Наноиндустрия #9/2018
Леонтьев Евгений Владимирович, Коротков Александр Станиславович, Балашов Евгений Владимирович
Методика анализа на устойчивость GaN HEMT в режиме большого сигнала при синтезе МИС УМ в САПР Microwave Offi ce
В статье показана методика анализа на устойчивость HEMT в режиме большого сигнала при синтезе МИС УМ в САПР Microwave Office. Описана методика определения устойчивости в режиме большого сигнала через LSS параметры нелинейной модели HEMT. Произведен синтез схемы обеспечения устойчивости HEMT и приведены соответствующие результаты. УДК 621.375.4 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.453.455