенсорной системы на эффекте Холла со следящими преобразователями угол-код. Представлены результаты исследования макета разработанной системы, которые подтвердили ее работоспособность.
Разработка специализированной микросхемы магнитного прецизионного датчика положения на основе многополюсной магнитной технологии DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.551.555
В статье представлена разработка абсолютного датчика положения с использованием многополюсной двухтрековой магнитной системы и специализированной микросхемы обработки сигнала. Конструкция датчика основывается на нониусном принципе получения кода абсолютного положения от магнитной сенсорной системы на эффекте Холла со следящими преобразователями угол-код. Представлены результаты исследования макета разработанной системы, которые подтвердили ее работоспособность.
D. A. Dudarev S. P. Panasenko
Remote monitoring and control module for Elbrus servers The paper describes a system of remote monitoring and control for Elbrus servers. The system is based on a hardware module that combines both functions of remote monitoring and management of computers, and the ability to provide high levels of protection against unauthorized connection to the servers.
Remote monitoring and control module for Elbrus servers The paper describes a system of remote monitoring and control for Elbrus servers. The system is based on a hardware module that combines both functions of remote monitoring and management of computers, and the ability to provide high levels of protection against unauthorized connection to the servers.
Д. А. Дударев, С. П. Панасенко
Модуль дистанционного мониторинга и управления для серверов «Эльбрус» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.556.559
В докладе описана система дистанционного мониторинга и управления для серверов «Эльбрус», основанная на применении аппаратного модуля, сочетающего в себе как функции по дистанционному мониторингу и управлению средствами вычислительной техники, так и возможности по обеспечению надлежащего качества защиты от несанкционированного подключения к серверу.
Модуль дистанционного мониторинга и управления для серверов «Эльбрус» DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.556.559
В докладе описана система дистанционного мониторинга и управления для серверов «Эльбрус», основанная на применении аппаратного модуля, сочетающего в себе как функции по дистанционному мониторингу и управлению средствами вычислительной техники, так и возможности по обеспечению надлежащего качества защиты от несанкционированного подключения к серверу.
V. M. Achildiev M. A. Basarab N. A. Bedro V. A. Soldatenkov Yu. K. Gruzevich Yu. N. Evseeva N. S. Konnova A. D. Levkovich V. M. Uspensky
Electroseismocardiography system consisting of a high-resolution electrocardiograph and a seismocardiography system based on micromechanical sensors An electroseismocardiography system has been developed that allows simultaneous measurement of the electrocardiograms parameters and seismic cardiograms. The algorithm of the electroseismocardio system operation has been developed. Experiments and analysis of the obtained results have been carried out.
Electroseismocardiography system consisting of a high-resolution electrocardiograph and a seismocardiography system based on micromechanical sensors An electroseismocardiography system has been developed that allows simultaneous measurement of the electrocardiograms parameters and seismic cardiograms. The algorithm of the electroseismocardio system operation has been developed. Experiments and analysis of the obtained results have been carried out.
В. М. Ачильдиев М. А. Басараб Н. А. Бедро В. А. Солдатенков Ю. К. Грузевич Ю. Н. Евсеева Н. С. Коннова А. Д. Левкович В. М. Успенский
Электросейсмокардиоблок, в составе которого электрокардиоблок высокого разрешения и сейсмокардиоблок на основе микромеханических датчиков DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.560.568
Разработан электросейсмокардиоблок, позволяющий производить одновременное измерение параметров электрокардиосигналов и сейсмокардиосигналов. Разработан алгоритм работы электросейсмокардиоблока. Проведены эксперименты и анализ полученных результатов.
Электросейсмокардиоблок, в составе которого электрокардиоблок высокого разрешения и сейсмокардиоблок на основе микромеханических датчиков DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.560.568
Разработан электросейсмокардиоблок, позволяющий производить одновременное измерение параметров электрокардиосигналов и сейсмокардиосигналов. Разработан алгоритм работы электросейсмокардиоблока. Проведены эксперименты и анализ полученных результатов.
V. A. Soldatenkov Yu. K. Gruzevich V. M. Achildiev V. A. Esakov N. A. Bedro M. N. Komarova A. D. Levkovich
Some features of micromechanical accelerometers errors identifi cation inside microvibration sensor and cardioseismometer unit The report is devoted to peculiarities of error identification of microelectromechanical accelerometers in the microvibration sensor and cardioseismometer unit. The experimental research data and achieved results have been provided.
