eng
Просмотры: 869
10.10.2023
В течение 2022–23 гг. практически все правительства стран с высоким уровнем развития микроэлектронных технологий объявили о существенных бюджетных вложениях в развитие отрасли. Начало этому положил «Закон о чипах» США, подписанный президентом в 2022 году.
Закон предусматривает общие расходы в объеме 280 млрд долл., 52 млрд из которых будут потрачены на субсидии для производителей чипов. Следом Япония объявила о выделении на эти цели 13,4 млрд долл. Тайвань в лице TSMC и Корея в лице Samsungи SKHynix, судя по фактам и планам развития технологий и строительства новых фабрик, также инвестируют десятки миллиардов долларов. Индия при практически полном отсутствии производства микроэлектроники планирует построить фабрику и запустить производство интегральных схем, привлекая зарубежные компании и планируя более 10 млрд долл. из бюджета на эти цели. В Китае только за 2021-22 гг. в развитие микроэлектроники инвестировано 290 млрд долл. Возможности России ограничены, но и очевидно также, что сегодня мы наблюдаем «взрывной рост» финансирования отрасли, осуществляемый государством со стороны Минпромторга России и Фонда перспективных исследований, к которым присоединяется Российский научный фонд. Количество и объемы финансирования НИР и ОКР, уже реализуемых и запланированных до 2030 года, беспрецедентно для России. Каких результатов ожидаем? Какие технологии и производства освоим? Об этом пойдет разговор на заседании круглого стола «Проблемы и пути развития отечественных технологий и производств микроэлектроники и оптоэлектроники в современных условиях».
Многократное увеличение объемов госфинансирования развития отрасли должно способствовать, по задумке распорядителей финансов, достижению показателей «Стратегии развития электронной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года». Но все ли компании способны грамотно распорядиться деньгами? Заместитель министра промышленности и торговли Российской Федерации Василий Викторович Шпак недавно говорил, что деньги надо правильно и грамотно инвестировать в тех, кто в состоянии их трансформировать в продукт.
В России нет полного цикла производства многих важных типов микроэлектронных и высокоскоростных фотонных устройств. Поэтому для обеспечения технологической независимости нашей страны крайне важна организация собственного производства компонентов микроэлектроники и фотоники. Важно обеспечить гарантии для формирования долгосрочного спроса на отечественную оптоэлектронную продукцию внутри России.
Слияние оптического диапазона с радиодиапазоном в устройствах радиофотоники является ярким примером рождения нового направления, объединяющего технологии микроэлектроники и оптоэлектроники. Воспроизводимость рабочих параметров таких изделий связана, прежде всего, с повторяемостью технологических процессов создания структур, что определяется зрелостью технологии роста. Необходимо синхронизировать работы, проводимые разными компаниями.
Образцом такой синхронизации является изменение материаловедческих трендов в производстве охлаждаемых ИК-фотоприемников. В конце 90-х годов для разработки оптоэлектронных изделий использовался широкий перечень фоточувствительных материалов: примесный кремний, силициды платины, халькогениды свинца-олова, узкозонные твердые растворы InAsSb, HgCdTe, фотоприемные структуры на квантовых ямах и множество других. Синхронизация работ привела к тому, что сегодня список используемых материалов сократился фактически до четырех основных технологий: 1) технологии твердых растворов HgCdTe; 2) технологии соединений InGaAs; 3) технологии квантоворазмерных структур на квантовых ямах (QWIP) и продолжения ее развития – технологии структур с квантовыми точками (QDIP); 4) технологии сверхрешеток 2-го рода (СР2Р или T2SL) в системе InAs / GaSb.
Старт обсуждению вопросов потребностей и перспектив развития технологий оптоэлектроники даст генеральный директор ГНЦ НПО «Орион» Вадим Старцев.
Отсутствие достаточного количества производственных мощностей, которые могли бы позволить России выпускать собственную гражданскую микроэлектронику, может быть компенсировано за счет организации кооперационного сотрудничества в сфере производства микроэлектронной продукции в странах ЕАЭС. Год назад коллегия Евразийской экономической комиссии приняла рекомендацию о развитии кооперационного сотрудничества государств Евразийского экономического союза в сфере производства микроэлектроники. На заседании круглого стола планируется обсуждение основных направлений развития и перспектив такого сотрудничества, а также выступление заместителя директора департамента промышленной политики ЕЭК Николая Рогожника.
