Электроника НТБ #3/2019
С. Кокин, В. Перминов, С. Волков, С. Морозов
Моделирование электрических схем с учетом влияния тзч в САПР «Кипарис»
В статье рассматривается новый подход к решению проблемы схемотехнического моделирования сбоев от тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) в интегральных схемах, который позволяет проектировать библиотечные элементы ИС с заданным уровнем радиационной стойкости. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.184.3.92.96 УДК 621.382 | ВАК 05.13.12
Наноиндустрия #8/2016
А.Бенедиктов, Е.Горнев, А.Потупчик, А.Михайлов, А.Смирнов
Особенности работы МОП-транзисторов на основе кремниевых структур при высоких температурах
Исследована работа МОП-транзисторов, выполненных на структурах кремний на изоляторе (КНИ) и на объемном кремнии, в диапазоне температур от –60 до 250 °С. DOI:10.22184/1993-8578.2016.70.8.96.103