Some features of micromechanical accelerometers errors identifi cation inside microvibration sensor and cardioseismometer unit The report is devoted to peculiarities of error identification of microelectromechanical accelerometers in the microvibration sensor and cardioseismometer unit. The experimental research data and achieved results have been provided.
В. А. Солдатенков Ю. К. Грузевич В. М. Ачильдиев В. А. Есаков Н. А. Бедро М. Н. Комарова А. Д. Левкович
Некоторые особенности идентификации погрешностей микромеханических акселерометров в составе датчика микровибрации и сейсмокардиоблока DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.569.576
Доклад посвящен особенностям идентификации погрешностей микромеханических акселерометров в составе датчика микровибрации и сейсмокардиоблока. Приведены результаты экспериментальных исследований и показаны достигнутые результаты.
Некоторые особенности идентификации погрешностей микромеханических акселерометров в составе датчика микровибрации и сейсмокардиоблока DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.569.576
Доклад посвящен особенностям идентификации погрешностей микромеханических акселерометров в составе датчика микровибрации и сейсмокардиоблока. Приведены результаты экспериментальных исследований и показаны достигнутые результаты.
Yu. M. Kernasovskiy I. A. Taratyn D. S. Ryzhkovskaya R. F. Chakukov S. A. Fılatov G. S. Kuchınskıı E. V. Batyrev
Developing the design and manufacturing techniques for test sensitive element of thermal stream sensor based on Seebeck’s effect The paper presents design and manufacturing techniques for a test sensitive element of thermal stream sensor based on Seebeck’s effect as well as measurements of integrated optical characteristics of the passivating covering absorption and reflection in the spectral range of 0.1–14.0 microns.
Developing the design and manufacturing techniques for test sensitive element of thermal stream sensor based on Seebeck’s effect The paper presents design and manufacturing techniques for a test sensitive element of thermal stream sensor based on Seebeck’s effect as well as measurements of integrated optical characteristics of the passivating covering absorption and reflection in the spectral range of 0.1–14.0 microns.
Ю. М. Кернасовский И. А. Таратын Д. С. Рыжковская Р. Ф. Чакуков С. А. Филатов Г. С. Кучинский Е. В. Батырев
Разработка конструкции и технологии изготовления тестового чувствительного элемента датчика теплового потока на основе эффекта Зеебека DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.577.578
Разработана конструкция и технология изготовления тестового чувствительного элемента датчика теплового потока на основе эффекта Зеебека. Проведены измерения интегральных оптических характеристик поглощения и отражения пассивирующего покрытия в спектральном диапазоне 0,1–14,0 мкм.
Разработка конструкции и технологии изготовления тестового чувствительного элемента датчика теплового потока на основе эффекта Зеебека DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.577.578
Разработана конструкция и технология изготовления тестового чувствительного элемента датчика теплового потока на основе эффекта Зеебека. Проведены измерения интегральных оптических характеристик поглощения и отражения пассивирующего покрытия в спектральном диапазоне 0,1–14,0 мкм.
A. S. Timoshenkov
Trends in modern inertial micromechanical sensors development The paper describes the results of research and development of inertial MEMS, analyzing their key advantages and opportunities. The analytical substantiation of ultimate mechanical strength of the mentioned devices has been given.
Trends in modern inertial micromechanical sensors development The paper describes the results of research and development of inertial MEMS, analyzing their key advantages and opportunities. The analytical substantiation of ultimate mechanical strength of the mentioned devices has been given.
А. С. Тимошенков
Тенденции в развитии современных инерциальных микромеханических датчиков DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.579.581
В работе описаны результаты разработки, исследований и внедрения на рынок перспективных инерциальных МЭМС отечественного производства. Проанализированы ключевые преимущества и возможности, которыми могут обладать микромеханические датчики. Дано аналитическое обоснование предельной механической прочности, стойкости и точности упомянутых приборов.
Тенденции в развитии современных инерциальных микромеханических датчиков DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.579.581
В работе описаны результаты разработки, исследований и внедрения на рынок перспективных инерциальных МЭМС отечественного производства. Проанализированы ключевые преимущества и возможности, которыми могут обладать микромеханические датчики. Дано аналитическое обоснование предельной механической прочности, стойкости и точности упомянутых приборов.
