Наноиндустрия #9/2018
Лебедев Сергей Валентинович, Петросянц Константин Орестович, Стахин Вениамин Георгиевич, Харитонов Игорь Анатольевич
Особенности моделирования субмикронных МОП- транзисторов для расчета низковольтных и микромощных КМОП СБИС
Приведены требования к моделям, особенностям определения их параметров, пакетам схемотехнического моделирования при проектировании низковольтных и микромощных КМОП СБИС. Представлены результаты схемотехнического моделирования характеристик КМОП схемы (L = 0,35 мкм) 2И-НЕ при уменьшении напряжения питания от 0,7 до 0,3 В. Показана работоспособность (выполнение логических функций) указанных схем при наименьшем значении питания с соответствующим значительным снижением быстродействия. УДК 621.382.323: 536.48 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.412.414