Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "model parameter extraction"

Наноиндустрия #9/2018
Лебедев Сергей Валентинович, Петросянц Константин Орестович, Стахин Вениамин Георгиевич, Харитонов Игорь Анатольевич
Особенности моделирования субмикронных МОП- транзисторов для расчета низковольтных и микромощных КМОП СБИС

Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия. УДК 621.382.323: 536.48 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.412.414

Наноиндустрия #9/2018
Петросянц Константин Орестович
Состояние работ в области моделирования полупроводниковых компонентов с учетом влияния радиации и температуры

Приведены результаты анализа отечественных и зарубежных работ в области TCAD- и SPICE-моделирования компонентов КМОП, КМОП КНИ, SiGe БиКМОП СБИС, предназначенных для работы в условиях воздействия радиации (нейтроны, электроны, протоны, γ- и X-лучи, ОЯЧ, импульсное воздействие), высоких (до +300 °C) и низких (до −200 °C) температур. Описаны TCAD и SPICE модели биполярных и МОП транзисторов, а также методы определения их параметров. Отмечены направления дальнейшего развития методов TCAD и SPICE моделирования компонентов п/п БИС. УДК 621.382.3: 004.942 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.42.45