T. V. Krishtop S. V. Kokhanovsky P. V. Dudkin D. A. Zhevnenko A. S. Zlobin A. Yu. Belyaev V. G. Krishtop
Precision hydrophone based on electrochemical pressure transducer The paper highlights a new prototype of a high-precision hydrophone based on an electrochemical planar-type transducer. We have developed a new planar electrochemical microchip and designed a mechanical system that allows detecting the variable pressure at low frequencies up to 0.01 Hz. The developed sensing element can become the basis for the new generation of acoustic pressure receivers, vector acoustic receivers and sound pressure gradient loggers.
Precision hydrophone based on electrochemical pressure transducer The paper highlights a new prototype of a high-precision hydrophone based on an electrochemical planar-type transducer. We have developed a new planar electrochemical microchip and designed a mechanical system that allows detecting the variable pressure at low frequencies up to 0.01 Hz. The developed sensing element can become the basis for the new generation of acoustic pressure receivers, vector acoustic receivers and sound pressure gradient loggers.
Т. В. Криштоп С. В. Кохановский П. В. Дудкин Д. А. Жевненко А. С. Злобин А. Ю. Беляев В. Г. Криштоп
Высокоточный гидрофон на основе электрохимического преобразователя давления DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.582.585
В данной работе мы демонстрируем прототип высокоточного гидрофона, построенный на основе электрохимического преобразователя планарного типа. Мы разработали новый планарный электрохимический микрочип и придумали механическую систему, позволяющую регистрировать переменное давление при низких частотах вплоть до 0,01 Гц.
Высокоточный гидрофон на основе электрохимического преобразователя давления DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.582.585
В данной работе мы демонстрируем прототип высокоточного гидрофона, построенный на основе электрохимического преобразователя планарного типа. Мы разработали новый планарный электрохимический микрочип и придумали механическую систему, позволяющую регистрировать переменное давление при низких частотах вплоть до 0,01 Гц.
N. N. Egorov S. A. Golubkov S. D. Fedotov V. N. Statsenko A. A. Romanov V. A. Metlov
Studying electron mobility and volt-ampere characteristics of fi eld-eff ect transistors depending on structural and electrophysical characteristics of ultrathin silicon on sapphire The paper presents a comparison of crystalline quality between domestic fabricated and imported SOS wafers. The wafers were produced by CVD and improved by solid phase epitaxial regrowth (SPER) process with thinning. The XRD measurement of ultrathin (≤100 nm) SOS 6 inch wafers revealed Si(400) diffraction peaks with FWHM of ~0.27° for domestic and FWHM ~0.30° for imported wafers. RHEED and TEM measurements have shown the absence of micro-twins reflexes and reduction in the defect density by more than 2 orders of magnitude for ultrathin SOS after SPER with Si+ implantation. Besides, it was revealed that the utilization of SPER leads to an increase in electron mobility >50 % as compared to standard CVD SOS wafer. However, the increase in carrier concentration in Si-layer up to ~3.13 · 1012 cm−2 leads to a fall in electron mobility down to ~150–160 cm2/W∙s. Threshold voltage of MOSFETs (n-channel) has shown slight dependence on the level of carrier concentration and varied in the range of 0.25–0.75 W.
Studying electron mobility and volt-ampere characteristics of fi eld-eff ect transistors depending on structural and electrophysical characteristics of ultrathin silicon on sapphire The paper presents a comparison of crystalline quality between domestic fabricated and imported SOS wafers. The wafers were produced by CVD and improved by solid phase epitaxial regrowth (SPER) process with thinning. The XRD measurement of ultrathin (≤100 nm) SOS 6 inch wafers revealed Si(400) diffraction peaks with FWHM of ~0.27° for domestic and FWHM ~0.30° for imported wafers. RHEED and TEM measurements have shown the absence of micro-twins reflexes and reduction in the defect density by more than 2 orders of magnitude for ultrathin SOS after SPER with Si+ implantation. Besides, it was revealed that the utilization of SPER leads to an increase in electron mobility >50 % as compared to standard CVD SOS wafer. However, the increase in carrier concentration in Si-layer up to ~3.13 · 1012 cm−2 leads to a fall in electron mobility down to ~150–160 cm2/W∙s. Threshold voltage of MOSFETs (n-channel) has shown slight dependence on the level of carrier concentration and varied in the range of 0.25–0.75 W.
