Наноиндустрия #9/2018
Солдатенков Федор Юрьевич, Козлов Владимир Алексеевич
Технология жидкофазной эпитаксии для выращивания многослойных гетероструктур силовой электроники на основе арсенида галлия
В работе рассмотрены особенности технологии изготовления методом жидкофазной эпитаксии высоковольтных гетероструктур на основе GaAs и его твердых растворов для приборов импульсной силовой и высокочастотной электроники с нано- и пикосекундными временами переключения и рабочими частотами коммутации до 10 МГц и выше. УДК 621.382 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.266.272