Электроника НТБ #7/2021
В. Иванов, Ф. Уголини
МОНТАЖ КРИСТАЛЛОВ ПО ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕРИНГА ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ЭЛЕМЕНТОВ И МОДУЛЕЙ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
DOI: 10.22184/1992-4178.2021.208.7.174.187 Рассмотрен монтаж кристаллов по технологии синтеринга для производства элементов и модулей силовой электроники. Приведена информация о применяемых материалах, процессе монтажа и необходимом оборудовании.
Наноиндустрия #9/2018
Вертянов Денис Васильевич, Бураков Михаил Михайлович, Кручинин Сергей Михайлович, Сидоренко Виталий Николаевич, Брыкин Арсений Валерьевич
Трехмерная микросборка на основе коммутационных плат из кремния и бескорпусных элементов МЭМС
В статье представлена концепция технологии трехмерной микросборки на основе коммутационных плат из кремния. Описаны преимущества применения данной технологии для производства малогабаритных изделий микросистемной техники на основе бескорпусных элементов МЭМС. Представлены результаты исследований процессов формирования сквозных металлизированных отверстий в коммутационных платах из кремния. Рассмотрены конструкции отечественных акселерометров, разработанных по технологии трехмерной микросборки. УДК 621.3.049.76 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.521.531
Наноиндустрия #9/2018
Сидоренко Виталий Николаевич, Вертянов Денис Васильевич, Долговых Юрий Геннадьевич, Ковалев Анатолий Андреевич, Змеев Сергей Викторович, Тимошенков Сергей Петрович
Конструктивно-технологические особенности fl ip-chip монтажа кристаллов в производстве высокоинтегрированных 2,5D и 3D микросборок
В статье рассмотрены преимущества применения технологии flip-chip монтажа кристаллов при создании микросборок в 2,5D и 3D исполнении. Представлены конструктивно-технологические особенности и ограничения flip-chip монтажа кристаллов в производстве высокоинтегрированных микросборок. Приведены результаты оценки профиля структуры поверхности бескорпусной микросхемы с микробампами и профилей бампов после их установки на контактные площадки тестовых кристаллов. Представлены результаты исследования прочности на сдвиг бампов SAC305 от контактных площадок кристаллов с покрытием из Au и от контактных площадок кремниевых подложек с покрытием из ImmSn. УДК 621.3.049.76 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.203.210