Н. Н. Егоров С. А. Голубков С. Д. Федотов В. Н. Стаценко А. А. Романов В. А. Метлов
Изучение подвижности электронов и ВАХ полевых транзисторов в зависимости от структурных и электрофизических характеристик ультратонкого кремния на сапфире DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.586.590
Представлено сравнение характеристик гетероэпитаксиальных структур КНС (производства РФ и импортных) д. 150 мм до и после процедуры твердофазной рекристаллизации слоя Si. Получены ультратонкие (≤100 нм) рекристаллизованные слои Si (400) на сапфире со значением FWHM ~0,27° (РФ) и FWHM ~0,30° (импорт). Результаты электронографии и ПЭМ показали отсутствие рефлексов от двойников и снижение объемной плотности дефектов более чем на два порядка для ультратонкого КНС после процедур имплантации Si+ и твердофазной рекристаллизации. Контроль подвижности электронов n-канальных тестовых транзисторов на ультратонком КНС показал, что применение метода твердофазной рекристаллизации позволяет увеличить подвижность в канале на >50 % относительно стандартных структур. Обнаружено, что при возрастании концентрации носителей до ~3,13 · 1012 см−2 подвижность электронов падает до ~150–160 см2/В∙с, а пороговое напряжение n-канального транзистора меняется в диапазоне 0,25–0,75 В, причем ток открытого состояния слабо зависит от уровня легирования.
Изучение подвижности электронов и ВАХ полевых транзисторов в зависимости от структурных и электрофизических характеристик ультратонкого кремния на сапфире DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.586.590
Представлено сравнение характеристик гетероэпитаксиальных структур КНС (производства РФ и импортных) д. 150 мм до и после процедуры твердофазной рекристаллизации слоя Si. Получены ультратонкие (≤100 нм) рекристаллизованные слои Si (400) на сапфире со значением FWHM ~0,27° (РФ) и FWHM ~0,30° (импорт). Результаты электронографии и ПЭМ показали отсутствие рефлексов от двойников и снижение объемной плотности дефектов более чем на два порядка для ультратонкого КНС после процедур имплантации Si+ и твердофазной рекристаллизации. Контроль подвижности электронов n-канальных тестовых транзисторов на ультратонком КНС показал, что применение метода твердофазной рекристаллизации позволяет увеличить подвижность в канале на >50 % относительно стандартных структур. Обнаружено, что при возрастании концентрации носителей до ~3,13 · 1012 см−2 подвижность электронов падает до ~150–160 см2/В∙с, а пороговое напряжение n-канального транзистора меняется в диапазоне 0,25–0,75 В, причем ток открытого состояния слабо зависит от уровня легирования.
D. A. Zhevnenko E. S. Gornev V. O. Kuzmenko P. V. Dudkin S. N. Zhabin T. V. Krishtop V. G. Krishtop
Studying electromigration and total harmonic distortion in planar electrochemical transducers The paper highlights electromigration influence on main characteristics of planar electrochemical systems with different parameters. The transporting processes have been simulated, current–voltage characteristic, transfer function and THD have been calculated, and quantitative estimates of the magnitude of the asymmetric electromigration flow and its effect on the nonlinearity coefficient of the system have been obtained.
Studying electromigration and total harmonic distortion in planar electrochemical transducers The paper highlights electromigration influence on main characteristics of planar electrochemical systems with different parameters. The transporting processes have been simulated, current–voltage characteristic, transfer function and THD have been calculated, and quantitative estimates of the magnitude of the asymmetric electromigration flow and its effect on the nonlinearity coefficient of the system have been obtained.
Д. А. Жевненко Е. С. Горнев В. О. Кузьменко П. В. Дудкин С. Н. Жабин Т. В. Криштоп В. Г. Криштоп
Влияние электромиграции на коэффициент нелинейных искажений планарных электрохимических преобразователей DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.591.595
Исследовано влияние электромиграции на основные характеристики планарных электрохимических систем различных геометрий. Смоделированы процессы переноса в электрохимическом преобразователе, вычислены ВАХ, АЧХ и КНИ системы, получены количественные оценки величины несимметричного электромиграционного потока и его влияние на коэффициент нелинейности системы.