На заседании круглого стола представители ведущих российских производителей микро- и оптоэлектроники представят информацию по реализуемым ими НИОКРам по контрактам Минпромторга России и проектам Фонда перспективных исследований, а также достигнутые и ожидаемые результаты по ним. Мероприятие носит не только технический, но и экономический характер и внесет дискуссионные темы при обсуждении докладов.
Время проведения круглого стола секции №4 «Проблемы и пути развития отечественных технологий и производств микроэлектроники и оптоэлектроники в современных условиях»:
12 октября 2023
15:00-16:30
Зал 4
Модератор:
Шелепин Николай Алексеевич, ИНМЭ РАН
Многократное увеличение объемов госфинансирования развития отрасли должно способствовать, по задумке распорядителей финансов, достижению показателей «Стратегии развития электронной промышленности Российской Федерации на период до 2030 года». Но все ли компании способны грамотно распорядиться деньгами? Заместитель министра промышленности и торговли Российской Федерации Василий Викторович Шпак недавно говорил, что деньги надо правильно и грамотно инвестировать в тех, кто в состоянии их трансформировать в продукт.
В России нет полного цикла производства многих важных типов микроэлектронных и высокоскоростных фотонных устройств. Поэтому для обеспечения технологической независимости нашей страны крайне важна организация собственного производства компонентов микроэлектроники и фотоники. Важно обеспечить гарантии для формирования долгосрочного спроса на отечественную оптоэлектронную продукцию внутри России.
Слияние оптического диапазона с радиодиапазоном в устройствах радиофотоники является ярким примером рождения нового направления, объединяющего технологии микроэлектроники и оптоэлектроники. Воспроизводимость рабочих параметров таких изделий связана, прежде всего, с повторяемостью технологических процессов создания структур, что определяется зрелостью технологии роста. Необходимо синхронизировать работы, проводимые разными компаниями.
Образцом такой синхронизации является изменение материаловедческих трендов в производстве охлаждаемых ИК-фотоприемников. В конце 90-х годов для разработки оптоэлектронных изделий использовался широкий перечень фоточувствительных материалов: примесный кремний, силициды платины, халькогениды свинца-олова, узкозонные твердые растворы InAsSb, HgCdTe, фотоприемные структуры на квантовых ямах и множество других. Синхронизация работ привела к тому, что сегодня список используемых материалов сократился фактически до четырех основных технологий: 1) технологии твердых растворов HgCdTe; 2) технологии соединений InGaAs; 3) технологии квантоворазмерных структур на квантовых ямах (QWIP) и продолжения ее развития – технологии структур с квантовыми точками (QDIP); 4) технологии сверхрешеток 2-го рода (СР2Р или T2SL) в системе InAs / GaSb.
Старт обсуждению вопросов потребностей и перспектив развития технологий оптоэлектроники даст генеральный директор ГНЦ НПО «Орион» Вадим Старцев.
Отсутствие достаточного количества производственных мощностей, которые могли бы позволить России выпускать собственную гражданскую микроэлектронику, может быть компенсировано за счет организации кооперационного сотрудничества в сфере производства микроэлектронной продукции в странах ЕАЭС. Год назад коллегия Евразийской экономической комиссии приняла рекомендацию о развитии кооперационного сотрудничества государств Евразийского экономического союза в сфере производства микроэлектроники. На заседании круглого стола планируется обсуждение основных направлений развития и перспектив такого сотрудничества, а также выступление заместителя директора департамента промышленной политики ЕЭК Николая Рогожника.
На заседании круглого стола представители ведущих российских производителей микро- и оптоэлектроники представят информацию по реализуемым ими НИОКРам по контрактам Минпромторга России и проектам Фонда перспективных исследований, а также достигнутые и ожидаемые результаты по ним. Мероприятие носит не только технический, но и экономический характер и внесет дискуссионные темы при обсуждении докладов.
Время проведения круглого стола секции №4 «Проблемы и пути развития отечественных технологий и производств микроэлектроники и оптоэлектроники в современных условиях»:
12 октября 2023
15:00-16:30
Зал 4
Модератор:
Шелепин Николай Алексеевич, ИНМЭ РАН
Комментарии читателей
