Тег "монокристаллический кремний"
Электроника НТБ #9/2020 А. Адамова, Т. Цивинская ПРЕЦИЗИОННЫЙ СЕНСОР ДАВЛЕНИЯ НА БАЗЕ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ
DOI: 10.22184/1992-4178.2020.200.9.104.109 Описан процесс создания сенсора давления на основе кристалла монокристаллического кремния, включая решение проблемы влияния деформаций на показания по измеряемой величине. Приведены преимущества сенсора по сравнению с тонкопленочным емкостным датчиком аналогичного назначения.
Электроника НТБ #6/2020 В. Андриянов, С. Сидельников, С. Горячкин Привод вращения и перемещения затравки для установок выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского
DOI: 10.22184/1992-4178.2020.197.6.110.112 Рассмотрена конструкция привода вращения и перемещения затравки для установок выращивания монокристаллов кремния методом Чохральского. Отмечено, что особенностями привода являются применение цилиндрического дифференциала в его кинематике, а также использование цепи в качестве гибкой подвески.
Электроника НТБ #4/2019 П. Григорьев, С. Милешин, Т. Цивинская Исследование влияния защиты компаундом СИЭЛ на стабильность функционирования контрольно- измерительных МЭМС-сенсоров
Обсуждается одна из проблем разработки и производства измерительных датчиков на базе высокочувствительных сенсоров, изготовленных по технологиям микроэлектроники: защита МЭМС-сенсоров на базе монокристаллического кремния от воздействия окружающей среды. Приводятся результаты исследований указанной направленности по пьезорезистивным датчикам, проведенных в МГТУ им. Баумана. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.185.4.132.138 УДК 681.586 ВАК 05.11.14
Наноиндустрия #9/2018 Баранов Юрий Николаевич, Шварц Карл-Генрих Маркусович, Соколов Евгений Макарович, Стаценко Владимир Николаевич, Федотов Сергей Дмитриевич, Тарасов Дмитрий Владимирович, Тимошенков Сергей Петрович Газотранспортный хлоридный перенос кремния в сэндвич-системе
В данной работе представлены результаты разработки и исследования процесса формирования эпитаксиальных слоев кремния, полученных с помощью хлоридного газотранспортного переноса в сэндвич-системе. Изучено формирование моно- и поликристаллических слоев на различных кремниевых подложках, а также на структурах типа «кремний с диэлектрической изоляцией» (КСДИ, EPIC). Исследованы распределения температуры в сэндвич-системе и толщины эпитаксиального слоя по площади подложки. Изучены зависимости скорости роста слоя от температуры пластины-источника и подложки, соотношения Cl/H и величины зазора между пластинами в сэндвич-системе. Скорость роста поликристаллических слоев на КСДИ достигает 12 мкм/мин при толщине слоев 300–600 мкм, монокристаллических слоев Si на кремниевых подложка 8–10 мкм/мин при толщине слоев 40–100 мкм. Наиболее значимой особенностью процесса хлоридного газотранспортного переноса кремния с практической точки зрения является то, что при формировании эпитаксиальных слоев в качестве источника кремния можно использовать отбракованные пластины и структуры, прошедшие различные циклы эпитаксиального производства. Механизм переноса позволяет формировать эпитаксиальные монокристаллические слои и поликристаллические опорные слои со скоростью роста более 10 мкм/мин вне зависимости от качества пластины —источника Si, что значительно снижает себестоимость процесса изготовления. УДК 546.05:548.55:54628.121:660.94.49/(Ж/О)35.20 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.273.280
Наноиндустрия #9/2018 Власов Андрей Игоревич, Милешин Сергей Андреевич, Цивинская Татьяна Анатольевна Анализ дефектов сенсорных кристаллов монокристаллического кремния и технологий производства
В данной работе представлены возможные проблемы текущего производства кристаллов для создания чувствительных элементов систем датчиков из монокристаллического кремния. Показаны различные методы разработки с учетом настоящих технологических ограничений структур для высокоточных контрольно-измерительных приборов измерения физических величин. Проанализированы дефекты кристаллической решетки, появляющиеся при производстве чувствительных элементов, и их влияние на характеристики контрольно-измерительных сенсоров. Представлены типовые схемы производства сенсорных элементов. УДК 681.3 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.238.245
eng
