Электроника НТБ #4/2019
А. Строгонов
Характеристики надежности современных ПЛИС
В статье рассмотрена методика расчета экспериментальной интенсивности отказов ПЛИС с использованием статистики хи-квадрат, а также влияние сбоев, вызванных ионизирующим излучением, на характеристики надежности современных ПЛИС, выпускаемых по нанометровым проектным нормам. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.185.4.52.58 УДК 621.3.049.774 ВАК 05.27.01
Наноиндустрия #9/2018
Красников Геннадий Яковлевич, Лушников Александр Сергеевич, Мещанов Владимир Дмитриевич, Рыбалко Егор Сергеевич, Фомичева Надежда Николаевна, Шелепин Николай Алексеевич
Исследование сбоеустойчивости СОЗУ с функцией исправления одиночных сбоев при воздействии ТЗЧ
Представлены результаты исследования сбоеустойчивости СОЗУ с функцией исправления одиночных сбоев при воздействии ТЗЧ. Приведены модельные и экспериментальные зависимости сбоеустойчивости пилотных образцов СОЗУ емкостью 4 Мбит при воздействии ТЗЧ от частоты исправления информации. Показано соответствие модели и эксперимента. УДК 621.382 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.327.329