Наноиндустрия #9/2018
Четвериков Владимир Алексеевич, Баранов Глеб Владимирович, Итальянцев Александр Георгиевич
Формирование Si-плавников FinFET минимальных размеров нелитографическим методом
Представлены результаты проведения твердофазного тримминга кремниевых «плавников» FinFET в системе Ti-Si. Проведен анализ методов формирования пленки Ti на боковой поверхности «плавника» FinFET. Определены оптимальные параметры формирования силицида применительно к задачам тримминга. УДК 621.315.592 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.282.283