sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)
Книги по нанотехнологиям
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "процесс формирования подзатворного окисла"
Наноиндустрия #9/2018
Московская Юлия Марковна, Никифоров Александр Юрьевич, Бобровский Дмитрий Владимирович, Уланова Анастасия Владиславовна, Жуков А. А.
Экспериментальная оценка влияния параметров критических операций типового КМОП техпроцесса на дозовую стойкость интегральных микросхем
Проведена экспериментальная оценка влияния режимов формирования подзатворного окисла на дозовую стойкость КМОП микросхем, изготовленных по типовому маршруту с проектными нормами 1,5 мкм. Экспериментально установлено, что для толщин подзатворного диэлектрика порядка 300 Å дозовая стойкость КМОП ИС обеспечивается при температуре выращивания окисла в диапазоне 850−900 °C. УДК 621.382.002 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.246.250
Разработка: студия Green Art