sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Под ред. Кавалейро А., Хоссона Д. де
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "heavy ions"
Наноиндустрия #5/2023
А.А.Глушко, М.Р.Гусев, В.В.Макарчук
ИССЛЕДОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ НАКОПЛЕННОГО ЗАРЯДА В МОП-ТРАНЗИСТОРЕ ОТ ЛИНЕЙНОЙ ПОТЕРИ ЭНЕРГИИ ТЯЖЕЛЫХ ЗАРЯЖЕННЫХ ЧАСТИЦ
DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.5.298.305 Проведено приборно-технологическое моделирование МОП-транзистора, подвергшегося воздействию тяжелой заряженной частицы (ТЗЧ). Предложена и проверена гипотеза о линейной зависимости накопленного в приборе заряда от величины линейной потери энергии попадающей в него частицы. Определены наиболее чувствительные к радиационному воздействию области рассматри­ваемого транзистора.
Электроника НТБ #3/2019
С. Кокин, В. Перминов, С. Волков, С. Морозов
Моделирование электрических схем с учетом влияния тзч в САПР «Кипарис»
В статье рассматривается новый подход к решению проблемы схемотехнического моделирования сбоев от тяжелых заряженных частиц (ТЗЧ) в интегральных схемах, который позволяет проектировать библиотечные элементы ИС с заданным уровнем радиационной стойкости. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.184.3.92.96 УДК 621.382 | ВАК 05.13.12
Наноиндустрия #9/2018
Галимов Артур Маратович
Метод оценки частот сбоев коммерческих микросхем памяти от тяжелых заряженных частиц по экспериментальным данным испытаний на протонах
Представлен метод пересчета частот сбоев от ионов к протонам и обратно с использованием компактной модели расчета. Приведены результаты сравнения расчетных значений с экспериментальными данными. УДК 621.396.721, ББК 32.95 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.284.285
Разработка: студия Green Art