Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "periodically doped channel"

Наноиндустрия #9/2018
Марьина Елена Владимировна, Имаметдинов Эмиль Фэридович, Краснюк Андрей Анатольевич
Моделирование многозатворных транзисторных структур с островками легирования в канале

Разработана и исследована референсная модель для анализа SGMOS (split gate MOS) транзисторов. Показано, что применение расщепленного затвора вполне эффективно в модуляционно-легированных структурах класса PDCFET. Снижение крутизны, быстродействия и изменение ВАХ транзисторных структур не носит катастрофический характере вплоть до температур 200–250 °C… УДК 621.382+621.396.6 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.229.233