Наноиндустрия #9/2018
Тарасов Сергей Викторович, Семейкин Игорь Валентинович, Цоцорин Андрей Николаевич
Мощные GaN транзисторы для применения в перспективной аппаратуре
В статье представлены результаты измерения нитрид-галлиевых транзисторов разработки АО «НИИЭТ». Проведен сравнительный анализ отечественных транзисторов с зарубежными аналогами. При создании структур кристаллов мощных СВЧ транзисторов были проработаны различные конструктивные варианты. УДК 621.315.55 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.335.336