Влияние электромиграции на коэффициент нелинейных искажений планарных электрохимических преобразователей DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.591.595
Исследовано влияние электромиграции на основные характеристики планарных электрохимических систем различных геометрий. Смоделированы процессы переноса в электрохимическом преобразователе, вычислены ВАХ, АЧХ и КНИ системы, получены количественные оценки величины несимметричного электромиграционного потока и его влияние на коэффициент нелинейности системы.
I. E. Lysenko O. A. Ezhova
Three-axis micromechanical accelerometer in single-chip design with a range of measured linear accelerations ±10 g The papaer highlights an original design of an accelerometer with three axes of sensitivity, as well as a mathematical model of the proposed sensor. Besides, simulation of its operation has been performed. An experimental sample has been manufactured and tested.
Three-axis micromechanical accelerometer in single-chip design with a range of measured linear accelerations ±10 g The papaer highlights an original design of an accelerometer with three axes of sensitivity, as well as a mathematical model of the proposed sensor. Besides, simulation of its operation has been performed. An experimental sample has been manufactured and tested.
И. Е. Лысенко О. А. Ежова
Трехосевой микромеханический акселерометр в однокристальном исполнении с диапазоном измеряемых линейных ускорений ±10 g DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.596.598
Разработана оригинальная конструкция акселерометра с тремя осями чувствительности. Разработана математическая модель предложенного сенсора. Выполнено моделирование работы. Изготовлен и исследован экспериментальный образец.
Трехосевой микромеханический акселерометр в однокристальном исполнении с диапазоном измеряемых линейных ускорений ±10 g DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.596.598
Разработана оригинальная конструкция акселерометра с тремя осями чувствительности. Разработана математическая модель предложенного сенсора. Выполнено моделирование работы. Изготовлен и исследован экспериментальный образец.
D. A. Zhevnenko E. S. Gornev V. O. Kuzmenko S. V. Kokhanovsky P. V. Dudkin S. N. Zhabin V. G. Krishtop
Studying the electrochemical part of the electrochemical transducer transfer function The paper deals with studying the electrochemical part of the transfer function of the electrochemical transducer, simulating the transducing processes, processing the mechanical signal in time and calculating the electrochemical part of the transfer function of the electrochemical transducer with grid electrodes. We have set up an experiment for the direct measurement of the electrochemical part of the transfer function of the electrochemical transducer with grid electrodes, and a good agreement between the calculations and experiment has been obtained.
Studying the electrochemical part of the electrochemical transducer transfer function The paper deals with studying the electrochemical part of the transfer function of the electrochemical transducer, simulating the transducing processes, processing the mechanical signal in time and calculating the electrochemical part of the transfer function of the electrochemical transducer with grid electrodes. We have set up an experiment for the direct measurement of the electrochemical part of the transfer function of the electrochemical transducer with grid electrodes, and a good agreement between the calculations and experiment has been obtained.
Д. А. Жевненко Е. С. Горнев В. О. Кузьменко С. В. Кохановский П. В. Дудкин С. Н. Жабин В. Г. Криштоп
Исследование электрохимической части передаточной функции электрохимического преобразователя DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.599.603
Исследована электрохимическая часть передаточной функции электрохимического преобразователя, смоделированы процессы преобразования в электрохимическом преобразователе, показаны процессы обработки механического сигнала во времени и рассчитана электрохимическая часть передаточной функции электрохимического преобразователя с сетчатыми электродами. Проведен эксперимент по прямому измерению электрохимической передаточной функции электрохимического преобразователя с сетчатыми электродами и получено хорошее согласие расчетов с экспериментом.
Исследование электрохимической части передаточной функции электрохимического преобразователя DOI: 10.22184/NanoRus.2019.12.89.599.603
Исследована электрохимическая часть передаточной функции электрохимического преобразователя, смоделированы процессы преобразования в электрохимическом преобразователе, показаны процессы обработки механического сигнала во времени и рассчитана электрохимическая часть передаточной функции электрохимического преобразователя с сетчатыми электродами. Проведен эксперимент по прямому измерению электрохимической передаточной функции электрохимического преобразователя с сетчатыми электродами и получено хорошее согласие расчетов с экспериментом.