sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Пантелеев В., Егорова О., Клыкова Е.
Суминов И.В., Белкин П.Н., Эпельфельд А.В., Людин В.Б., Крит Б.Л., Борисов A.M.
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "gas-transport epitaxy"
Наноиндустрия #9/2018
Баранов Юрий Николаевич, Шварц Карл-Генрих Маркусович, Соколов Евгений Макарович, Стаценко Владимир Николаевич, Федотов Сергей Дмитриевич, Тарасов Дмитрий Владимирович, Тимошенков Сергей Петрович
Газотранспортный хлоридный перенос кремния в сэндвич-системе
В данной работе представлены результаты разработки и исследования процесса формирования эпитаксиальных слоев кремния, полученных с помощью хлоридного газотранспортного переноса в сэндвич-системе. Изучено формирование моно- и поликристаллических слоев на различных кремниевых подложках, а также на структурах типа «кремний с диэлектрической изоляцией» (КСДИ, EPIC). Исследованы распределения температуры в сэндвич-системе и толщины эпитаксиального слоя по площади подложки. Изучены зависимости скорости роста слоя от температуры пластины-источника и подложки, соотношения Cl/H и величины зазора между пластинами в сэндвич-системе. Скорость роста поликристаллических слоев на КСДИ достигает 12 мкм/мин при толщине слоев 300–600 мкм, монокристаллических слоев Si на кремниевых подложка 8–10 мкм/мин при толщине слоев 40–100 мкм. Наиболее значимой особенностью процесса хлоридного газотранспортного переноса кремния с практической точки зрения является то, что при формировании эпитаксиальных слоев в качестве источника кремния можно использовать отбракованные пластины и структуры, прошедшие различные циклы эпитаксиального производства. Механизм переноса позволяет формировать эпитаксиальные монокристаллические слои и поликристаллические опорные слои со скоростью роста более 10 мкм/мин вне зависимости от качества пластины —источника Si, что значительно снижает себестоимость процесса изготовления. УДК 546.05:548.55:54628.121:660.94.49/(Ж/О)35.20 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.273.280
Разработка: студия Green Art