Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "ток утечки смыкания опз"

Наноиндустрия #9/2018
Нагнойный Владимир Александрович, Баранов Глеб Владимирович
Метод формирования диэлектрической изоляции FinFET

Представлен оригинальный метод формирования диэлектрической изоляции FinFET, заключающийся в формировании локальной захороненной диэлектрической области в основании тела транзистора. Предложено технологическое решение реализации данного метода, совместимое с технологией производства КМОП СБИС, и представлены экспериментальные результаты отработки технологических процессов. УДК 621.328.323 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.251