Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "resistive memory"

Наноиндустрия #9/2018
Лебедев Антон Олегович, Иванов Сергей Владимирович, Воронов Даниил Дмитриевич, Орлов Олег Михайлович
Исследование проблем повторяемости и воспроизводимости характеристик ячейки резистивной памяти на основе оксида гафния

В работе будут представлены экспериментальные данные, демонстрирующие наличие проблемы с повторяемостью и воспроизводимостью электрофизических характеристик ячеек ReRAM. Также будет представлен обзор методов улучшения стабильности характеристик, произведен анализ их применимости к имеющимся образцам памяти. Будут предложены различные схемотехниченские и структурные изменения ячеек для повышения стабильности характеристик. УДК 004.076.4 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.234.235