sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Под ред. Л.И. Трахтенберга, М.Я. Мельникова
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "наногетероструктура"
Наноиндустрия #2/2023
А.В.Неженцев, К.А.Царик
АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР МЕТОДОВ ПОЛУЧЕНИЯ ВЖИГАЕМЫХ И НЕВЖИГАЕМЫХ ОМИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ К НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРАМ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.2.114.122 В работе рассмотрены технологические особенности изготовления омических контактов с сопротивлениями от 0,025 до 0,4 Ом ∙ мм к наногетероструктурам на основе нитрида галлия. Установлено, что невжигаемые омические контакты являются наиболее подходящими для освоения рабочих частот вплоть до терагерцового диапазона.
Наноиндустрия #3/2015
Ю.Федоров, П.Мальцев, О.Матвеенко, Д.Гнатюк, Д.Крапухин, Б.Путинцев, А.Павлов, А.Зуев
МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧ-диапазона на наногетероструктурах
В ИСВЧПЭ РАН разработаны конструкции монолитных интегральных схем (МИС) со встроенными антеннами для приемных и передающих трактов с усилителями мощности и малошумящими усилителями соответственно. МИС усилителей со встроенными антеннами изготовлены на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs для диапазонов частот 5 и 10–12 ГГц и AlGaN/GaN для диапазона 58–65 ГГц. Измерены диаграммы направленности антенн. DOI:10.22184/1993-8578.2015.57.3.44.51
Наноиндустрия #3/2012
А.Алексеев
Новый подход к оснащению современным технологическим оборудованием
Инновационное развитие современных технологий, а также модернизация существующих производств требуют комплексного подхода к оснащению высокотехнологичным оборудованием.Преимущество на рынке сегодня имеют те производители, которые могут помочь конечному пользователю технически и технологически полностью сформировать проект. В рамках развития комплексного подхода к поставкам и предоставлению услуг заказчикам ЗАО "НТО" в сотрудничестве с ОАО "РОСНАНО" успешно реализовало проект по развитию собственной инфраструктуры, запустив в конце 2011 года в эксплуатацию собственную Прикладную лабораторию.
Наноиндустрия #6/2011
А.Алексеев
Комплексные инфраструктурные нанотехнологические платформы в России
Возможность быстрого научно-технического развития России и ускоренное преодоление ею зависимости от экспорта сырья многие специалисты связывают прежде всего с развитием нанотехнологий.
Разработка: студия Green Art